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[发明专利]有机电致发光器件-CN201810495632.8有效
发明人： 莫罗·富尔诺;沃洛季米尔·森科维斯基 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含第一电极、至少一个第二电极、至少一个发光层和至少一个电子传输区域，其中所述发光层和所述电子传输区域布置在所述至少一个第二电极和所述第一电极之间，并且所述电子传输区域布置在所述发光层和所述至少一个第二电极之间，其中所述至少一个电子传输区域包含：第一电子传输层，所述第一电子传输层优选不包含n型掺杂剂；和性能增强层，所述性能增强层在1200nm的波长处具有≤1.6的折射率；其中所述第一电子传输层布置在所述发光层和所述性能增强层之间；并且所述性能增强层布置在所述第一电子传输层和所述至少一个第二电极之间。
有机电致发光器件

[发明专利]有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件-CN202211376780.0在审
发明人：杰罗姆·加尼耶;安斯加尔·维尔纳;胡恩·基姆;莫罗·富尔诺 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件。
有机发光二极管包含显示器件照明

[发明专利]电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法-CN202210672671.7在审
发明人：乌尔里希·黑格曼;马库斯·赫默特;托马斯·罗泽诺;莫罗·富尔诺 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法。具体地，本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；前提是排除了a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂
电子半导体器件制备方法

[发明专利]电子半导体器件和制备电子半导体器件的方法-CN201880012813.9有效
发明人：乌尔里希·黑格曼;马库斯·赫默特;托马斯·罗泽诺;莫罗·富尔诺 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件和制备所述电子器件的方法，所述电子器件在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价键合的原子构成的第一空穴传输基质化合物和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐和选自电中性金属络合物，所述电中性金属络合物包含金属阳离子和由至少4个共价键合的原子构成的至少一种阴离子配体和/或至少一种阴离子，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Me、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；以及选自处于氧化态(TV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；条件是排除：a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂，其中A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR1；R1＝吸电子基团，其选自：卤素、腈、卤代或全卤代的C1～C20烷基、卤代或全卤代的C6～C20芳基、或具有5～20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基；B1、B2、B3和B4相同或独立地选自：取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C1～C20杂烷基、取代或未取代的C6～C20芳基、取代或未取代的C5～C20杂芳基，或B1和B2形成环；以及b)由Li阳离子和选自高氯酸根和四氟硼酸根的阴离子构成的p型掺杂剂，并且所述第一空穴传输层包含子层，其中按重量和/或体积计以超过可以另外包含在所述子层中的其它组分的总量的量包含所述电掺杂剂。
电子半导体器件制备方法

[发明专利]电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法-CN201880012559.2有效
发明人：乌尔里希·黑格曼;马库斯·赫默特;托马斯·罗泽诺;莫罗·富尔诺 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；前提是排除了a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂
电子半导体器件制备方法

[发明专利]电子器件、所述电子器件的制备方法和包含所述电子器件的显示装置-CN201880012814.3有效
发明人：乌尔里希·黑格曼;马库斯·赫默特;托马斯·罗泽诺;莫罗·富尔诺 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件，其包含至少一个包含硼酸盐的层，其中所述硼酸盐包含在所述层中，所述层包含的硼酸盐的量按重量计和/或按体积计超过所述层中的可以另外包含的其它组分的总量；一种包含所述电子器件的显示装置和所述电子器件的制备方法。
电子器件制备方法包含显示装置

[发明专利]有机电子器件-CN201480032443.7有效
发明人：弗朗索瓦·卡尔迪纳利;欧姆莱恩·法德尔;迈克·策尔纳;卡斯滕·罗特;莫罗·富尔诺 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C07F9/53 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电子器件，其包含第一电极，第二电极，以及在所述第一和所述第二电极之间的包含根据式(I)的化合物的基本上有机的层。
有机电子器件

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