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[发明专利]一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201910474322.2有效
发明人：张树德;钱洪强;李跃;连维飞;魏青竹;倪志春;鲁科;杨智 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。
一种钝化接触晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种晶硅太阳电池背电极结构-CN202010832614.1在审
发明人：张树德;魏青竹;倪志春;赵保星;符欣;钱洪强;连维飞;刘玉申;况亚伟 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳电池背电极结构，包括电池片主体和设置在电池片主体背面的钝化介质层，还包括设置在钝化介质层的凹槽、覆盖凹槽且与电池片主体连接的第一铝栅线层以及多条设置在钝化介质层与第一铝栅线层连接的铝主栅线层。通过在电池片主体的背面的钝化介质层设置凹槽，在凹槽上覆盖设置第一铝栅线层，使得第一铝栅线层与电池片主体连接，由于第一铝栅线层仅仅是覆盖凹槽设置而不是覆盖整个钝化介质层设置，在烧结过程中铝硅界面附近液态铝中的硅向远离铝硅界面方向的扩散得到抑制，从而保持铝硅界面附近液态铝中的硅浓度在较高的水平，进而增加铝背表面场深度，抑制铝硅界面附近空洞的形成，提高电池光电转换效率。
一种太阳电池电极结构

[发明专利]一种新型P型晶体硅太阳电池及其制备方法-CN202010606900.6在审
发明人：杨智;魏青竹;倪志春;钱洪强;连维飞;张树德;赵保星 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且采用单卡位单插的方式放置，在P型单晶硅片的正面和背面同时形成AlOx层，然后在背面沉积SiNx层。本发明通过在正面形成全覆盖的AlOx层且位于SiNx层上方，实现了折射率的变化次序，更有利于光线的全反射，增加电池对入射光的有效吸收，且有利于降低金属区域的接触电阻率，提升电池的填充因子，提升电池的光电转换效率。
一种新型晶体太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种新型PERC电池及其制作方法-CN202010620151.2在审
发明人：许亚军;魏青竹;倪志春;沈鸿烈;杨智;钱洪强;张树德;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;南京航空航天大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。本申请还提供具有上述优点的电池。
一种新型 perc 电池及其制作方法

[实用新型]一种硅基阵列叠层太阳能电池-CN202020169954.6有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层，在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本实用新型通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
一种阵列太阳能电池

[实用新型]一种硅基叠层太阳能电池-CN202020169955.0有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间制备p型掺杂层，在p型掺杂层和n型单晶硅衬底的层叠区域刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，n型单晶硅衬底的纳米孔内为空隙，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本实用新型利用周期纳米孔阵列优异的光吸收和电荷传输性能，提高了底电池长波光子的利用效率，在兼容硅基电池工艺的同时提高了叠层太阳能电池的光电转换效率。
一种硅基叠层太阳能电池

[发明专利]一种硅基阵列叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010092857.6在审
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层，在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本发明通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
一种阵列太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法-CN202010092810.X在审
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间制备p型掺杂层，在p型掺杂层和n型单晶硅衬底的层叠区域刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，n型单晶硅衬底的纳米孔内为空隙，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明利用周期纳米孔阵列优异的光吸收和电荷传输性能，提高了底电池长波光子的利用效率，在兼容硅基电池工艺的同时提高了叠层太阳能电池的光电转换效率。
一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池-CN201921593120.1有效
发明人：张树德;魏青竹;钱洪强;况亚伟;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，电池正表面的整体复合速率进一步降低，电池转换效率较高。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
一种正面局域钝化接触太阳电池

