专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]具备弓跟支撑功能的鞋垫-CN201620930458.1有效
  • 包宇天;伍卫;孟世华;牟颖;于佳琳;薛恺 - 杭州安足科技有限公司
  • 2016-08-23 - 2017-04-26 - A43B17/00
  • 本实用新型公开了一种具备弓跟支撑功能的鞋垫,包括本体,所述本体包括相互贴合的弹性层和透气层,所述本体还包括设置于所述弹性层与所述透气层之间的弓跟支撑部;所述弓跟支撑部包括用于与足跟的边缘部分相配合的环形支撑件、以及用于与足弓相配合的条形支撑件。本实用新型提供的鞋垫,本体的弹性层和透气层之间设置弓跟支撑部,弓跟支撑部包括与足跟的边缘相配合的环形支撑件、以及与足弓相配合的条形支撑件,如此在该鞋垫在使用过程中,足弓得到充分的支撑,从而提升鞋垫的使用感受。
  • 具备支撑功能鞋垫
  • [实用新型]具备差异硬度的鞋垫-CN201620937258.9有效
  • 包宇天;伍卫;孟世华;牟颖;于佳琳;薛恺 - 杭州安足科技有限公司
  • 2016-08-23 - 2017-03-22 - A43B17/02
  • 本实用新型公开了一种具备差异硬度的鞋垫,包括本体,所述本体包括依次贴合的耐磨层、功能层以及透气层,所述功能层包括与脚掌相配合的脚掌段、以及与脚后跟和足弓相配合的弓跟段,所述脚掌段和弓跟段为一体式结构,所述弓跟段的硬度大于所述脚掌段的硬度。本实用新型提供的鞋垫,其中的功能层采用复合结构,其包括硬度不同的两段,且其中与脚掌配合的脚掌段的硬度小于与脚后跟和足弓相配合的弓跟段的硬度,如此区别对待脚底的不同部位,从而为使用者的提供更好的使用体验。
  • 具备差异硬度鞋垫
  • [发明专利]SAW滤波器的封装结构及其制作方法-CN201610975480.2在审
  • 姜峰;薛恺 - 无锡吉迈微电子有限公司
  • 2016-11-07 - 2017-03-15 - H03H9/25
  • 本发明提供一种SAW滤波器的封装结构,包括基体,在基体中设有连通基体正面和背面的通孔,在基体正面表面、背面表面,以及通孔侧壁覆盖有绝缘层;在基体正面的绝缘层上覆盖压电材料;在基体正面和背面对应通孔的部位分别设有正面引出电极和背面引出电极;正面引出电极和背面引出电极通过通孔内的金属导电结构连接;正面引出电极位于压电材料表面,背面引出电极位于基体背面的绝缘层表面;正面引出电极以及正面引出电极外侧的SAW滤波器边缘被粘胶覆盖;盖板压在粘胶之上;盖板与基体正面的压电材料之间具有空腔;空腔中的压电材料表面设有换能器电极;在背面钝化层上对应背面引出电极的部分位置开口制作焊球引出电极;该封装结构成本低、可靠性高。
  • saw滤波器封装结构及其制作方法
  • [发明专利]用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺-CN201410131113.5有效
  • 薛恺;张文奇 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2014-04-02 - 2017-02-15 - H01L21/768
  • 本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺,包括下述步骤提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底;对衬底进行背面减薄,并利用刻蚀工艺使得TSV背面端头突出于衬底背部表面;在衬底背面涂覆一层背面介质层,覆盖衬底背面和突出衬底背部表面的TSV背面端头;利用CMP工艺对背面介质层进行平坦化处理并使TSV露出;利用刻蚀工艺处理露出的TSV,形成TSV和背面介质层的台阶;在衬底背面淀积粘附层和种子层;利用TSV和介质层的台阶进行微凸点或RDL光刻对准,完成制作微凸点或RDL工艺。本发明可避免金属对硅衬底的沾污,能够保证制作微凸点或RDL时的光刻精度。
  • 用于tsv背面漏孔介质对准工艺
  • [实用新型]具备足弓支撑功能的鞋垫-CN201620932227.4有效
  • 包宇天;伍卫;孟世华;牟颖;于佳琳;薛恺 - 杭州安足科技有限公司
  • 2016-08-23 - 2017-02-15 - A43B17/00
  • 本实用新型公开了一种具备足弓支撑功能的鞋垫,包括相对设置的透气层和耐磨层,还包括与脚后跟和足弓相配合的足弓支撑层,所述足弓支撑层位于所述透气层和耐磨层之间,所述足弓支撑层上设置有与所述足弓相配合的隆起支撑部,所述耐磨层上与所述隆起支撑部相对的部位开设有避让槽。本实用新型提供的鞋垫,其上设置有足弓支撑层,足弓支撑层上设置有与足弓的隆起部位相配合的隆起支撑部,在使用时隆起支撑部为足弓提供良好的支撑力,从而提升鞋垫的使用体验。
  • 具备足弓支撑功能鞋垫
