“蔡金甫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种InS@ZnS量子点的全光波长转换器-CN201621105985.5有效
发明人：陈文勇;蔡金甫;张寒香;张青松;钟小怡;刘佳维;胡涛 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G02F2/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种InS@ZnS量子点的全光波长转换器，包括激光器、第一光连接器、InS@ZnS量子点材料、TiO2胶体、第二光连接器和光谱仪；激光器的输出端通过第一光纤与第一光连接器的输入端连接；第一光连接器的输出端与量子点材料的输入端连接；InS@ZnS量子点材料的输出端与第二光连接器的输入端连接；第二光连接器的输出端通过第二光纤与光谱仪的输入端连接。本实用新型利用量子点材料的宽吸收谱、窄发射谱，光电转化效率搞等的特点来实现光波长转换效率高，稳定性好。
一种 ins zns 量子波长转换器

[发明专利]一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池-CN201610902997.9在审
发明人：陈文勇;张芹;蔡金甫;刘佳维;龚振东 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池，其特征在于：稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n‑型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分，它不仅是p‑型半导体材料的支撑或吸附载体，而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n‑型半导体，具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子‑空穴复合率等诸多优点，使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p‑型有机聚合物半导体材料与n‑型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题，导致p‑型有机材料中的光生子注入n‑型半导体CB的效率降低，因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值，适用于商业化生产。
一种稀土掺杂 tio2 太阳电池