[实用新型]一种背钝化硅基太阳能电池-CN201921460183.X有效
发明人： 钱洪强;张树德;鲁科;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背钝化硅基太阳能电池，能够避免负电荷场效应对钝化的削弱。一种背钝化硅基太阳能电池，包括晶体硅基体、形成于所述晶体硅基体正面的掺杂层、形成于所述掺杂层上的正面钝化膜、透过所述正面钝化膜和所述掺杂层形成欧姆接触的正面电极、形成于所述晶体硅衬底背面的背面钝化膜及穿过所述背面钝化膜和所述晶体硅基体形成欧姆接触的背面电极，所述背面钝化膜包括形成于所述晶体硅衬底背面的第一钝化层及形成于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述背面电极形成于所述第二钝化层上，所述第一钝化层为Al2O3层，所述第二钝化层包括Ga2O3层和/或Ta2O5层。
一种钝化太阳能电池

[实用新型]一种适用寒冷地区的防沉降、防冻胀的燃气引入管-CN201920750627.7有效
发明人：高健;董艳华;钱洪强;权诗博;张煜 -专利权人：长春燃气热力设计研究院有限责任公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： F16L51/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用寒冷地区的防沉降、防冻胀的燃气引入管，包括镀锌钢管，所述镀锌钢管固定套装于墙壁上，所述墙壁其中一侧的侧壁上外设置有室内地面，本实用新型一种适用寒冷地区的防沉降、防冻胀的燃气引入管，本产品将套筒式补偿器设置在地下与地上交界处，既能节省空间，又能很好地补偿土层产生的冻胀及沉降，对引入管起到很好的保护作用，现有工程上的燃气引入管补偿措施不能兼顾空间、美观、功能，而本产品兼顾了功能与空间及美观的要求，保证安全的同时，更符合安全、美观、人性化的工程理念，使燃气引引入管满足功能前提下，更加的优化、美观，产品采用的补偿器地面安装，便于施工安装，节省工程成本。
一种适用寒冷地区沉降冻胀燃气引入

[发明专利]一种新型晶硅太阳电池及其制备方法-CN201910920589.X在审
发明人：张树德;魏青竹;况亚伟;钱洪强;丁可;揭建胜;张晓宏;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院;苏州大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型晶硅太阳电池，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度；在保证P型硅片正表面钝化效果的前提下，规避硼扩散工艺，简化制备流程，此外，还减小背面N型硅区域的复合速率，提高电池效率。
背面磷掺杂晶硅太阳电池电池效率钝化效果交替设置硼扩散正表面减小制备复合保证

[发明专利]一种晶硅太阳电池及其制备方法-CN201910920590.2在审
发明人：张树德;魏青竹;况亚伟;钱洪强;丁可;揭建胜;张晓宏;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院;苏州大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。
浮动结硅太阳电池钝化结构钝化效果少子寿命硼扩散种晶制备电池保证

[发明专利]一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法-CN201910904527.X在审
发明人：张树德;魏青竹;钱洪强;况亚伟;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N
背面钝化层多晶硅层晶硅太阳电池氧化硅薄层正面钝化层背面电极欧姆接触正面电极钝化整体复合上表面图形化正表面绒面制备制绒背面电池穿过覆盖

[实用新型]一种晶硅双面太阳电池的对准印刷系统-CN201821756300.2有效
发明人： 钱洪强;张树德;彭嘉琪;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅双面太阳电池的对准印刷系统，所述对准印刷系统包括对准装置、印刷设备及承载并运送硅片的输送装置，所述对准装置包括主光源、设于主光源旁侧的辅助光源及用于获取硅片表面图像的摄像头，所述输送装置包括用于承载硅片的工作台，所述工作台自所述对准装置下方经过，当硅片被运送至所述对准装置下方时，所述主光源位于硅片的正上方并正对硅片，所述辅助光源位于硅片的侧上方，所述主光源照射到硅片上的光束与所述辅助光源照射到硅片上的光束之间形成大于零小于90度的夹角；有助于硅片的激光标记点的精准对位和铝栅线的精确覆盖，从而提高印刷时背铝栅线的对准精度。
硅片对准装置主光源辅助光源对准输送装置印刷系统工作台铝栅照射承载双面太阳电池运送本实用新型硅片表面激光标记精准对位印刷设备摄像头正对种晶图像印刷覆盖