  • [实用新型]自行载药的长时透皮给药及取样装置-CN201521083266.3有效
  • 薛恺 - 无锡吉迈微电子有限公司
  • 2015-12-22 - 2016-07-06 - A61M37/00
  • 本实用新型提供一种自行载药的长时透皮给药及取样装置,包括一基板,在基板的正面制作有微针,基板的背面设有用于存储药物或取样物的存储腔;在微针根部开有连通存储腔和基板正面的传输通道;沿微针的表面,开有至少一个内凹的导流槽;所述导流槽与传输通道连通;导流槽自基板背面存储腔底部向下至少延伸至微针穿刺皮肤深度之处。还包括一个盖合在基板背面存储腔上方的盖板。所述盖板为柔性盖板;或所述盖板为刚性盖板。所述盖板内集成有用于药物释放或体液/血液取样的控制装置;本实用新型可延长给药时间,减少用药次数,并且突破了表皮药物透过率低的限制,给药的效果更好。
  • 自行长时透皮取样装置
  • [发明专利]自行载药的长时透皮给药及取样装置-CN201510968742.8在审
  • 薛恺 - 无锡吉迈微电子有限公司
  • 2015-12-22 - 2016-03-09 - A61M37/00
  • 本发明提供一种自行载药的长时透皮给药及取样装置,包括一基板,在基板的正面制作有微针,基板的背面设有用于存储药物或取样物的存储腔;在微针根部开有连通存储腔和基板正面的传输通道;沿微针的表面,开有至少一个内凹的导流槽;所述导流槽与传输通道连通;导流槽自基板背面存储腔底部向下至少延伸至微针穿刺皮肤深度之处。还包括一个盖合在基板背面存储腔上方的盖板。所述盖板为柔性盖板;或所述盖板为刚性盖板。所述盖板内集成有用于药物释放或体液/血液取样的控制装置;本发明可延长给药时间,减少用药次数,并且突破了表皮药物透过率低的限制,给药的效果更好。
  • 自行长时透皮取样装置
  • [发明专利]一种超薄硅基板的制作工艺和结构-CN201510107561.6在审
  • 上官东恺;张文奇;薛恺 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2015-03-11 - 2015-06-03 - H01L21/02
  • 本发明提供一种超薄硅基板的制作工艺,包括下述步骤:S1,提供一硅基板;S2,在硅基板的背面制作应力槽和分割槽;分割槽位于待划分的基板单元之间;确保每个待划分的基板单元对应的硅基板背面区域至少有一个应力槽;S3,在硅基板的背面覆盖一保护层,保护层的材料填充硅基板背面的应力槽和分割槽;S4,对硅基板的正面进行减薄;S5,在硅基板的正面制作正面结构,且在所述正面结构中开用于后续步骤划片的划片槽,划片槽的位置与分割槽相对应;S6,利用硅基板正面结构中的划片槽和硅基板中的分割槽进行划片,将整块硅基板分割为各个基板单元。本发明用于制备电子器件超薄封装结构所需要的硅基板。
  • 一种超薄硅基板制作工艺结构
  • [发明专利]免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺-CN201510090226.X在审
  • 薛恺;李昭强;张文奇 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2015-02-27 - 2015-05-20 - H01L21/768
  • 本发明提供一种免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺,包括下述步骤:S1.提供一完成正面工艺的器件晶圆;器件晶圆包括衬底和衬底中的TSV盲孔;S2.提供一载片晶圆,利用临时键合工艺将器件晶圆正面与载片晶圆进行键合,形成临时键合体;S3.对器件晶圆的衬底背面进行机械研磨,从而进行减薄;S4.对衬底背面进行刻蚀,使得TSV盲孔露出衬底背面;S5.在器件晶圆的衬底背面涂覆背面介质层,完全覆盖步骤S4中TSV盲孔露出部分;S6.利用机械研磨工艺处理背面介质层,使得TSV盲孔从背面介质层中露出。本发明避免了硅通孔背面露头过程中的CMP工艺,使工艺成本大幅降低,产出效率得到显著提高,同时具有背面介质层过孔的自对准效果。
  • cmp工艺硅通孔背面漏孔
  • [实用新型]多角度球阀扳手-CN201420194374.7有效
  • 薛友利;薛恺;冯玉博 - 薛友利
  • 2014-04-22 - 2014-11-05 - F16K5/08
  • 本实用新型涉及一种多角度球阀扳手,包括扳手工作端及其连为一体的扳手柄部,其中,扳手工作端设有与球阀阀杆头相适配的套孔,套孔的中心轴线与扳手柄部轴线之间的夹角为β=30°~45°。该扳手能够起到使用中避开障碍物的作用,并能方便快捷准确的进行球阀开关到位工作,从而有效解决了扳手在开启或关闭球阀时受空间位置限制的影响以及操作费力费时困难的现状。具有设计简单合理、使用方便、工作效率高等优点。
  • 角度球阀扳手
  • [实用新型]球阀远距开关标识限位器-CN201420194367.7有效
