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[发明专利]一种切割保护材料、其制备方法与应用-CN202310755770.6在审
发明人：侯军;褚雨露;马超男;张楠 -专利权人：江苏奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09D139/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种切割保护材料、其制备方法与应用，切割保护材料包括：5～35份的水溶性树脂、0.5～5份的增塑剂和2～10份的有机溶剂。本申请的切割保护材料中包括了具有吡咯烷酮基结构单元和酯基结构单元的水溶性树脂，该水溶性树脂成膜性优异，能够适应于不同形状的基材并贴合于基材的表面，以在基材表面形成完整的保护膜；同时，在增塑剂的协同作用下，增加了膜层的柔韧性，以使该切割保护材料适用于复杂芯片的立体结构。
一种切割保护材料制备方法应用

[发明专利]一种金刚线切割液、其制备方法与应用-CN202310771377.6在审
发明人：侯军;孙瑶;李传友;褚雨露 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C10M173/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种金刚线切割液、其制备方法与应用，以质量份计，切割液包括：10～30份的表面活性剂、10～20份的润湿剂、10～30份的渗透剂、0.5～5份的消泡剂和30～50份的超纯水。本申请的切割液中同时具有含碳氟链的表面活性剂和含碳氢链的表面活性剂，使得切割液具有更加优异的润湿性，有效减少硅片厚度不均以及切割过程的卡线问题；且上述的两种表面活性剂复配后还提高了切割液的缓蚀效果，有效减少切割过程的金刚线断线问题。本申请的切割液具有优异的切割能力，能够起到很好的防腐蚀效果，并有效保护金刚线，保证了切割质量与效率。
一种金刚切割制备方法应用

[发明专利]光吸收剂、含有该光吸收剂的激光保护液及其制备方法-CN202310794527.5在审
发明人：侯军;褚雨露;于天佳;张楠 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种光吸收剂、含有该光吸收剂的激光保护液及其制备方法。所述光吸收剂包含有机氟硼络合物或其盐；其中，所述有机氟硼络合物具有以下结构：#imgabs0#本发明的光吸收剂在可见光区和紫外区均存在吸收峰。并且，本发明的光吸收剂成盐后为水溶型，可以溶解于水中，不需额外加入pH调节剂或络合剂帮助溶解，有效避免芯片产生腐蚀。
吸收剂含有激光保护及其制备方法

[发明专利]一种氧化铝磨料、制备方法、用途及包含其的硅片研磨液和研磨方法-CN202210455509.X有效
发明人：侯军;李传强;褚雨露;孙西 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01F7/441 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铝磨料、制备方法、用途及包含其的硅片研磨液和研磨方法。所述氧化铝磨料是二维片状类圆形氧化铝磨料，是由硝酸铝、尿素、氨水、十二烷基醚硫酸钠和柠檬酸钠水热合成，其表面形貌多孔且平滑无尖锐棱角，颗粒大小均匀，粒径尺寸分布窄。所述硅片研磨液包括重量配比如下的各组分：分散剂0.1‑5份、多元醇0.1‑10份、pH调节剂1‑10份、悬浮剂0.1‑5份、表面活性剂0.05‑0.1份、防锈剂0.001‑0.05份、消泡剂0.05‑0.5份、氧化铝磨料10‑20份、α相氧化铝5‑20份、水60‑80份。本发明硅片研磨液具有磨料悬浮性好、不易划伤和研磨效率高的优点。
一种氧化铝磨料制备方法用途包含硅片研磨

[发明专利]一种晶圆保护涂层清洗设备-CN202211003619.9有效
发明人：侯军;褚雨露;张楠;贺剑锋;李传友 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-08-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆保护涂层清洗设备，属于半导体清洗设备技术领域，包括钢结构框架，钢结构框架内设有浸泡箱体、喷淋箱体和清洗箱体，钢结构框架上设有行走框架，行走框架上安装有升降提篮，升降提篮内固定安装有若干个夹持盘，每个夹持盘上均设有若干个用于夹持晶圆的夹爪；清洗箱体的底部设有升降柱，升降柱的顶端固定安装有回转盘，回转盘的上表面设有若干个吸盘，升降柱的底端通过旋转接头连接真空泵，清洗箱体内设有清洗液喷淋管，清洗箱体的顶部封盖有盖板，清洗箱体的底部设有排液管。本发明解决了晶圆无法有序稳固、无法实现封闭状态下清洗，导致浸泡和清洗效果不好的技术问题，广泛应用于晶圆保护涂层清洗中。
一种保护涂层清洗设备

