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[发明专利]用于切割晶元的方法和设备-CN201610244513.6有效
发明人： 范·德·斯塔姆·卡雷尔·梅科尔·理查德 -专利权人：先进科技新加坡有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了一种辐射切割晶元的方法，所述方法包括以下步骤：低功率切割两个沟槽，之后高功率切割缝隙。单脉冲辐射束被分裂成第一脉冲辐射束以及第二脉冲辐射束，所述第一脉冲辐射束用于切割至少一个所述沟槽，以及所述第二脉冲辐射束用于切割所述缝隙。当在切割方向上沿着切割道在晶元上切割所述缝隙时，通过所述第一辐射束的前缘以及所述第二辐射束的后缘同时引导所述第一和第二辐射束。为了从相反切割方向切割所述缝隙，从所述单脉冲辐射束分裂出用于开槽的第三脉冲辐射束。
用于切割方法设备

[发明专利]分割薄半导体衬底的方法-CN201510408614.8有效
发明人： 范·德·斯塔姆·卡雷尔·梅科尔·理查德;克尼佩斯·圭多·马蒂纳斯·亨里克斯;米勒·马克·克里斯蒂安;贝茨·于尔根·罗兰 -专利权人：先进科技新加坡有限公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： B23K26/06 文献下载
摘要：本发明公开一种使用激光能量分割多个集成器件的方法，该多个集成器件包含在半导体衬底中，该方法包含有以下步骤将第一激光束投射在沿着衬底分布的切割线上，以烧蚀衬底沿着待分割的切割线分布的局部，该被烧蚀的衬底的局部相邻于已被分割的衬底的切割线处形成有重塑材料；以及将第二激光束投射在衬底相邻于切割线的另一个局部，以对相邻于切割线所形成的重塑材料进行热处理。
分割半导体衬底方法

[发明专利]将半导体基板辐射开槽的方法-CN201410204192.8有效
发明人： 范·德·斯塔姆·卡雷尔·梅科尔·理查德 -专利权人：先进科技新加坡有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明关于使用雷射划线设备辐射划线一实质上平面半导体基板的方法，沿着在该基板的目标表面上的半导体装置的相对列之间延伸的划线形成非穿透性凹槽，可定义一笛卡尔坐标系统XYZ，目标表面位于XY平面；凹槽平行于Y方向延伸，其之一宽度在X方向上；基板夹钳在一可移动基板固持器上，将该目标表面呈现至雷射划线头；基板固持器与该划线头之间实现相对运动，使来自该头的雷射辐射沿着该划线的一路线平移，当在XY平面中观看时，雷射划线头产生一二维阵列的雷射光束点。该阵列中的该等点实质上平行于Y及X方向延伸。在阵列的至少一第一部分中，当平行于X方向观看时，该阵列的末端处的雷射光束具有低于该阵列的一中心部分中的雷射光束的强度的一强度。
半导体辐射开槽方法