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[发明专利]一种基于氧化锌纳米棒的场发射氢传感器及其制备方法和应用-CN202110983328.X有效
发明人：钱维金;董明亮;董长昆 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化锌纳米棒的场发射氢传感器及其制备方法和应用，其技术方案是包括有场发射阴极和场发射阳极，所述场发射阴极包括有基底、在基底上旋涂设置的ZnO晶种层、以及在基底上的ZnO晶种层上生长的ZnO纳米棒阵列，该场发射阴极在10‑7‑10‑3Pa氢气分压下，氢气在场发射阴极表面的吸附会使得同等场强下发射电流增强，从而具有氢传感特性。本发明的优点是：该方法具有稳定、微型、结构简洁、恢复快等优点，另外，与传统的碳纳米管制备技术(化学气相沉积法)相比，氧化锌纳米棒采用水热法制备，无需使用过渡金属催化剂，温度较低(70‑95℃)，成本较低，还可以大面积生长。
一种基于氧化锌纳米发射传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源及其制备方法-CN202110487314.9有效
发明人：祝维;董长昆;钱维金;黄卫军 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源及其制备方法，其技术方案是包括以下步骤：(1)在镍基片表面镀上金属铂层；(2)在保护气体保护下，利用脉冲激光以负离焦对镀有金属铂镍基片的表面进行点烧蚀，负离焦烧蚀时激光焦点在镍基片内部，使内部镍金属融化，在镍金属蒸汽的推动作用下流向镍基片表面冷却后形成球壳；(3)利用化学气相沉积法在镍基底的激光烧蚀形成的球壳上直接生长碳纳米管阴极薄膜。本发明该微焦点电子源具有开启电场低(1V/μm)、电流密度高(～1A/cm2)、以及高压强发射工作稳定性好等优点。
一种基于纳米焦点发射电子及其制备方法

[发明专利]一种铂辅助催化的碳纳米管生长方法-CN202210050762.7在审
发明人：唐红斌;董长昆 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种铂辅助催化的碳纳米管生长方法，其包括有以下步骤：(1)预处理：对含镍或其它催化金属的金属基片进行表面清洗、干燥；(2)将预处理过的合金基片表面上溅射铂层，溅射完成后；(3)将步骤(2)处理后的金属基片放在CVD系统中进行生长碳纳米管。通过试验表征，该方法所制备的碳纳米管具有随机取向性，并且整体形貌都表现出比较好的均匀性，这种随机取向性以及良好的均匀性可以减少发射热点的产生，避免大电流发射下边缘效应使得局部区域过大的焦耳热导致碳管烧毁或者损伤。
一种辅助催化纳米生长方法

[发明专利]基于碳纳米管场发射传感器的氦气真空漏率检测方法-CN202210008337.1在审
发明人： 董长昆;刘瑞姿;王杰 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01M3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管场发射传感器的氦气真空漏率检测方法，该碳纳米管场发射传感器包括碳纳米管阴极和导电阳极，所述的碳纳米管阴极的拉曼非晶峰ID/石墨峰IG的比值在1.0以上，其压强测试方法为：场发射电流调节到初始小发射电流，记录t时间内场发射电流的平均值，形成碳纳米管场发射传感器的传感特性曲线，通过对传感特性曲线进行拟合来形成指示曲线；将不同He压强换算成对应的真空漏率；将碳纳米管阴极封装入真空腔体后，当形成的He流达到平衡时进行测试，测试完成后得到t时间内电流变化的平均值，将此值与指示曲线进行对应得到系统的真空漏率。本申请的方案通过监测He渗入到动态真空系统后压强的变化对动态真空系统的漏率进行监测。
基于纳米发射传感器氦气真空检测方法

[发明专利]一种在基片上直接分区生长碳纳米管薄膜的方法和应用-CN202010878678.5在审
发明人： 董长昆;黄卫军 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明公开一种在基片上直接分区生长碳纳米管薄膜的方法和应用，包括以下步骤：(1)对含催化金属的基片进行化学或/和超声表面处理；(2)根据需要生长碳纳米管薄膜的表面形状，加工对应形状的掩模片；(3)将掩模片覆盖在所述的基片上，应用薄膜沉积工艺，在掩模片未覆盖的基片分区部分沉积无碳纳米管生长催化特性的金属或金属氧化物薄膜；基片对应掩模片覆盖部分的分区构成碳纳米管生长分区；(4)经过步骤(3)处理后的基片放在到化学气相沉积反应装置中通过直接生长法在所述基片的碳纳米管生长分区生长碳纳米管薄膜。本发明优势包括:可制备任意形状、大小的CNT薄膜，薄膜尺度可以从微米到厘米量级。
一种基片上直接分区生长纳米薄膜方法应用

