专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提高SONOS器件读取电流的方法-CN201710140796.4有效
  • 唐小亮;章晶;陈广龙 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-03-10 - 2019-08-30 - H01L27/11563
  • 本发明公开了一种提高SONOS器件读取电流的方法,包括:步骤S01:提供一硅衬底,对所述硅衬底进行阱注入,形成阱区;步骤S02:在所述阱区上方的硅衬底中形成阻挡层,以阻止阱区中的注入离子向沟道中扩散;步骤S03:对所述阻挡层上方的沟道进行阈值电压调整注入;步骤S04:在沟道对应的所述硅衬底上形成栅极结构,以及在栅极结构两侧的硅衬底中形成源极和漏极。利用阻挡层对阱区中注入离子的阻挡作用,可在后续的炉管高温作业中阻止阱区中的注入离子向沟道中扩散,因而减少了沟道中的杂质离子,阻止了阱区注入离子对沟道的不利影响,从而提升了沟道的迁移率,提高了SONOS器件的读取电流,最终提升了SONOS器件的性能。
  • 一种提高sonos器件读取电流方法

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