专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]衣物处理装置-CN202010795487.2有效
  • 丁保善;柳道永;金钟旼 - LG电子株式会社
  • 2020-08-10 - 2023-05-02 - D06F37/24
  • 本发明提供一种衣物处理装置。所述衣物处理装置包括本体、洗涤槽以及悬架组件。悬架组件包括支撑杆、弹性构件以及阻尼单元。阻尼单元的一端支撑在弹性构件上,并且沿着支撑杆的长度方向进行移动。阻尼单元包括盖、壳体以及摩擦构件。盖上放置有洗涤槽,所述盖包括供所述支撑杆穿过的第一贯通口和在外侧的至少一部分形成的公结合部。壳体形成为一侧堵塞的圆筒形状,所述壳体包括在内周面与所述公结合部结合的母结合部。摩擦构件配置于盖和壳体的内部,在母结合部和公结合部结合时,挤压支撑杆。
  • 衣物处理装置
  • [发明专利]衣物处理装置-CN202010795507.6有效
  • 金钟旼;丁保善;柳道永 - LG电子株式会社
  • 2020-08-10 - 2023-03-14 - D06F37/24
  • 本发明提供衣物处理装置。所述衣物处理装置包括本体和洗涤槽。本体和洗涤槽通过悬架组件结合。悬架组件包括支撑杆、弹性构件以及阻尼单元。支撑杆形成为棒形状且其一端与本体结合。弹性构件结合于支撑杆的外周。阻尼单元支撑在弹性构件上并且沿着支撑杆的长度方向进行移动。并且,阻尼单元结合于支撑杆的外周且形成作为包围支撑杆的空的空间的分隔室,在分隔室中设置有摩擦构件。
  • 衣物处理装置
  • [发明专利]悬架组件及包括其的衣物处理装置-CN202010795492.3在审
  • 柳道永;丁保善;金钟旼 - LG电子株式会社
  • 2020-08-10 - 2021-03-05 - D06F37/24
  • 本发明提供一种改善了支撑洗涤槽的荷重的同时衰减随着洗涤槽的运动产生的振动的性能的悬架组件及包括其的衣物处理装置。本发明一方面的悬架组件,包括:棒状的支撑杆,沿纵向延伸形成;弹性构件,结合于所述支撑杆的外周;壳体,所述壳体与所述支撑杆结合为被所述支撑杆沿纵向贯穿,所述壳体被所述弹性构件支撑并且形成有包围所述支撑杆的分隔室;摩擦构件,设置于所述壳体内部,在所述分隔室中发生位移时与所述支撑杆产生摩擦;以及盖,被所述支撑杆沿纵向贯穿并与所述壳体相结合以覆盖所述分隔室,在所述壳体上形成有第一孔,使得在所述壳体和所述盖结合而形成的内部空间上产生的冷凝水排出到外部。
  • 悬架组件包括衣物处理装置
  • [发明专利]具有电磁干扰屏蔽板的触摸垫-CN200810182365.5有效
  • 金钟旼;崔弘圭;金洙亨;李定炯 - 三星电子株式会社
  • 2008-11-26 - 2009-06-03 - G06F3/041
  • 本发明提供一种具有电磁干扰屏蔽板的触摸垫。该触摸垫包括:触摸板,当在触摸板的表面上产生触摸时,触摸板的物理性质发生改变;触摸传感器,结合到触摸板,通过测量物理性质的改变而检测产生触摸的位置;EMI屏蔽板,与触摸板的表面相邻地设置或者附着到触摸板的表面上,并且形成有多个开口。形成在EMI屏蔽板的一位置处的开口的密度随着所述位置远离触摸传感器而增大。因此,具有EMI屏蔽板的触摸垫可更加准确地检测在接近于或者远离触摸垫的触摸传感器的任何位置处产生的触摸,从而增加便携式终端的用户便利性。
  • 具有电磁干扰屏蔽触摸
  • [发明专利]具有改良强度的功率半导体装置-CN200510091561.8无效
  • 金钟旼 - 敦南科技股份有限公司
  • 2005-08-23 - 2008-04-16 - H01L29/78
  • 本发明所公开的功率半导体由一n+漏极区域;一n-外延区域;p基体与p+基体区域,于n-外延区域之上形成一条纹状配置;一n°外延区域,形成于n-外延区域之上与介于p基体与p+基体区域之间;一P型边缘区域,围绕p+基体区域并连接该p+基体区域的两端;一n+源极区域,形成于该p基体区域两端;栅极介电质,形成于n+基体区域、p-基体区域,以及n°外延区域之上;以与门极电极,形成于栅极介电质之上,等等所组成,特别是本发明的功率半导体的P型边缘区段由多重子区域所组成,以避免不平整电流集中在p+基体区域,并借此提升功率半导体的强度。
  • 具有改良强度功率半导体装置
  • [发明专利]防止击穿的功率半导体装置及其制造方法-CN200510096575.9无效
  • 金钟旼 - 敦南科技股份有限公司
  • 2005-08-25 - 2006-03-15 - H01L29/78
  • 本发明提供一种用于防止信道区域的击穿的功率半导体,为了这个目的,本发明提出了一种防止击穿的功率半导体装置,其拥有一传导型态1的高浓度基板;一传导型态1的主要外延区域,在该基板区域的顶部上加以形成为低浓度;一传导型态1的次要外延区域,在该主要外延区域的顶部上加以形成为中浓度、并具有实际上跨越厚度的均匀掺杂变化曲线;多个传导型态2的次要体区域,形成在该次要外延区域的范围之中;以及两个传导型态1的源极区域,沿着该所述区域的两个边缘而加以形成为高浓度。
  • 防止击穿功率半导体装置及其制造方法

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