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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810132025.1无效
  • 金忠培 - 海力士半导体有限公司
  • 2008-07-18 - 2009-09-02 - H01L21/28
  • 一种制造半导体器件的方法，使用蚀刻气体蚀刻电荷存储层，通过该蚀刻气体，隧道绝缘层比电荷存储层较少地蚀刻。因此，当图案化电荷存储层时，能够防止形成在电荷存储层下的隧道绝缘层受到损伤。制造半导体器件的方法包括：提供其上形成有由绝缘材料形成的隧道绝缘层和电荷存储层的半导体衬底；在电荷存储层上形成堆叠层；图案化堆叠层以暴露电荷存储层的一部分；使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl2)气体、氯化氢(HCl)气体或其混合气体中的一种，蚀刻暴露的电荷存储层。
  • 制造半导体器件方法
  • [发明专利]制作半导体器件的方法-CN200610098824.2无效
  • 金忠培 - 海力士半导体有限公司
  • 2006-07-13 - 2007-06-27 - H01L21/768
  • 制作半导体器件的方法，包括下列步骤：在其中形成包括漏的预定结构的半导体衬底之上形成层间绝缘层，蚀刻部分层间绝缘层以形成接触孔，然后在包括接触孔的整个结构上形成第一导电膜，毯覆式蚀刻第一导电膜使得第一导电膜保留在接触孔的表面上，在整个结构上形成第二导电膜，掩埋接触孔，然后利用层间绝缘层作为停止层来实施毯覆式蚀刻或CMP工艺，以及在整个结构上形成金属线层。
  • 制作半导体器件方法
  • [发明专利]制造半导体器件的方法-CN200510136238.8在审
  • 金忠培 - 海力士半导体有限公司
  • 2005-12-23 - 2006-10-04 - H01L21/822
  • 一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的预定区域中形成沟槽；在所述沟槽之内形成将所述器件的有源区和场区分隔开的隔离结构；以及蚀刻所述半导体衬底的暴露区域使得所述暴露区域具有弯曲表面。在本发明的一特定实施例中，执行氧化工艺以补偿蚀刻半导体衬底之后在半导体衬底的暴露区域上的损伤，并执行用于除去由氧化工艺所生长的氧化层的湿法蚀刻工艺。在本发明的一特定实施例中，该蚀刻工艺可以包括湿法或干法蚀刻工艺。
  • 制造半导体器件方法
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  • 共 3 条
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