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[发明专利]一种优良耐应力腐蚀性能镁合金及其制备方法-CN202210221685.7有效
发明人：王大为;陈长鑫;王慧远;查敏;王珵;李美璇;董柯军;孟昭元;李宜家;张迅 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：本发明属于金属材料技术领域，公开了一种优良耐应力腐蚀性能镁合金及其制备方法。所述的镁合金按质量百分比计，由如下成分组成：锌0.05‑2.0％、钙0.05‑0.5％、铋0.001‑0.25％、添加元素、不可避免杂质≤0.02％，余量为镁；所述的添加元素为铒、锡、锑、锰中的一种或任意组合，其中：铒0.001‑0.2％，锡0.001‑0.2％，锑0.001‑0.2％，锰0.05‑0.3％。制备方法包括：合金熔炼浇注、均匀化热处理、挤压、固溶处理和人工时效等五个步骤。本发明通过合金组分和工艺的协同作用，有效调控镁合金中的第二相尺寸、分布以及细化晶粒，降低电偶腐蚀引起的阳极溶解开裂和氢脆导致的机械开裂；此外，合金组分之间的相互作用提高了腐蚀产物层的稳定性和致密性，抑制腐蚀产物层诱导开裂，从而提高合金的耐应力腐蚀性能。
一种优良应力腐蚀性能镁合金及其制备方法

[发明专利]一种g-C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列的制备方法-CN201910076646.0在审
发明人：刘世凯;周淑慧;董柯军;李云友;董浩永;樊志杰;闫长菲;冀小华;赵腾飞;单中霄;郭子杰 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2019-01-26 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种g‑C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过金属钛或钛合金的电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构；然后在马弗炉中进行晶化处理，得到TiO₂纳米管阵列；再将CsPbI₃纳米粒子加入g‑C₃N₄悬浮液中，得到含CsPbI₃和g‑C₃N₄的混合溶液；最后将TiO₂纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g‑C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时，实现了两种半导体材料的多元复合改性。制备得到的g‑C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列，比表面积大，对太阳光的响应吸收范围宽，可作为高性能的复合电极，为高性能光催化剂的设计提供支撑。
制备混合溶液电化学阳极氧化法纳米管阵列结构半导体材料纳米复合材料多元复合复合电极改性处理光催化剂晶化处理纳米粒子金属钛马弗炉纳米管太阳光悬浮液钛合金改性响应支撑吸收