[发明专利]一种研磨液、制备方法及用途-CN202310581761.X在审
发明人：侯军;李传强;褚雨露;单晓倩 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨液、制备方法及用途，所述研磨液包括重量配比如下的各组分：油性溶剂50‑90份；分散剂1‑10份；触变剂1‑5份；悬浮增效剂1‑5份；稳定剂0.1‑0.5份；电荷斥力剂0.1‑0.5份；纳米粒子0.01‑0.1份；金刚石磨料10‑20份。本发明研磨液适用于蓝宝石、氮化铝、氮化镓或单晶金刚石衬底的精密研磨。本发明研磨液在长时间剪切作用下，磨料仍保持良好的悬浮，具有循环寿命长，磨削效率高的优点；本发明研磨液具有优异的分散作用，能有效地将研磨过程产生的纳米颗粒分散开，避免吸附到磨料表面，避免产生团聚大颗粒，降低研磨产生的划伤。因此，本发明研磨液具有良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
一种研磨制备方法用途

[发明专利]一种晶圆切割保护液、制备方法、用途及切割方法-CN202210867249.7有效
发明人：侯军;张楠;褚雨露;贺剑锋;李传友 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种水溶性晶圆切割保护液、制备方法、用途和使用其的晶圆切割方法，所述保护液包含聚乙烯醇，所述聚乙烯醇需满足如下条件(i)‑(iii)中的至少一个：(i)、聚合度为300‑2000；(ii)、醇解度为75‑95；(iii)、嵌段分布系数η1.2。该切割保护液通过对其中聚乙烯醇多个特定参数的特定限定，以及结合成膜助剂的协同促进，从而可以取得优异的诸多性能，在半导体晶圆加工技术领域中具有良好的应用潜力。
一种切割保护制备方法用途

[发明专利]一种薄硅片金刚线切割液、制备方法与用途-CN202310457524.2在审
发明人：侯军;褚雨露;李传友;吕婧;李新阳 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C10M173/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄硅片金刚线切割液、制备方法与用途。其中，以质量份计，切割液包括：润湿剂5‑15份；渗透剂20‑35份；润滑剂10‑15份；消泡剂0.5‑3份；分散剂1‑5份；去离子水40‑60份。本申请的切割液在润湿剂和渗透剂相互协同的作用下，具有安全、环保、清洁、高润湿分散、对硅片无腐蚀的特点，可应用于110‑130μm厚度的太阳能硅片的切割工艺中，保证了良好的切割力，并可以提高切割效率。
一种硅片金刚切割制备方法用途

[外观设计]店铺招牌（巴比手工牛肉大包）-CN202330147896.6有效
发明人： 褚雨露 -专利权人：中饮巴比食品股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： 20-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：店铺招牌（巴比手工牛肉大包）。2.本外观设计产品的用途：用于店铺招牌。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
店铺招牌手工牛肉大包

[发明专利]CMOS影像感应器防污染和防划伤的保护液及专用清洗液-CN202211291177.2有效
发明人：侯军;贺剑锋;褚雨露;张楠 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C09D135/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够防止晶圆上CMOS影像感应器受到污染和划伤的保护液、其制备方法、使用方法和专用于其的清洗液和清洗方法，所述保护液包含特定的非水溶性树脂和改性剂。该保护液通过包含特定限制的非水溶性树脂以及其它组分的相互作用，从而可以特别适用于其上具有CMOS影像感应器与其上的晶圆的切割保护，且所述清洗液具有优异的清洗性能，从而所述保护液和清洗液可应用到半导体加工领域中，具有广泛的应用前景和推广价值。
cmos 影像感应器污染划伤保护专用清洗

[发明专利]一种研磨助剂、制备方法、用途及包含其的研磨液-CN202310109882.4在审
发明人：侯军;李传强;褚雨露;孙西 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨助剂、制备方法、用途及包含其的研磨液。所述研磨助剂包括重量配比如下的各组分：分散剂1‑10份；静电斥力剂0.1‑1份；两亲性溶剂30‑50份；亲油性溶剂5‑20份；亲水性溶剂20‑40份；润湿剂0.5‑1份；软化剂0.1‑1份。包含有本发明研磨助剂的研磨液具有高分散、高效率、易清洗的特点，长时间磨料也能保持悬浮与分散、润湿铺展能力强，移除速率快、加工的碳化硅表面粗糙度低，且无明显划伤。本发明研磨助剂分散作用优异，能有效将研磨过程产生的纳米颗粒分散开，避免吸附到磨料表面，进而显著提高磨料寿命。
一种研磨助剂制备方法用途包含

