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[发明专利]面阵激光雷达、激光器模块及探测器模块-CN202110228223.3在审
发明人：姜波;金元浩;赵忠尧 -专利权人：锐驰智光（北京）科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明公开了一种面阵激光雷达、激光器模块及探测器模块，所述面阵激光雷达包括：激光器阵列、探测器阵列、激光光路调整装置以及信号光光路调整装置，所述激光器阵列为激光器线阵，所述激光器线阵沿第一方向设置，所述激光光路调整装置为彼此沿第一方向叠置的多个一对多分束通道，所述激光光路调整装置设置于所述激光器阵列前方，所述探测器阵列为探测器线阵，所述探测器线阵沿第二方向设置，所述信号光光路调整装置为彼此沿第二方向叠置的多个一对多分束通道，所述信号光光路调整装置设置于所述探测器阵列前方，所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。
激光雷达激光器模块探测器

[发明专利]用于分子检测的分子载体-CN201710807473.6有效
发明人：王营城;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于分子检测的分子载体，其包括：一基底；一中间层，设置于所述基底的表面；一金属层，设置于所述中间层远离基底的表面；其中，所述基底为一柔性基底；所述中间层包括一基板及多个设置在该基板上的图案化凸起，所述金属层设置于所述图案化凸起的表面；进一步包括一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构设置在所述图案化凸起的顶面与所述金属层之间。
用于分子检测载体

[发明专利]疏水窗户以及使用该疏水窗户的房子和汽车-CN201711433297.0有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： E06B7/14 文献下载
摘要：本发明提供一种疏水窗户，其包括一窗框、一设置于该窗框上的玻璃和一疏水膜，所述疏水膜设置于所述玻璃的表面；所述疏水膜包括一柔性衬底；一疏水层，所述疏水层设置于所述柔性衬底的表面，所述疏水层包括一基底以及设置于该基底表面上的图案化的凸起。
疏水窗户以及使用房子汽车

[发明专利]一种面阵激光雷达-CN201811512676.3有效
发明人：姜波;金元浩;赵忠尧 -专利权人：锐驰智光（北京）科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明公开了一种面阵激光雷达，所述面阵激光雷达包括：激光器阵列、探测器阵列、激光光路调整装置以及信号光光路调整装置。所述激光器阵列呈线阵排列，所述激光器阵列沿第一方向设置，所述激光光路调整装置为彼此沿第一方向叠置的多个平面光波导PLC，所述激光光路调整装置设置于所述激光器阵列前方，所述探测器阵列沿第二方向设置，所述信号光光路调整装置为沿第二方向叠置的多个平面光波导PLC，所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。
一种激光雷达

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710048821.6有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置。所述肖特基二极管包括：一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一碳纳米管结构。
薄膜晶体管

[发明专利]疏水窗户以及使用该疏水窗户的房子和汽车-CN201711432974.7有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： E06B7/14 文献下载
摘要：本发明提供一种疏水窗户，其包括一窗框、一设置于该窗框上的玻璃和一疏水膜，所述疏水膜设置于所述玻璃的表面，所述疏水膜包括一柔性衬底，该柔性衬底包括一柔性基底以及设置于该柔性基底表面上的图案化的第一凸起；以及一疏水层，所述疏水层设置于该柔性衬底具有图案化的第一凸起的表面。
疏水窗户以及使用房子汽车

[实用新型]基于碳纳米管结构的红外隐身布料及红外隐身衣服-CN201922374740.2有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种基于碳纳米管结构的红外隐身布料，其包括：一布料衬底；一红外光吸收体，该红外光吸收体设置在所述布料衬底上；所述红外光吸收体包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一层碳纳米管拉膜、一第二层碳纳米管拉膜和一第三层碳纳米管拉膜，所述第一层碳纳米管拉膜、第二层碳纳米管拉膜和第三层碳纳米管拉膜层叠设置，所述第一层碳纳米管拉膜、第二层碳纳米管拉膜和第三层碳纳米管拉膜中的每一层包括多个碳纳米管首尾相连且基本沿同一方向延伸，所述第一层碳纳米管拉膜和所述第二层碳纳米管拉膜中碳纳米管的延伸方向形成42度至48度的夹角，所述第一层碳纳米管拉膜和所述第三层碳纳米管拉膜中的碳纳米管的延伸方向形成84度至96度的夹角。
基于纳米结构红外隐身布料衣服

