专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]预处理非磁性基板的方法及磁记录介质-CN200410091263.4无效
  • 郑用一;贝沼研吾;横泽照久 - 富士电机电子设备技术株式会社
  • 2004-12-01 - 2005-06-22 - C23C18/18
  • 本发明涉及预处理非磁性基板的方法,例如,涉及在玻璃基板上通过无电镀形成Ni-P层的方法,该玻璃基板是用于制造磁盘的非磁性基板。本发明要解决的问题是在是非磁性基板的玻璃基板上形成Ni-P镀层,该Ni-P镀层具有足以获得良好性能的磁记录层的厚度,粘着性、均匀性、和平滑度。通过预处理非磁性基板的方法解决了上述问题,该方法包括下述步骤:非磁性基板(1)的表面的脱脂和玻璃活化处理,在基板表面上涂布镍螯合剂或镍皂剂,含镍试剂的金属化烘焙处理,形成镍粘合层(2)的金属化镍膜的活化处理,在镍粘合层上形成钯催化剂层(3)的处理,在钯催化剂层上通过在磷浓度为1-13wt%的范围内的无电镀形成Ni-P镀层(4),和热处理。
  • 预处理磁性方法记录介质

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