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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]Nand闪存的映射表管理方法及其系统-CN201710357222.2有效
发明人：孙成思;孙日欣;李振华;赖永富 -专利权人：惠州佰维存储科技有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand闪存的映射表管理方法及其系统，方法包括：当将数据写入Nand闪存时，建立至少一个的一级映射表、二级映射表和三级映射表；判断所述一级映射表、二级映射表和三级映射表的个数是否超过预设个数；若是，则将预设个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至单芯片的内存中，将未存放在单芯片的内存中的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至Nand闪存中。只将一定个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放在单芯片的内存中，其余的则存放在Nand闪存中，可以减少映射表在单芯片的内存中的占用空间，降低单芯片的制作成本。
nand 闪存映射管理方法及其系统

[发明专利]改善Nand Flash存储性能的方法及其系统-CN201710186377.4有效
发明人：孙成思;孙日欣;李振华;王昭凯;赖声泓;王忠胜;赖永富 -专利权人：深圳佰维存储科技股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善Nand Flash存储性能的方法及其系统，方法包括：获取Nand Flash中各个块的抹除次数；计算得到所述各个块的抹除次数的平均值；若存在预设第一个数的块的抹除次数小于所述平均值，且与所述平均值相差超过预设第一次数，则将所述预设第一个数的块的抹除次数更新为所述平均值。将抹除次数与平均值差距过大的块的抹除次数提高到平均值，虽然牺牲了这些块的抹除次数，但避免因为这些块的抹除次数过少，而系统为了达到磨损均衡而不断地做数据搬移和GC操作，通过节省系统搬移块的时间，提升系统性能。
改善 nandflash 存储性能方法及其系统

[发明专利]解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其系统-CN201710356561.9在审
发明人：孙成思;孙日欣;李振华;赖永富 -专利权人：惠州佰维存储科技有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其系统，方法包括当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。将发生错误的比特位超过预设值的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，可以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性。
解决 nand 闪存数据保持发生错误方法及其系统

[发明专利]一种增加TLCNand闪存使用周期的方法及其系统-CN201710123117.2在审
发明人：孙成思;孙日欣;李振华;赖永富;邱家扬;许志全 -专利权人：深圳佰维存储科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，方法包括判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。
一种增加 tlcnand 闪存使用周期方法及其系统

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