[发明专利]一种场发射阴极电子源及其应用-CN201711200705.8有效
发明人： 董长昆;周彬彬;张建;黄运米;何剑锋 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射阴极电子源及其应用，包括有场发射阴极和场发射门极，场发射阴极和场发射门极之间设置有场发射电压，场发射门极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置设置有环形电极，环形电极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置为环形带栅孔电极，环形带栅孔电极的径向外侧套设有环形辅助外电极，其中辅助外电极可以是电子源的外壳。该场发射电子源的主要功能和优点是是为真空电子器件（包括X射线管、微波管等）提供电子束流或在真空电子器件中进行气体压强监控。
一种发射阴极电子及其应用

[发明专利]一种基于场发射阴极电子源的电离真空计及其应用方法-CN201711200611.0有效
发明人： 董长昆;张建 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场发射阴极电子源的电离真空计及其应用方法，本发明公开了一种基于场发射阴极电子源的电离真空计，该真空计包括场发射电子源、离子收集极、电子振荡收集极、和圆筒外电极等。从场发射阴极发射出的电子流，以一定能量进入电离区域轰击真空腔体残留气体分子，气体被电离形成正离子，部分离子被离子收集极收集，收集到的离子电流与气体压强成正比，从而测量真空系统的压强。本真空计具有灵敏度高、测量范围宽、功耗低、放气低、响应速率快等优点。
一种基于发射阴极电子电离真空计及其应用方法

[发明专利]一种二氧化锰‑碳纳米管‑泡沫镍复合材料电容器电极的制备方法-CN201710989775.X在审
发明人： 董长昆;李莉;陈李慧;钱维金;何林李 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化锰‑碳纳米管‑泡沫镍复合电容器电极的制备方法，包括以下步骤(1)碳纳米管‑泡沫镍复合体的制备，选用泡沫镍做催化与基底材料，通过化学气相沉积法直接进行碳纳米管生长，获得碳纳米管‑泡沫镍复合体；（2）水热法合成二氧化锰‑碳纳米管‑泡沫镍复合材料，配置浓度比在（0.5‑5）（5‑15）区间的十二烷基硫酸钠KMnO4溶液，充分混合后滴入反应釜中，并将MWNT‑泡沫镍材料放入所述反应釜中，在100‑200℃下反应1‑15h，制得二氧化锰‑碳纳米管‑泡沫镍复合材料；（3）对所述二氧化锰‑碳纳米管‑泡沫镍复合材料进行压片后，得到二氧化锰‑碳纳米管‑泡沫镍复合电容器电极。本发明的优点是MnO2‑MWNT‑泡沫镍复合材料电极展示了优越的结构、电化学和超级电容特性，具有显著的技术优势。
一种二氧化锰纳米泡沫复合材料电容器电极制备方法

[发明专利]泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法-CN201410763931.7有效
发明人： 董长昆;谢非;翟莹;钱维金 -专利权人：温州大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01M4/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备泡沫镍电池电极的方法，包括以下步骤（1）选用泡沫镍做碳纳米管化学气相沉积反应的催化与基底材料，对泡沫镍基底进行化学和超声清洁；（2）设置CVD反应装置，并在CVD反应装置中对泡沫镍基底直接进行碳纳米管的化学气相沉积生长，生长温度600‑900℃时，该碳氢气体与载气的流量比为(10‑40sccm)(100‑400sccm)，生长压力在1‑760Torr，生长时间1‑30min。本发明的优点是对增强电池器件的性能起到了显著的作用，CNT‑泡沫镍基底的比表面积和电化学活性有明显提高，基于CNT‑泡沫镍基底的镍氢电池循环寿命性能显著改善。
泡沫基底直接生长纳米制备电池电极方法

