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[发明专利]一种存储器件及其制造方法-CN202010255430.3有效
发明人：郭祥浩;刘传星;陈峰;夏洪锋;苏进;关皓伟;任殿升;邰连梁;周大锋;李广仁;谢长倩 -专利权人：深圳朗田亩半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本申请提供一种转换设备、存储器件及其制造方法，存储器件可以包括DDR存储层、DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层，外围接口层可以包括GDDR接口层或PCIe接口层。其中，转换逻辑电路层可以将利用外围接口层获取的数据利用DDR存储逻辑进行处理，而后传输至DDR接口层，或者将利用DDR接口层获取的数据利用GDDR存储逻辑进行处理，而后传输至外围接口层，DDR存储层和DDR接口层可以连接，这样，转换逻辑电路层可以对数据进行DDR和GDDR存储逻辑的转换，DDR存储层的数据可以经过转换逻辑电路层从外围接口层输出，从外围接口层输入的数据可以经过转换逻辑电路层存储至DDR存储层，使存储器件在成本较低的DDR的基础上实现GDDR的功能，降低了存储器件的成本。
一种存储器件及其制造方法

[发明专利]一种芯片及测试该芯片的方法-CN201310060228.5有效
发明人：边慧;付家喜;邰连梁;胡盛泉;任殿升;陈峰;储超群;刘清卫;李广仁;谢长倩 -专利权人：龙迅半导体科技（合肥）有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片及测试该芯片的方法，所述方法包括：所述第一发送装置接收所述测试装置发送的第一测试信号，将其转换成第二测试信号，并将所述第二测试信号发送到所述芯片外部；所述第一接收装置接收所述第二测试信号，并将其转发至所述第二发送装置；所述第二发送装置接收所述第二测试信号，将所述第二测试信号转换成第三测试信号，并将其发送到所述芯片外部；所述第二接收装置接收所述第三测试信号，并将其返回至所述测试装置；所述测试装置比较所述第三测试信号与所述第一测试信号是否一致，如果是，则所述芯片功能和性能正确。这样测试信号在芯片外部形成回路，可以采用一条测试路径测试多个装置的功能和性能是否正确。
一种芯片测试方法