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[发明专利]双倍增内线帧转移CCD结构-CN202010199402.4有效
发明人：王小东;钟四成;汪朝敏;李立;熊平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：本发明涉及CCD结构技术领域，特别涉及一种双倍增内线帧转移CCD结构，包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器，倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上，存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接，水平转移区的末端通过输出节点与读出放大器连接；所述倍增像元阵列中的像元中设置有像元光敏区和像元光敏区一侧的像元垂直转移区；所述像元的光敏区中设置像元倍增栅和像元倍增结构，通过像元倍增栅和倍增结构的时序控制；本发明可同时实现在前端像元级和后级移位寄存器的探测灵敏度提高，使得双倍增IFT CCD有能力实现对微光甚至单光子信号的探测。
双倍内线转移 ccd 结构

[发明专利]具有抗晕结构的像元倍增内线帧转移CCD-CN202010199267.3有效
发明人：王小东;汪朝敏;钟四成;熊平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗晕结构的像元倍增内线帧转移CCD，包括像元阵列、垂直转移栅、水平CCD结构和读出放大器，在所述像元阵列和垂直转移栅之间还设有存储单元阵列，所述像元阵列中设有像元转移栅、像元转移栅下势垒、像元倍增结构和像元抗晕结构。本发明提出了一种新的CCD结构，通过将像元光敏区中的光积分过程和光电荷转移过程隔离，以及将光电荷转移过程和信号读出过程的隔离，并设置像元倍增结构和倍增移位寄存器实现了前级像元倍增和后级寄存器倍增的双倍增功能，能够对微光甚至单光子进行探测；通过抗晕结构泄放像元倍增后溢出的光电荷，能够在对比度较大的环境或探测光信号较强的目标物体时，显著提高CCD的探测成像性能。
具有结构倍增内线转移 ccd

[发明专利]内线帧转移CCD-CN202010199159.6有效
发明人：王小东;熊平;汪朝敏;钟四成;李立 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明公开了一种内线帧转移CCD，包括像元阵列、垂直转移栅、水平CCD结构和读出放大器，在所述像元阵列和垂直转移栅之间还设有存储单元阵列，所述像元阵列的像元中设有像元光敏区和像元垂直转移区，在所述像元光敏区和像元垂直转移区之间设有像元转移栅和像元转移栅下势垒。本发明提出了一种新的CCD结构，设置所述像元转移栅和像元转移栅下势垒实现像元光敏区中的光积分过程和光电荷转移过程的隔离，可在光敏区中设置像元倍增结构；设置存储单元阵列实现光电荷转移过程和信号读出过程的隔离，可在水平移位寄存器末端设置倍增移位寄存器，从而便于实现前级像元电荷倍增和后级移位寄存器倍增的双倍增功能。
内线转移 ccd

[发明专利]脉冲激光间隔测量电路-CN201911071832.1有效
发明人：邓光平;鹿婷婷;任思伟;刘昌举;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G04F10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲激光间隔测量电路，包括跨阻放大器、峰值保持单元、延时控制单元、比较器、斜坡电压发生单元和采样单元；所述峰值保持单元用于获取跨阻放大器的输出电压峰值信息，所述延时控制单元用于控制峰值保持电路复位，所述斜坡电压发生单元用于输出与时间成线性关系的斜坡电压信号，所述采样单元用于对斜坡电压信号进行采样；所述斜坡电压发生单元的复位端和控制端，以及延时控制单元的第二输入端均连接门控信号。本发明采用测量电压差来获取脉冲激光间隔信息，从而解决了高频信号对焦平面脉冲激光间隔测量所带来的单元之间信号不一致和高功耗问题，能够用于多通道或焦平面阵列排布形式，实现焦平面阵列式脉冲激光测距，实用性强。
脉冲激光间隔测量电路

[发明专利]一种减小交叠耦合的CCD栅结构-CN201910864989.3在审
发明人：王小东;汪朝敏;钟四成;白雪平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及电荷耦合器件的结构，特别涉及一种减小交叠耦合的CCD栅结构，所述栅结构包括至少两相、至少两个驱动栅平铺构成，在相邻的两个驱动栅中，第一驱动栅的上表面设置有至少两个凸式结构，第一驱动栅的凸式结构与第二驱动栅形成交叠区和非交叠区；其中交叠区由第一驱动栅上表面左右两边向上延伸形成突起，该突起部分向外延伸形成的凸式结构，该凸式结构与第二驱动栅形成上下交叠的状态，且第一驱动栅与第二驱动栅及其凸式结构之间无实质接触交叠；本发明制备的CCD结构与传统CCD结构相比，其驱动能力可以提高40％～50％，可减小CCD对复杂驱动电路的依赖，有利于简化CCD的驱动系统、减小耦合、提高CCD系统的性能。
驱动凸式结构减小交叠区上表面栅结构突起交叠电荷耦合器件驱动电路驱动能力驱动系统上下交叠实质接触向上延伸耦合非交叠耦合的两相平铺制备两边延伸

