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[发明专利]生成氢气用催化剂以及氢气的制造方法-CN201380048498.2有效
发明人： 细野秀雄;林文隆;横山寿治;户田喜丈;原亨和;北野政明 -专利权人：国立大学法人东京工业大学;国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： B01J23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种负载金属催化剂以及使用了该催化剂的高效的生成氢气方法，该负载金属催化剂用于将氨气分解为氢气和氮气，具有高性能并且廉价，从资源的观点考虑也有利。一种生成氢气用催化剂，其为用于将氨气进行催化分解并且生成氢气的催化剂，其特征在于，将内包氧离子的钙铝石型化合物或者内包10¹⁵cm^‑3个以上传导电子或者氢负离子的钙铝石型化合物制成载体，在该载体表面负载有氨气分解用金属颗粒。将体积分数0.1～100％的氨气连续地供给于由该催化剂构成的催化层，在0.01MPa～1.0MPa的反应压力以及300～800℃的反应温度下，以重量空间速度(WHSV)500/mlg^‑1h^‑1以上进行反应，从而制造氢气。
生成氢气催化剂以及制造方法

[发明专利]热电材料，制造该热电材料的方法，和使用该热电材料的热电变换模块-CN201380003966.4有效
发明人：中村芳明;五十川雅之;上田智广;吉川纯;酒井朗;细野秀雄 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本热电材料设置有：半导体基板，形成在基板上的半导体氧化膜，和布置在氧化膜上的热电层。所述半导体氧化膜设置有第一纳米开口部，所述热电层是这样的形式：多个半导体纳米点堆积在第一纳米开口部上以具有粒子填充结构。多个纳米点中的至少一些在其表面中形成有第二纳米开口部，并且通过第二纳米开口部彼此连接，且其晶体取向彼此对齐。该热电材料可以通过以下步骤生产：氧化半导体基板，借此在其上形成半导体氧化膜的步骤；在氧化膜中形成第一纳米开口部的步骤；和通过外延生长在第一纳米开口部上堆积多个纳米点的步骤。通过该构造能够获得具有极好的热电变换性能的热电材料。
热电材料制造方法使用变换模块

[发明专利]氨合成催化剂以及氨合成方法-CN201180057682.4有效
发明人： 细野秀雄;原亨和;北野政明;金圣雄;松石聪;户田喜丈;横山寿治;林文隆 -专利权人：国立大学法人东京工业大学
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： B01J23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种催化剂物质及其制造方法，其为用于合成氨的稳定且高性能的催化剂物质，该氨作为肥料的原料等而言为最重要的化学物质之一，该催化剂物质在不需要高压的温和的合成条件下发挥催化剂活性，此外从资源的观点考虑也有利。该催化剂由负载金属催化剂形成，该负载金属催化剂由将钙铝石型化合物作为氨合成催化剂的载体而得到，该钙铝石型化合物包含1015cm-3以上的传导电子。作为载体的钙铝石型化合物的形状可以为粉末、多孔体、固体烧结体、薄膜、固体单晶等中的任一种。使用此催化剂时则向过渡金属的供电子能力增强，可在100℃到600℃的反应温度、在10kPa到30MPa左右较低的反应压力下使原料氮气与氢气在催化剂上进行反应从而促进氨合成。
合成催化剂以及方法

[发明专利]无定形氧化物和场效应晶体管-CN201210322291.7有效
发明人：佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二 -专利权人：佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
无定形氧化物场效应晶体管

[发明专利]无定形氧化物和场效应晶体管-CN201210322249.5有效
发明人：佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二 -专利权人：佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
无定形氧化物场效应晶体管

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201210313635.8有效
发明人： 细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极6、汲极电极5、栅极电极4、栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管上，采用电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物作为前述沟道层。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]包含薄膜晶体管的LCD或有机EL显示器的转换组件-CN201210312998.X有效
发明人： 细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种包含薄膜晶体管的LCD或有机EL显示器的转换组件。本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极6、汲极电极5、栅极电极4、栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管上，采用电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物作为前述沟道层。
包含薄膜晶体管 lcd 有机 el 显示器转换组件

[发明专利]抗氧化剂-CN201210152816.7无效
发明人：阪口博之;最上理映;金辰也;林克郎;细野秀雄;平野正浩 -专利权人：株式会社芳珂;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： A61K8/26 文献下载
摘要：本发明是抗氧化剂，其将含有1×1018cm-3以上浓度的氢阴离子(H-)的12CaO·7Al2O3化合物及/或12SrO·7Al2O3化合物及这些化合物的混晶作为有效成分。
抗氧化剂

