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[发明专利]具有双位置磁控管及中央供给冷却剂的阴极组件-CN201880046250.5有效
发明人： 艾琳娜·H·威索克;希兰库玛·萨万戴亚;安东尼·陈志东;宋焦;帕拉沙特·帕布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本文提供了磁控管组件的实施方式和包含该磁控管组件的处理系统。在一些实施方式中，磁控管组件包括：沿磁控管组件的中心轴延伸的主体；冷却剂供给结构，沿中心轴延伸穿过主体以沿中心轴向冷却剂供给结构下方的区域提供冷却剂；和可旋转磁体组件，连接到主体的底部并具有多个磁体。在一些实施方式中，可旋转磁体组件配置成垂直移动。
具有位置磁控管中央供给冷却剂阴极组件

[发明专利]用于处理基板的方法与设备-CN202180008729.1在审
发明人：哈伯特·冲;陶荣;雷建新;汪荣军;基思·A·米勒;艾琳娜·H·威索克;龚则敬;陈新 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和ACT和控制器，该ACT连接到该基座，该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
用于处理方法设备