[发明专利]抗辐照高动态焦平面读出电路-CN201711344202.8在审
发明人：李毅强;吴治军;任思伟;李梦萄;刘戈杨;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照高动态焦平面读出电路，包括可调补偿电流源、运算放大器和积分电容，可调补偿电流源的第一端接地，第二端连接积分电容的第一端，积分电容的第一端还与未遮蔽焦平面探测器的输出端以及运算放大器的反相输入端连接，第二端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的同相输入端连接参考电压，可调补偿电流源提供补偿电流和高动态调整电流，补偿电流用于抵消所述焦平面探测器辐照之后增加的暗电流，从而实现焦平面探测器抗辐射加固；高动态调整电流用于压缩焦平面探测器输出的光生电流，以使所述积分电容在相同输出摆幅条件下能够表征更大的光生电流值，从而实现高动态范围。
高动态焦平面探测器积分电容运算放大器辐照可调补偿第一端电流源补偿电流调整电流读出电路光生电流焦平面放大器反相输入端输出端连接同相输入端参考电压输出摆幅接地暗电流抗辐射输出端与运算遮蔽抵消压缩输出

[发明专利]一种应用于CMOS图像传感器的图像增强和融合方法-CN201711058317.0在审
发明人：李明;韩恒利;钟四成;刘昌举;张鹏剑;任思伟;李毅强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的图像增强和融合方法，具体来讲，针对CMOS图像传感器输出的图像数据，首先对图像进行分割处理，将一幅图像分成两幅图像，再对两幅新的图像进行画质增强处理，使图像的对比度得到调制，随后进行图像降噪处理，降低前级图像处理带来的噪声，以满足后续处理对图像质量的需求，然后对两幅图像分别进行小波分解，最后对小波处理后的图像进行融合和小波逆变换处理，以得到还原后的最终输出图像。本发明一种应用于CMOS图像传感器的图像增强和融合方法解决了因噪声引起的图像失真或畸变问题、增强了画质质量和图像通透性、保持图像边缘细节，同时实现了在有限的平台资源上实现实时处理。
一种应用于 cmos 图像传感器图像增强融合方法

[发明专利]光接收电路-CN201510678198.3在审
发明人：邓光平;刘昌举;钟四成;李梦萄;李毅强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H04B10/69 文献下载
摘要：一种光接收电路，由4个运算放大器、8个匹配电阻、输出三极管、辅助三极管和光电二极管组成；前述元件按本发明方案连接后，分别形成一条主线路和一条辅助线路，主线路用于控制输出三极管的开启/关断，辅助线路用于对输出三极管基极上存储的电荷进行快速泄放；本发明的有益技术效果是：提出了一种新结构的光接收电路，该光接收电路具有低传输延迟时间的性能，同时，该光接收电路还能通过第二反相放大器来减小两个电压控制信号之间的延迟差异，从而使光接收电路的输出波形得到优化。
接收电路

[发明专利]钯硅纳米线室温红外探测器及其制作方法-CN201410393284.5无效
发明人：李华高;李仁豪;龙飞;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种钯硅纳米线室温红外探测器，包括抗反射膜层、P型外延硅衬底层、光敏层、SiO2光腔介质层和铝镜反射膜层；所述抗反射膜层、P型外延硅衬底层、光敏层、SiO2光腔介质层和铝镜反射膜层依次层叠在一起形成红外探测器；其改进在于：所述光敏层由钯硅纳米线阵列形成；所述红外探测器的工作模式采用背照方式；所述红外探测器工作于室温环境下。本发明的有益技术效果是：采用钯硅纳米线制作技术，在提高红外探测器性能的同时，大幅度提高Pd2Si/P-Si红外探测器的信噪比，探测器可在室温环境下工作。
纳米室温红外探测器及其制作方法

[发明专利]铂硅纳米线红外探测器及其制作方法-CN201410081602.4有效
发明人：李华高;熊平;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种铂硅纳米线红外探测器，所述铂硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述铂硅薄膜光敏层即为铂硅纳米线；所述铂硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。本发明的有益技术效果是：利用铂硅纳米线可增加吸收率，同时，铂硅纳米线顶端存在极大的边缘场，产生雪崩倍增效应，大幅度提高铂硅红外探测器的量子效率；增加P型多晶硅盖帽层，可使光生热空穴的逃逸机率增加一倍，并且阻止了减反射膜层内的可动电荷与光生自由电子交换，降低铂硅红外探测器的噪声及暗电流；探测器采用正照方式，大幅简化了封装工艺，提高了器件的可靠性。
纳米红外探测器及其制作方法

[发明专利]N型特高阻硅反外延材料制备方法-CN201310235447.2有效
发明人：黄烈云;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：为解决现有技术术N型高阻硅外延材料制备方法存在的高阻外延层电阻率不能满足要求和易导致4寸或6寸晶圆的碎裂等问题，本发明提出一种N型特高阻硅反外延材料制备方法，采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层；采用硅快速外延技术在高掺杂外延层表面外延生长物理支撑层；采用机械减薄和化学抛光工艺将特高阻单晶层进行减薄抛光使其厚度和表面质量达到技术要求。本发明的有益技术效果是提供了一种满足小电容、快速响应特性的PIN光电二极管制备所需的4寸或6寸晶圆的N型特高阻反外延材料的制备方法，替代现有技术N型高阻单晶材料，提高器件的参数特性和成品率。
型特高阻硅反外延材料制备方法

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