  • 薛友利;薛恺;胡海燕;金娟 - 薛友利
  • 2014-04-22 - 2014-11-05 - F16K37/00
  • 本实用新型涉及一种球阀远距开关标识限位器,该限位器采用周边为圆弧状的平板结构,并在限位器的一侧设有开、关限位凸齿,其中一个限位齿为长条状。通过限位器上设置明显的开关指示标识,使得巡回安检人员不用趴在球阀跟前就能很容易识别阀门是否处在正常的开启或关闭位置,并在八米开外仍能一目了然的清晰识别出球阀的开启、关闭是否正常,巡查十分方便,大大方便了巡检人员的工作。
  • 球阀开关标识限位器
  • [发明专利]一种新型大马士革铜铜键合结构的制作方法-CN201310721130.X有效
  • 薛恺;于大全 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-04-30 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种新型大马士革铜铜键合结构的制作方法,有效降低了铜柱表面粗糙度,提高了微凸点的表面平整度,保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致,满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求,在后续的微组装工艺中不用做底填工艺,在降低工艺复杂度的同时,提高键合结构的可靠性,其特征在于:(1)在晶圆表面制作粘附层和种子层;(2)在晶圆表面淀积铜层;(3)对铜层进行图形化;(4)去除微凸点位置以外的铜形成微凸点结构;(5)去除微凸点区域以外的粘附层形成电隔离的微凸点结构;(6)去除光刻胶得到微凸点结构;(7)在微凸点结构间填充涂覆介质层;(8)对晶圆表面进行处理得到高度均匀,表面平坦光滑的介质层和外露的微凸点结构。
  • 一种新型大马士革铜铜键合结构制作方法
  • [发明专利]一种铜铜键合凸点的制作方法-CN201310721054.2有效
  • 薛恺;于大全 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-04-16 - H01L21/60
  • 本发明提供了一种铜铜键合凸点的制作方法,有效降低了铜柱表面粗糙度,提高了微凸点的表面平整度,同时保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致,满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求;其特征在于:包括以下步骤:(1)在晶圆表面制作粘附层和种子层;(2)在晶圆表面淀积铜层;(3)对晶圆表面的铜层进行处理,改善铜表面粗糙度和平整度;(4)利用光刻工艺对铜层进行图形化;(5)去除微凸点位置以外的铜,在晶圆上形成微凸点结构;(6)去除晶圆表面微凸点区域以外的粘附层材料,形成电隔离的微凸点结构;(7)去除晶圆表面的光刻胶,得到高度均匀,表面平坦光滑的微凸点结构。
  • 一种铜铜键合凸点制作方法
  • [发明专利]一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法-CN201310718949.0有效
  • 薛恺;于大全 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2013-12-23 - 2014-04-02 - H01L23/522
  • 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法,属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述基于TSV工艺的转接板深槽电容,包括衬底;所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面;所述衬底的掺杂区域内设有电容槽,电容槽的槽底位于所述掺杂区域内;电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体,所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触;衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极,第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触,第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑,工艺步骤简便,能在转接板上制造高密度电容,工艺兼容性好,安全可靠。
  • 一种基于tsv工艺转接板深槽电容及其制造方法

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