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710045812.1有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置。所述肖特基二极管包括：一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
薄膜晶体管

[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法-CN201710051536.X有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
肖特基二极管阵列制备方法

[发明专利]电子设备及制造其的方法-CN202010393025.8在审
发明人：金羊熙;李正浩;金元浩;朴素娟;李东炫;林亨哲 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种电子设备及制造电子设备的方法，所述电子设备包括显示单元和输入感测单元。显示单元包括绝缘层、信号线、连接到信号线的端部的垫和电路元件。绝缘层包括覆盖电路元件并暴露电路元件的至少一部分的第一绝缘层。输入感测单元包括第一导电层、第二导电层以及第二绝缘层，第二导电层包括感测图案，第二绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间。第二绝缘层暴露第一导电层的至少一部分。信号线的端部与垫之间的绝缘层被定义为垫绝缘层。垫绝缘层的最大厚度比第一绝缘层和第二绝缘层的厚度之和大。
电子设备制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114617.1有效
发明人：霍雨佳;赵宇丹;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一栅极，所述栅极设置于所述基底的一表面；一电介质层，所述电介质层将所述栅极覆盖；所述电介质层包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一半导体层，所述半导体层设置于所述电介质层远离所述基底的表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管具的迟滞曲线明显减小甚至消除。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114659.5有效
发明人：霍雨佳;赵宇丹;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面；所述电介质层包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管的迟滞曲线明显减小甚至消除。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种逻辑电路-CN201611114838.9有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种逻辑电路，其包括两个双极性的薄膜晶体管，且每个双极性的薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层；一源极和一漏极；一电介质层，所述电介质层为双层结构，其包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一栅极；所述两个双极性的薄膜晶体管的栅极电连接，且所述两个双极性的薄膜晶体管的源极或漏极电连接；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管的迟滞曲线明显减小甚至消除；采用减小或消除迟滞曲线的薄膜晶体管制备的逻辑器件具有优异的电学性能。
一种逻辑电路

[实用新型]基于碳纳米管结构的红外探测器及红外成像仪-CN201922374773.7有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：一种基于碳纳米管结构的红外探测器，其包括：一红外光吸收体，用于吸收红外光并将该红外光转化为热量；一热电元件，所述红外光吸收体设置在该热电元件上；一电信号检测器，用于检测所述热电元件的电学性能的变化；所述红外光吸收体包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一层碳纳米管拉膜、一第二层碳纳米管拉膜和一第三层碳纳米管拉膜，所述第一层碳纳米管拉膜、第二层碳纳米管拉膜和第三层碳纳米管拉膜层叠设置，所述第一层碳纳米管拉膜、第二层碳纳米管拉膜和第三层碳纳米管拉膜包括多个在碳纳米管的延伸方向上首尾相连且沿同一方向延伸的碳纳米管，所述第一层碳纳米管拉膜和所述第二层碳纳米管拉膜中碳纳米管的延伸方向形成42度至48度的夹角。
基于纳米结构红外探测器红外成像

[发明专利]显示面板-CN202010190972.7在审
发明人：李正浩;金旼柱;金元浩;李根洙;蔡敬赞 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示面板包括：包括第一区域、第二区域以及在第一区域与第二区域之间的第三区域的基板；在第二区域中并且包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的中间层的堆叠结构；在第三区域中并且将包含在中间层中的至少一个有机材料层分离的槽；以及在第三区域中并且包括与槽重叠的第一开口的至少一个金属层，其中槽被限定在包括有机层和在有机层上的无机层的多层膜中，并且至少一个金属层在基板与多层膜之间。
显示面板