专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有高深宽比的光栅结构的制造方法-CN200480043098.3无效
  • 赛里奥·多尼达;罗马诺·莫森;斯蒂芬诺·萨多 - 皮雷利&C.有限公司
  • 2004-05-21 - 2007-06-20 - G02B5/18
  • 本发明涉及实现光栅结构(200)的方法,其包括提供层状结构(100)的步骤,所述层状结构包括衬底(11)、光栅层(12)、包含多晶硅的第一掩模层(13)、电介质层(14)和第二掩模层(15)。另外,在第二掩模层(15)上沉积抗蚀剂层(16),并且按照所选图案将抗蚀剂层(16)暴露于电子束下;按照所述图案显影抗蚀剂层(16);使用显影的抗蚀剂层作为掩模刻蚀第二掩模层(15)以形成图案化的第二掩模层(15’);使用所述图案化的第二掩模层(15’)作为硬掩模刻蚀电介质层(14)以形成图案化的电介质层(14’);使用所述图案化的电介质层(14’)作为硬掩模刻蚀第一掩模层(13)以形成图案化的第一掩模层(13’);并且使用所述图案化的第一掩模层(13’)作为硬掩模刻蚀光栅层(12)以形成光栅结构(200)。
  • 具有高深光栅结构制造方法

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