[发明专利]双组份基液、切割保护液、制备方法、用途及切割方法-CN202210728572.6有效
发明人：侯军;贺剑锋;褚雨露;张楠;李传友 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅晶圆激光切割的双组份基液以及包含该基液的激光切割保护液、制备方法、用途和硅晶圆激光切割方法，所述双组份基液包括特定醇解度和特定聚合度的聚乙烯醇和改性剂硅酸酯类化合物，优选醇解度为80‑100、聚合度300‑3000，以及优选所述硅酸酯类化合物为正硅酸乙酯，所述切割保护液具有优异的多种性能如耐低温性、成膜迅速、易于清洗、高透光度、高稳定性等，从而可用于半导体芯片的加工领域中，应用前景广阔，可显著改善产品良率。
双组份基液切割保护制备方法用途

[发明专利]一种高润湿、高分散、高悬浮、易清洗的研磨助剂、制备方法、用途及包含其的研磨液-CN202310109880.5在审
发明人：侯军;李传强;褚雨露;单晓倩 -专利权人：大连奥首科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高润湿、高分散、高悬浮、易清洗的研磨助剂、制备方法、用途及包含其的研磨液。本发明研磨助剂采用分散剂‑防沉剂‑电荷斥力剂‑润湿剂‑消泡剂‑两亲性溶剂复配，并与软硬磨料混合得到研磨液。本发明研磨助剂具有极高的表面动态润湿、渗透能力，不易产生泡沫，能快速在砷化镓表面铺展，并且能快速渗透到砷化镓表面的微裂缝中，形成劈裂效果，提升研磨效率；同时对磨料具有良好的分散和防沉作用，避免研磨过程中不同微粉和磨屑的团聚，能使不同种类磨料在研磨液中分布均匀，长久保持悬浮状态，研磨时砷化镓受力均匀，研磨速率快，研磨后表面粗糙度低，TTV低，平整度好且无明显划痕，易清洗，表面无杂质残留。
一种润湿分散悬浮清洗研磨助剂制备方法用途包含

[发明专利]一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用-CN202211675936.5在审
发明人：侯军;马超男;褚雨露;张楠 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09D133/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用，组合物以质量份计，包括：水溶性树脂20‑35份；流平剂0.05‑0.3份；紫外线吸收剂0.1‑0.5份；缓蚀剂0.1‑3份；增塑剂2‑10份；有机溶剂45‑70份；去离子水15‑30份；其中，水溶性树脂包括亲水基团，亲水基团选自羟基、酰胺基、羧基中的任一种或多种。本申请采用具有酰胺基、羟基、羧基等亲水基团且分子量介于50000‑80000的水溶性树脂，提高了组合物在晶圆表面的成膜性，能够适应不同形状的晶圆基材，并且由于以上亲水基团的存在，使得组合物形成的保护膜在切割工艺完成后能够被水溶解并快速清洗去除，大幅提高制备工艺的效率。
一种组合制备方法及其激光切割中的应用

[实用新型]一种晶圆保护涂层清洗装置-CN202222198668.4有效
发明人：侯军;褚雨露;张楠;贺剑锋;李传友 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-08-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆保护涂层清洗装置，属于半导体清洗设备技术领域，包括清洗箱体，所述清洗箱体的底部设有由第一动力机构驱动且竖向升降的升降柱，所述升降柱连接驱动所述升降柱绕回转中心转动的第二动力机构，所述升降柱的顶端固定安装有回转盘，所述升降柱具有中心通孔，所述回转盘的上表面设有若干个吸盘，所有吸盘与所述中心通孔连通，所述升降柱的底端通过旋转接头连接真空泵，所述清洗箱体内设有清洗液喷淋管，所述清洗箱体的顶部封盖有盖板，所述清洗箱体的底部设有排液管。本实用新型解决了晶圆无法无法实现封闭状态下清洗，导致清洗效果不好清洗效率低的技术问题，广泛应用于晶圆保护涂层清洗中。
一种保护涂层清洗装置

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