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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]错误校正方法和使用其的半导体器件-CN201811044479.3有效
发明人：金昌铉;金溶美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及错误校正方法和使用其的半导体器件。半导体器件包括读取数据发生电路和校验子发生电路。读取数据发生电路从在第一读取操作期间产生的第一输出数据和第一输出奇偶校验码码来产生第一读取数据。此外，读取数据发生电路从在第二读取操作期间产生的第二输出数据和第二输出奇偶校验码码产生第二读取数据。校验子发生电路从第一读取数据和第二读取数据产生校验子信号。校验子发生电路产生校验子信号使得与第一读取数据相对应的第一半矩阵的列向量对称于与第二读取数据相对应的第二半矩阵的列向量。
错误校正方法使用半导体器件

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体系统-CN201810937766.0有效
发明人：金昌铉;金溶美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及包括其的电子系统。半导体系统包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件根据包括与错误发生次数有关的信息的错误代码的逻辑电平组合来产生第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号。第二半导体器件在刷新操作期间响应于第一错误清洗控制信号而在第一周期时间执行存储区的错误清洗操作，以及在刷新操作期间响应于第二错误清洗控制信号而在第二周期时间执行存储区的错误清洗操作。
半导体器件包括半导体系统

[发明专利]刷洗错误的方法和使用该方法的半导体模块-CN201810579865.6有效
发明人：宋永旭;金溶美;金昌铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种半导体模块包括控制器和半导体器件。控制器被配置为控制错误刷洗操作和读取操作。半导体器件包括多个存储器芯片，并且多个存储器芯片中的至少一个存储器芯片在多个存储器芯片的读取操作期间执行错误刷洗操作。
刷洗错误方法使用半导体模块

[发明专利]半导体器件-CN201710941260.2有效
发明人：权奇薰;金溶美;金载镒 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括错误计数信号发生电路和行错误控制电路。错误计数信号发生电路产生如果被选择用来执行错误刷洗操作的单元的出错数据的数量等于预定数量则被使能的错误计数信号。如果出错数据的数量大于或等于所述预定数量则行错误控制电路响应于错误计数信号而储存关于出错数据的数量的信息，或者在比所述预定数量更多的出错数据被检测到之后响应于错误计数信号而储存关于呈现出错数据的行路径的数量的信息。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710865269.X有效
发明人：李在仁;金溶美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：写入读取控制电路，用于输出响应于写入命令而被使能的写入使能信号以及测试模式信号；以及错误校正电路，适用于响应于写入使能信号而执行确定输入数据的错误信息的计算操作、然后输出包括错误信息的内部奇偶校验信号，以及响应于写入使能信号而通过延迟输入数据来输出内部数据。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710827448.4有效
发明人：李在仁;金溶美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件。半导体器件可以包括：输入和输出(I/O)电路，其被配置为基于写入使能信号将从输入数据产生的传输数据输出为内部数据，并且被配置为基于写入使能信号来输出关于输入数据的错误信息。写入使能信号可以基于写入信号来产生，该写入信号可以根据是否执行错误校正操作而被延迟一延迟时间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710755852.5有效
发明人： 金溶美;金载镒;李在仁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：一种半导体器件包括控制信号发生电路和输入/输出(I/O)控制电路。控制信号发生电路产生第一读取控制信号和第二读取控制信号以及第一写入控制信号和第二写入控制信号。第一读取控制信号和第二读取控制信号中的一个以及第一写入控制信号和第二写入控制信号中的一个根据用于选择第一I/O线或第二I/O线的第一地址和第二地址的组合而被选择性使能。I/O控制电路响应于第一读取控制信号和第二读取控制信号而通过第一I/O线和第二I/O线中的任意一个来输出加载在第一内部I/O线和第二内部I/O线上的读取数据。此外，I/O控制电路响应于第一写入控制信号和第二写入控制信号而通过第一I/O线和第二I/O线中的任意一个来输出输入数据。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201911172319.1在审
发明人：李在仁;金溶美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开的半导体器件包括错误校正电路和写入操作控制电路。所述错误校正电路根据在读取操作执行时所输出的读取数据中是否包含错误，从所述读取数据产生校正数据和错误标记。所述写入操作控制电路基于所述错误标记产生用于控制写入操作的写入控制信号。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN200610002103.7无效
发明人： 金溶美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：根据本发明的半导体存储器装置能够方便地改变调整ODT操作的时序和具有优化的ODT时序，不管半导体存储器装置是安置于模块的任一级上。本发明包括：阻抗调整单元，用于根据阻抗选择信号来调整输入垫的阻抗值；ODT操作控制单元，用于使用译码信号和ODT时序信号在产生阻抗选择信号时控制阻抗调整单元；延迟调整单元，用于将内部控制时钟延迟预定时序，由此产生ODT时序信号；以及ODT时序控制单元，用于根据半导体存储器装置是排列至模块的第一级还是第二级来控制延迟调整单元以决定预定时序的值。
半导体存储器装置

[发明专利]具有芯片内建终结电路的半导体存储装置-CN200510071910.X无效
发明人： 金溶美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有稳定有效的终结电阻值及稳定化阻抗失配的片内终结电路。该片内终结电路包括：用来解码扩展模式寄存器组(EMRS)设定值的解码单元；包括多个并联连接于用来输出输出信号的输出节点并被分配以不同电阻值的输出驱动器单元的ODT(片内终结器)输出驱动器单元；以及用来生成多个用来响应所述解码装置的输出信号以导通/断开多个输出驱动器单元的上拉及下拉控制信号的控制信号发生单元。
具有芯片终结电路半导体存储装置

[发明专利]能够降低有效模式下电流消耗的半导体存储装置-CN200410070307.5有效
发明人： 金溶美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：提供一种能够降低有效模式下电流消耗的半导体存储装置。该半导体存储装置包含一内部电压供应块及一内部电压控制块。该内部电压供应块响应一内部电压驱动使能信号被启动，并产生一用于半导体存储装置的内部操作中的内部电压，该内部电压控制块在该半导体存储装置进入有效操作周期后的预定周期期间及在一相对应于读/写操作的周期期间激活该内部电压驱动使能信号。
能够降低有效模式电流消耗半导体存储装置

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