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[发明专利]一种高良率的平衡散热的倒装芯片线性功率放大器及其应用-CN201610321470.7有效
发明人：马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高良率的平衡散热的倒装芯片线性功率放大器及其应用，其特征是设置功率放大器的输出级中第M个级联放大电路的N_M个并联连接的单位放大单元为对称排列的两个阵列；且分别设置在一组地线GND的两侧；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装节点相连；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装节点相连。本发明能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度，从而达到高良率和高可靠性的目的。
一种高良率平衡散热倒装芯片线性功率放大器及其应用

[发明专利]一种高良率的倒装芯片线性功率放大器及其应用-CN201610289063.2有效
发明人：马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高良率的倒装芯片的线性功率放大器及其应用，其特征是设置功率放大器的输出级中第M个级联放大电路的NM个并联连接的单位放大单元为线形排列的一个阵列；线形排列的单个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装节点相连；线形排列的单个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装节点相连。本发明能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度，从而达到高良率和高可靠性的目的。
一种高良率倒装芯片线性功率放大器及其应用

[发明专利]一种高良率的倒装芯片功率放大器及其应用-CN201610289107.1有效
发明人：马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高良率的倒装芯片功率放大器及其应用，其特征是：功率放大器输出级中第M个级联放大电路的NM个并联连接的单位放大单元为对称排列的四个阵列；每个阵列包含NM/4个并联连接的单位放大单元；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装芯片节点相连；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装芯片节点相连。本发明能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度，从而达到高良率和高可靠性。
一种高良率倒装芯片功率放大器及其应用

[实用新型]一种高效率低谐波的功率放大器及其移动终端-CN201620853777.7有效
发明人：马雷;彭小滔;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效率低谐波的功率放大器及其移动终端，利用至少一级的放大电路以级联方式连接，通过灵活配置各级放大电路中的各个单位放大单元的偏置电压或偏置电流可以在不同功率输出要求下实现功率放大器的射频增益的调节，同时负载的全新设计可以达到对第二项谐波到第十项谐波的优化以及放大器及其模块效率的优化。这种灵活而高效的功率放大器设计方案可以应用于物联网任何无线连接中需要有低谐波的需求的功率放大应用之中，并且能在多种通信制式下实现高性能，从而实现功率放大器的功率模式及谐波的调节来满足物联网中多种通信制式的需求。
一种高效率谐波功率放大器及其移动终端

[实用新型]一种低损耗高隔离的倒装芯片射频开关及其移动终端-CN201620850794.5有效
发明人：马雷;彭小滔;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低损耗高隔离的倒装芯片射频开关及其移动终端，其特征是射频开关采用倒装芯片工艺，每个射频开关的串联通路的射频信号输入输出端口采用较小节点接地，每个射频开关的并联通路采用较大节点接地。本实用新型能使用较小的倒装芯片节点连接射频信号输入输出端口从而减少了该节点与射频通路的耦合，使用较大的倒装芯片节点接地从而减少了该节点的电感与射频开关的插入损耗，从而能够提高射频开关的隔离特性以及最大输出功率。
一种损耗隔离倒装芯片射频开关及其移动终端

[实用新型]低损耗高隔离的倒装芯片小节点阵列射频开关及其移动终端-CN201620850792.6有效
发明人：马雷;彭小滔;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低损耗高隔离的倒装芯片小节点阵列射频开关及其移动终端，其特征是射频开关采用倒装芯片工艺，每个射频开关的串联通路的射频输入输出端口采用小节点或是高密度多个较小节点连接，每个射频开关的并联通路采用高密度较小节点接地。本实用新型能使用较小的倒装芯片节点连接射频信号输入输出端口从而减少了该节点与射频通路的耦合，使用高密度多个较小的倒装芯片节点接地从而减少了该节点的电感与射频开关的插入损耗，进而能够提高射频开关的隔离特性以及最大输出功率。
损耗隔离倒装芯片节点阵列射频开关及其移动终端

[实用新型]一种高良率的倒装芯片功率放大器及其移动终端-CN201620394007.0有效
发明人：马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高良率的倒装芯片功率放大器及其移动终端，其特征是：功率放大器输出级中第M个级联放大电路的N_M个并联连接的单位放大单元为对称排列的四个阵列；每个阵列包含N_M/4个并联连接的单位放大单元；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装芯片节点相连；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装芯片节点相连。本实用新型能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度，从而达到高良率和高可靠性。
一种高良率倒装芯片功率放大器及其移动终端

[实用新型]一种高良率的倒装芯片线性功率放大器及其移动终端-CN201620394408.6有效
发明人：马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高良率的倒装芯片线性功率放大器及其移动终端，其特征是设置功率放大器的输出级中第M个级联放大电路的N_M个并联连接的单位放大单元为线形排列的一个阵列；线形排列的单个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装节点相连；线形排列的单个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装节点相连。本实用新型能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度，从而达到高良率和高可靠性的目的。
一种高良率倒装芯片线性功率放大器及其移动终端

[实用新型]一种高良率的平衡散热的倒装芯片线性功率放大器及其移动终端-CN201620394407.1有效
发明人：马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 -专利权人： 苏州雷诚芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高良率的平衡散热的倒装芯片线性功率放大器及其移动终端，其特征是设置功率放大器的输出级中第M个级联放大电路的N_M个并联连接的单位放大单元为对称排列的两个阵列；且分别设置在一组地线GND的两侧；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装节点相连；每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装节点相连。本实用新型能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度，从而达到高良率和高可靠性的目的。
一种高良率平衡散热倒装芯片线性功率放大器及其移动终端

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