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[发明专利]TGV深孔填充方法-CN202110307374.8有效
发明人：郭欢;张继华;穆俊宏;贾惟聪;李勇;蔡星周;李文磊 -专利权人：三叠纪（广东）科技有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种TGV深孔填充方法，包括以下步骤：A、对玻璃基板进行清洗；B、对玻璃基板进行激光打孔，得到多个玻璃通孔；C、采用腐蚀液对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀；D、对玻璃基板以及玻璃通孔进行种子层溅射；E、将玻璃基板浸泡在稀硫酸溶液中以进行活化；F、电镀。通过对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀，使得玻璃基板以及玻璃通孔表面变得粗糙，种子层与玻璃基板以及玻璃通孔之间的摩擦系数增大，可增强种子层的附着强度，在后续活化以及电镀过程中，可在一定的程度上防止种子层脱落，从而保证电镀的效果。
tgv 填充方法

[发明专利]激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺-CN202110307378.6有效
发明人：蔡星周;张继华;穆俊宏;贾惟聪;李文磊;郭欢 -专利权人：三叠纪（广东）科技有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，包括A、利用激光在玻璃晶圆上预设小孔；B、将玻璃晶圆放入装有HF溶液的容器，将容器放入超声设备中，开启超声设备，利用HF溶液将玻璃晶圆上的小孔腐蚀至需要的直径；C、取出玻璃晶圆，用去离子水清洗干净；D、检测玻璃通孔的孔径和通透性。通过激光诱导作用，可采用HF溶液刻蚀出孔径小于或等于50μm的圆孔，效率高，且通孔内壁光滑，锥度小，通孔密度可大于2500个/cm2，可有效减小玻璃晶圆的尺寸。
激光结合 hf 刻蚀加工 tgv 工艺

[发明专利]玻璃盲孔加工方法-CN202010654067.2有效
发明人：方针;陈宏伟;高莉彬;张继华;陈雨哲;曲胜;邹思月;王文君;蔡星周;穆俊宏 -专利权人：电子科技大学;成都迈科科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种玻璃盲孔加工方法，包括a、深孔刻蚀；b、深孔侧壁沉积附着层：b1、将高聚物溶液滴涂在玻璃基板表面，确保高聚物溶液覆盖玻璃基板表面；b2、将玻璃基板转移至压上强低于大气压的环境中，静置，使高聚物溶液填充深孔；b3、将玻璃基板固定在转盘，玻璃基板的中心偏离转盘的回转中心，驱动转盘转动，将玻璃基板表面和深孔内的高聚物溶液甩掉；b4、烘干使玻璃基板表面和深孔侧壁残存的高聚物溶液固化，形成高聚物附着膜；c、侧壁沉积种子层；d、深孔内铜填充；e、表面CMP以及RDL布线制作。本发明制得的TSV具有高热‑机械可靠性，优异电学性能，可以对孔径3μm，深度45μm的深孔进行加工，符合TSV小型化的发展趋势。
玻璃加工方法

[发明专利]一种三维MIM电容器的制备方法-CN202010651339.3有效
发明人：邹思月;张继华;方针;高莉彬;陈宏伟;王文君;蔡星周;穆俊宏 -专利权人：电子科技大学;成都迈科科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种三维MIM电容器的制备方法，属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极，以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层，形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极；其中，金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm～5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底，然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层，最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单，成本低廉，得到的多孔金属基底比表面积增大，有效的提升了MIM电容器的性能。
一种三维 mim 电容器制备方法

[发明专利]玻璃转接板深孔侧壁附着层真空旋涂装置-CN202010654983.6有效
发明人：方针;陈宏伟;高莉彬;张继华;陈雨哲;曲胜;邹思月;王文君;蔡星周;穆俊宏 -专利权人：电子科技大学;成都迈科科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种玻璃转接板深孔侧壁附着层真空旋涂装置，包括供料传输机构、真空旋涂罐、滴液机构及出料传输机构，真空旋涂罐包括机架、固定罐体、活动筒体、旋涂电机和转盘，活动筒体套在固定罐体的上部，活动筒体连接有第一升降机构；旋涂电机连接有转轴，转轴伸入活动筒体内，转盘固定设置在转轴上；转盘上设置有n个上料槽；活动筒体上方设置有密封端盖，密封端盖连接有第二升降机构；密封端盖的下表面设置有n个压料机构，每个压料机构位于一上料槽的上方；固定罐体连接有抽真空泵；滴液机构包括储液罐、出液管、滴液头，滴液头安装在第一水平移动机构。本装置能够实现全自动化地真空旋涂过程，生产效率高，有利于实现规模化、批量化生产。
玻璃转接板深孔侧壁附着真空装置

