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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于CsCu2-CN202210751794.X在审
发明人：蔡培庆;范雄生;刘延亮;李上洽;万明杰;刘祖刚 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用。该光电二极管型X射线探测器包括CsCu2I3晶片和器件结构，所述晶片包括CsI和CuI粉末原料，研磨混合热压制备CsCu2I3晶片，其中CsI和CuI的摩尔比为1：2。所述的器件结构为阴极/空穴传输层/CsCu2I3晶片/电子传输层/阳极。从而实现基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器件，以促进全无机无铅卤化物Cs‑Cu‑I体系在X射线直接探测上的应用。本发明中的各功能层对环境友好，制备方法简便，具有大尺寸规模化制备的潜力，有良好的应用前景。
一种基于 cscu base sub

[发明专利]一种离子型大位阻锑化物发光材料的制备方法及其应用-CN202210856357.4在审
发明人：蔡培庆;吴浩楠;王洪军;滕嵘驭;范雄生;艾琦;刘祖刚 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C07F9/92 文献下载
摘要：本发明属于发光材料领域，具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X＝Sb,As,P，优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带，最佳激发峰位于365nm处，可以很好的与商用紫外芯片相匹配，发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好，克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性；而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低，反应条件温和，生产周期短，荧光量子产率高，在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。
一种离子型大位阻锑化物发光材料制备方法及其应用

[发明专利]一种大尺寸金属卤化物闪烁晶体及其制备方法-CN202110437236.1在审
发明人：蔡培庆;滕嵘驭;范雄生;占宇鑫;黄启莹;魏钦华;刘祖刚 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸低维度金属卤化物钙钛矿闪烁晶体的反溶剂制备方法，其化学式为Cs3Cu2I5。本发明的闪烁晶体在紫外区域(250‑350nm)有较宽的激发光谱，在X射线照射下发出明亮的蓝紫色光，是一种可用于各种射线显像屏的闪烁材料。上述制备方法操作简单，成本低，重现性好，所得产物在空气中稳定，易于操作和大规模生产。
一种尺寸金属卤化物闪烁晶体及其制备方法

[发明专利]一种有机-无机杂化长余辉材料、其制备方法及其在喷墨打印中的应用-CN202011242066.3在审
发明人：蔡培庆;徐天侔;王淞;滕嵘驭;范雄生;艾琦;刘祖刚 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C07F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于喷墨打印的有机‑无机杂化长余辉材料及其制备方法。化学式为(Ph4P)2TiF6(Ph为苯基C6H5的缩写)，它以氟钛酸铵和四苯基氯化膦为主要原料，在水热釜中经过加热搅拌生成过饱和溶液，通过再结晶生成目标产物。经紫外光的照射后该型长余辉材料在暗处发出明亮的绿光，发光强度高，稳定性和显色性好，可用于喷墨打印，在防伪，信息存储等领域有广泛的应用前景。本发明材料通过溶液重结晶法制备，方法简单，重复性好，所得产品质量稳定。
一种有机无机杂化长余辉材料制备方法及其喷墨打印中的应用

[发明专利]一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法-CN202011242065.9在审
发明人：蔡培庆;王淞;徐天侔;滕嵘驭;范雄生;艾琦;刘祖刚 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构，所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液，其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2：1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P2)SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件，以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好，制备方法简便，同时适应于其它零维金属卤化物，具有良好的应用前景。
一种基于金属卤化物发光二极管及其制备方法

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