专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高密度硅纳米锥结构及其在检测小分子中的应用-CN202110884302.X有效
  • 吕男;窦树珍;王中舜;陈琪野 - 吉林大学
  • 2021-08-03 - 2022-07-26 - G01N27/64
  • 一种高密度硅纳米锥结构及其作为表面辅助激光解吸/电离质谱基底在检测小分子中的应用,属于质谱分析技术领域。基底是通过直接无掩模版反应离子刻蚀单晶硅,再利用低浓度的氟化氢水溶液剥离表面氧化层获得。由于高密度的锥状结构的独特形貌,使得空气和基底物质之间的折射率系数呈现缓慢的递变,从而提高基底的吸光率,有利于高效地解吸以及电离分子;同时,硅纳米结构锥的尖端结构会促进能量和热电子聚集在尖端位置,有效地提高基底的解吸电离能力;另外,疏水的基底具有的浓缩效应有利于进一步提高检测灵敏度。因此利用疏水的高密度硅纳米锥结构物作为基底检测各种小分子时,不论在正离子模式还是负离子模式下,均具有高的检测灵敏度。
  • 一种高密度纳米结构及其检测分子中的应用
  • [发明专利]一种通过将分析物富集到尖端提高解吸电离效率的方法-CN201710286238.9有效
  • 吕男;李宁;窦树珍;滕飞;杜娟 - 吉林大学
  • 2017-04-27 - 2019-07-16 - G01N27/64
  • 一种通过将分析物富集到金属纳米锥阵列的尖端上提高分析物解吸电离效率的表面辅助激光解吸电离质谱分析方法,属于检测技术领域。通过在硅纳米锥阵列表面蒸镀金膜,使其产生表面等离子体基元传导,从而使光子能量聚集在尖端位置,形成光子库。通过在表面修饰全氟取代的烷基硫醇,使基底具有大的接触角和小的滚动角,从而使水滴在基底上的摩擦力很小,使水溶液中的分析物分子优先浓缩在尖端上,进一步提高激光能量的利用率。因此利用这种全氟取代的烷基硫醇修饰的金膜覆盖的硅纳米锥阵列作为基底检测分析物分子时,激光能量能够被充分地吸收,并被有效地利用,进而提高解吸电离分析物分子的效率,适用于各种类型的分子。
  • 一种通过分析富集金属纳米阵列尖端提高解吸电离效率方法
  • [发明专利]一种通过消除甜点效应提高质谱检测重复性的方法-CN201610974371.9有效
  • 吕男;李宁;窦树珍;朱群艳;王中舜;滕飞 - 吉林大学
  • 2016-10-27 - 2019-03-08 - G01N27/64
  • 一种通过消除甜点效应提高质谱检测重复性的方法,属于检测技术领域。由于弱疏水作用,聚甲基丙烯酸甲酯可以吸附一些疏水性的蛋白以及多肽,因此,我们以聚甲基丙烯酸甲酯点修饰的疏水硅纳米柱阵列提供均匀的吸附位点,倒扣在搅拌的待测物分子的溶液中,取出时,由于该阵列的的疏水作用,不会有液膜在表面,杜绝了咖啡环效应,而分子均匀吸附在每一个纳米柱,最后滴加基质,由于配制溶液的乙腈和三氟乙酸都是极易挥发的溶剂,挥发速度大于分子向两端迁移的速度,因此,基质晾干后也不会有咖啡环效应。总之,我们这种方法保证了分子和基质的均匀分布,很大程度上提高了待测分子的检测重复性。
  • 一种通过消除甜点效应提高检测重复性方法

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