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[实用新型]一种钢管再生块体混凝土装配结构-CN202320967082.1有效
发明人： 许荣彬;颜桂云;叶建峰;张添彬;林相儒 -专利权人：福建工程学院;飞阳建设工程有限公司;福建全立建设发展有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： E04B1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢管再生块体混凝土装配结构，具体涉及再生混凝土领域，包括支撑钢管和再生混凝土，再生混凝土固定安装在支撑钢管的内部，支撑钢管的顶部固定连接有承重板，承重板的内部固定安装有剪力钉，支撑钢管的内部固定连接有限位管，限位管的内部设有配重滚球，配重滚球的一侧设有活动推板，活动推板滑动连接在限位管的内壁，活动推板的一侧固定连接有螺纹滑柱，螺纹滑柱的外壁滑动连接有支撑板。本发明通过设置了配重滚球和螺纹转环，当发生地震时，配重滚球就会推动活动推板使螺纹滑柱进行移动，最终使活动齿条带动活动挤压板挤压剪力钉，解决了发生地震时剪力钉脱落导致钢管倾倒存在安全隐患的问题。
一种钢管再生块体混凝土装配结构

[实用新型]一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器-CN202223453199.2有效
发明人：张保平;徐欢;李青璇;许荣彬;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。
一种基于氮化物半导体垂直发射激光器

[发明专利]一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法-CN202211661483.0在审
发明人：张保平;徐欢;李青璇;许荣彬;梅洋;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。本发明工艺简单，散热性好。
一种基于氮化物半导体垂直发射激光器制备

[发明专利]基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法-CN202110485561.5在审
发明人：龙浩;陈衍晖;张保平;梅洋;许荣彬 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，激光器包括依序层叠设置的支撑基板、第一反射镜、电流限制层、p型层、有源区、n型层、第二反射镜以及n电极；其中，第一反射镜、第二反射镜分别由p型、n型导电性氧化物DBR构成；本发明使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜，作为氮化物垂直腔面发射激光器的反射镜，具有优良的导电性能，能够同时作为激光器电极使用，同时，本发明激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构，从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺；本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容，可以满足大规模光电器件制备与集成的需要，有着广泛的应用前景。
基于导电氧化物 dbr 氮化物垂直发射激光器制作方法

[发明专利]一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法-CN201910514858.2有效
发明人：张保平;梅洋;许荣彬;徐欢;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
一种注入谐振腔发光器件及其制备方法

[发明专利]一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法-CN201910608744.4有效
发明人：应磊莹;王灿;张保平;许荣彬;徐欢 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
一种 gan 垂直发射激光器制备方法

[发明专利]一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器-CN201710326448.6有效
发明人：张保平;许荣彬;梅洋;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
一种基于氮化材料波长同时发射激光器

[发明专利]一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器-CN201810315250.2有效
发明人：张保平;许荣彬;梅洋;徐欢;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO₂电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO₂/SiO₂、Ta₂O₅/SiO₂或Ti₃O₅/SiO₂。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱In_XGa_1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。
分布布拉格反射镜量子阱蓝光发射激光器绿光电极电流限制层材料组合反射率增益谱势垒势阱铜衬覆盖

[发明专利]全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法-CN201710609195.3有效
发明人：张保平;梅洋;许荣彬;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO₂电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO₂电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO₂电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。
介质 dbr 结构氮化发射激光器制备方法

[发明专利]一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源-CN201711072492.5在审
发明人：张保平;梅洋;许荣彬;翁国恩;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。
一种发光波长调谐 gan 垂直发射光源

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