[发明专利]12CaO·7Al₂O₃化合物-CN201080025196.X有效
发明人：最上理映;坂口博之;林克郎;细野秀雄;平野正浩 -专利权人：株式会社芳珂;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C01F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用如下12CaO·7Al2O3化合物，其为使用磷酸盐进行表面处理并可通过能量分散型X射线分析装置从粉体表面检测出磷原子的含有2×1018cm-3以上、低于2.3×1021cm-3的电子(e-)的化合物，从而抑制了水分散液呈碱性的化妆用化妆品等的皮肤外用剂。
12 cao al sub 化合物

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201110373068.0有效
发明人： 细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极6、漏极电极5、栅极电极4、栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管上，采用电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物作为前述沟道层。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]溅射靶、光信息记录介质用薄膜及其制造方法-CN200910166726.1有效
发明人： 细野秀雄;植田和茂;矢作政隆;高见英生 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2004-02-03 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G11B7/257 文献下载
摘要：本发明涉及一种溅射靶，其特征在于，含有以满足下式的氧化锌为主要成分的化合物：A、B分别为不相同的3价及以上的阳性元素，其价数分别为Ka、Kb时，A_XB_YO_(KaX+KbY)/2(ZnO)_m，1＜m，X≤m，0＜Y≤0.9，X+Y＝2，且相对密度为80％及以上。它是不含ZnS和SiO₂的ZnO基体的溅射靶，能在通过溅射而形成膜时，减小对基板加热等的影响，高速成膜，能把膜厚调整得薄，还能减少溅射时产生的粒子(発麈)及球状夹杂物，减小质量的偏差，提高量产性，且结晶粒微小，能获得具有80％以上，特别是90％以上的高密度的溅射靶。
溅射信息记录介质薄膜及其制造方法

[发明专利]抗氧化剂-CN200780049108.8有效
发明人：阪口博之;最上理映;金辰也;林克郎;细野秀雄;平野正浩 -专利权人：株式会社芳珂;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C09K15/02 文献下载
摘要：本发明是抗氧化剂，其将含有1×10¹⁸cm^-3以上浓度的氢阴离子(H^-)的12CaO·7Al₂O₃化合物及/或12SrO·7Al₂O₃化合物及这些化合物的混晶作为有效成分。
抗氧化剂

[发明专利]抗氧化剂及抗氧化化妆料-CN200810184526.4有效
发明人：阪口博之;最上理映;金辰也;林克郎;细野秀雄;平野正浩 -专利权人：株式会社芳珂;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C09K15/02 文献下载
摘要：提供新型抗氧化剂。其为以带有2×10¹⁸cm^-3以上、小于2.3×10²¹cm^-3的电子(e^-)的12CaO·7Al₂O₃化合物为有效成分的抗氧化剂。
抗氧化剂氧化化妆

[发明专利]导电性钙铝石型化合物的制造方法-CN200680018457.9有效
发明人： 细野秀雄;林克郎;金圣雄;平野正浩;鸣岛晓;伊藤节郎 -专利权人：旭硝子株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C01F7/16 文献下载
摘要：提供了不需要高额的设备、高温或长时间的反应以及复杂的反应控制，可以容易地稳定且低成本地得到具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法。它是具有将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca及/或Sr以及Al，换算成氧化物(CaO与SrO的合计∶Al₂O₃)的摩尔比为(12.6∶6.4)～(11.7∶7.3)，CaO、SrO以及Al₂O₃的合计在上述前体中的含有率为50摩尔％以上，并且该方法包括将上述前体和还原剂混合，再将上述混合物在氧分压为10Pa以下的惰性气体或真空气氛中保持600～1415℃进行热处理的工序。
导电性钙铝石型化合物制造方法

[发明专利]导电性钙铝石型化合物的制造方法-CN200680018456.4有效
发明人： 细野秀雄;林克郎;金圣雄;平野正浩;鸣岛晓;伊藤节郎 -专利权人：旭硝子株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C01F7/16 文献下载
摘要：提供了不需要高额的设备和复杂的控制的、廉价且大量地制造具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法，以及用该制造方法得到的钙铝石型化合物。它是包括将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca和Al，换算成氧化物的CaO∶Al₂O₃的摩尔比为12.6∶6.4～11.7∶7.3，且CaO与Al₂O₃的合计为50摩尔％以上，且上述热处理为将上述前体保持在热处理温度T为600～1415℃、且氧分压P₀₂以Pa为单位在P₀₂≤10⁵×exp[{－7.9×10⁴/(T+273)}+14.4]所示范围的惰性气体或真空气氛中的热处理。
导电性钙铝石型化合物制造方法