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[发明专利]半导体存储器件-CN200610148589.5无效
发明人： 野田浩正;藤泽宏树 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：公开了一种配置来根据具有时钟周期的时钟信号，延迟输入信号的半导体存储器件。半导体存储器件包括参考信号发生器和延迟电路。配置参考信号发生器，以根据时钟信号产生参考信号。参考信号指示代表时钟周期的参考延迟时间。配置延迟电路，以根据参考信号，将输入信号延迟时间，产生延迟信号。通过用正整数乘以参考延迟时间，可获得延迟时间。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储装置-CN02829837.3无效
发明人：关口知纪;宫武伸一;阪田健;竹村理一郎;野田浩正;梶谷一彦 -专利权人：株式会社日立制作所;尔必达存储器株式会社;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明的直接读出放大器，在作为位线连接到栅极的差动对而动作的MOS晶体管和RLIO线之间，设置由在位线方向上布线的列选择线所控制的MOS晶体管而使其隔离，进而，把作为差动对而动作的MOS晶体管的源极连接到在字线方向上布线的共同源极线上。在读出动作时，通过利用列选择线和共同源极线仅在选择栅网上激活直接读出放大器，而大幅度地减少读出动作时的消耗电力。而且，从局部IO线隔离作为差动对动作的MOS晶体管的寄生电容，减少局部IO线的负载能力，实现读出速度的高速化。另外，降低读出动作中的局部IO线的负载能力的数据模式依赖性，使制造后的试验容易化。
半导体存储装置