[发明专利]一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺-CN201410763218.2在审
发明人： 董长昆;翟莹 -专利权人：温州大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺，所述的金属基底为含有碳纳米管化学气相沉积反应的催化金属的金属基底，该催化金属为铁、钴或镍，其工艺步骤包括有：直流电源正极连接金属基底构成阳极，以其他导电基片为阴极，两极均浸没在电解液中形成回路，电解液为用酸、碱、盐的溶液，在金属基底表面形成致密、均匀的多孔结构。本发明工艺使金属基底表面适合碳纳米管生长的自然点位均匀并增多，导致金属基底在高温时能够提供均匀纳米级大小的催化颗粒，将其应用于碳纳米管生长时，碳纳米管从与金属基底一体的表面均匀催化剂金属颗粒上生长，有效增大了结合力，降低了接触电阻与热阻，改善了碳管的导电、导热等性能性。
一种用于纳米生长金属基底阳极化工

[发明专利]基于气体吸附与碳纳米管场发射原理的真空计及其真空度检测方法-CN201410383445.2有效
发明人： 董长昆;王福全 -专利权人：温州大学
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G01L21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于气体吸附与碳纳米管场发射原理的真空计及其真空度检测方法，该真空计的基本组成为二极式结构，包括有相互绝缘间隔的电子发射阴极和阳极，其中电子发射阴极为场发射碳纳米管薄膜，所述的阳极为导电基片，在压强小于1个大气压的测试环境中，在阳极和阴极之间施加一个场发射电压（V）,并使得碳纳米管薄膜上产生场电子发射电流I，选定某一固定场电子发射电压（通常在小电流发射区间），测定不同压强下、特定时间内发射电流的变化值（或多个变化值的均值），得到压强-电流变化值（或压强-电流变化均值）曲线，从而根据该曲线检测真空度。本发明的真空计和真空度检测方法具有灵敏度高、微型、功耗低、结构简洁、恢复快等优点。
基于气体吸附纳米发射原理真空计及其真空检测方法

[实用新型]一种法兰拆装辅助工具-CN201420181771.0有效
发明人： 董长昆;王福全 -专利权人：温州大学
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： B25B27/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种法兰拆装辅助工具，包括第一半圆环形卡扣件，第二半圆环形卡扣件和搭扣装置，其特征在于所述第一半圆环形卡扣件和第二半圆环形卡扣件一端活动铰接，另一端采用搭扣装置锁紧，第一半圆环形卡扣件和第二半圆环形卡扣件内径大小等于法兰盘外径大小，且在该内径面上设置有若干限制螺母或螺栓转动的卡口，使用该法兰拆装辅助工具，锁咬在法兰上，限制法兰一侧螺母或螺栓转动，在另一侧使用扳手逐一拧螺栓或者螺母，完成法兰的拆装。
一种法兰拆装辅助工具

[发明专利]基于电泳法的碳基纳米薄膜热电化学电极的制备方法-CN201310366080.8有效
发明人： 董长昆;曹明轩 -专利权人：温州大学
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电泳法的碳基纳米薄膜热电化学电极的制备方法，包括以下工序：以碳基纳米粉末为原料；纳米材料和微量电解质（无机盐、碱或者表面活化剂等）分散于无水乙醇(水或甲醇、等有机溶剂)溶剂中，并经超声处理后，即得到电泳液；将导电基底和对电极置于电泳液中，并加载直流电压，时间10秒以上，导电基底上通过电泳附着上一层致密的样品薄膜，构成样品薄膜电极坯件；退火处理，将获得的碳基纳米薄膜电极坯件在真空或惰性气体环境下进行200℃以上的退火处理，获得碳基纳米薄膜电极。本发明纳米材料直接附着于导电基底上，快捷高效，高温退火后，电极的表面电阻更低，更有利于提升能量转化效率。
基于电泳纳米薄膜热电化学电极制备方法

[发明专利]一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法-CN201210057894.9有效
发明人： 董长昆 -专利权人：温州大学
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法，包括有相互绝缘间隔的电子发射阴极和阳极，所述的电子发射阴极包括有导电基底以及生长或沉积于导电基底上碳纳米管薄膜，另外，本发明利用场发射电流的I-V和I-t曲线检测氢气。本发明具有灵敏度高、微型、功耗低、结构简洁、恢复快等优点。
一种基于发射原理纳米薄膜传感器氢气检测方法

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