[发明专利]高聚物缓冲层铜同轴TGV、转接板及其制备方法-CN202010659553.3在审
发明人：陈雨哲;张继华;陈宏伟;高莉彬;方针;曲胜;邹思月;王文君;蔡星周;穆俊宏 -专利权人：电子科技大学;成都迈科科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱、环形的内缓冲层、环形的铜层以及环形的外缓冲层，所述铜柱、内缓冲层、铜层以及外缓冲层从内至外依次设置，所述外缓冲层以及所述内缓冲层为高聚物苯并环丁烯层。还提供了具有该同轴TGV的转接板和转接板制造方法。高聚物缓冲层尺寸灵活可变，便于根据匹配原则设计出不同尺寸的同轴TGV结构。详细给出了高聚物缓冲层铜同轴TGV结构制备方案，该方案采用高聚物填充环形槽的方式实现缓冲层制备。工艺实现方案保证阻抗匹配设计的同时使整体结构尺寸小，并提高了封装的热稳定性，有利于未来高密度三维集成。
高聚物缓冲同轴 tgv 转接及其制备方法

[发明专利]Li-Al-Si光敏玻璃及其制备方法-CN202010654262.5在审
发明人：方针;陈宏伟;高莉彬;张继华;陈雨哲;曲胜;邹思月;王文君;蔡星周;穆俊宏 -专利权人：电子科技大学;成都迈科科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C03C3/095 文献下载
摘要：本发明提供了一种Li‑Al‑Si光敏玻璃的制备方法，采用以下重量份数的原料制备：SiO2 75～80份；Li2O 8～12份；Al2O3 2～5份；Na2O 1～4份；K2O 3～6份；ZnO 1～2份；Sb2O3 0.05～0.2份；碱土金属0～2份；CeO2 0.02～0.15份；Ag2O 0.05～0.15份。本发明通过改进原料的配比，同时改良生产工艺，有效地提高光敏玻璃的介电性能和机械性能，与肖特公司的Foturan光敏玻璃相比，介电性能和机械性能均有提高，能够在高频环境下的应用。此外，由于机械性能的提升，能够适应集成电路封装体积小型化的发展潮流。同时有利于改善了国内的转接板材料依赖国外厂商的局面，降低国内三维集成封装的成本，更好地推动国内集成电路的发展。
li al si 光敏玻璃及其制备方法

[实用新型]匀胶机-CN201922278649.0有效
发明人：奉建华;林彬;穆俊宏;王文君;蔡星周;张继华 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种匀胶机，包括机体，机体上设置有电机、滴胶机构、吸盘和抽真空泵，吸盘包括筒体、顶板以及底板，底板固定设置于筒体的下端口，顶板水平固定于筒体的上端口，且顶板上设置有多个与储气室连通的气孔，底板的中心设置有抽气管；抽真空泵连接有输气管，输气管的上端贯穿抽气管并伸入储气室，输气管的外部套有传动筒体，传动筒体与输气管之间设置有密封机构，传动筒体与电机传动连接，且传动筒体的上端与抽气管螺纹连接；抽气管的下端设置有密封筒，密封筒具有圆台形的内孔，且内孔的大端朝下，密封筒与传动筒体之间设置有圆台形的弹性塞。本实用新型可以方便快速地更换吸盘，且不影响吸盘的密封性，保证能够稳定地吸附晶圆。
匀胶机

[实用新型]玻璃晶圆抛光机-CN201922301404.5有效
发明人：蔡星周;王文君;穆俊宏;奉建华;张继华 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及玻璃晶圆加工领域，过来一种玻璃晶圆抛光机。该抛光机的顶板和底板之间设置有抛光切换转盘，抛光切换转盘上对称设置有至少两个转轴，各转轴上分别设置有抛光头，抛光切换转盘转动连接于下压轴上，下压轴连接于顶板和底板之间，并且下压轴设置有下压机构；抛光切换转盘的投影与抛光盘部分重叠；顶板上安装有驱动机构，驱动机构下方连接有主动齿轮，抛光头的转轴上设置有从动齿轮，当抛光头旋转至重叠范围进行抛光时，该抛光头的从动齿轮与主动齿轮相啮合。该玻璃晶圆抛光机在一个抛光头上的晶圆进行抛光时，另外的抛光头可以进行晶圆的取出和安装，节约了停机取放晶圆的时间，从而大大提高了抛光的效率。
玻璃抛光机

[实用新型]烤胶机-CN201922275912.0有效
发明人：林彬;穆俊宏;奉建华;王文君;蔡星周;张继华 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B05D3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种烤胶机，包括底座，所述底座上固定设置有电机和保温壳，所述电机竖直设置，且电机的主轴连接有水平的转盘，所述转盘上设置有多个晶圆定位槽，多个晶圆定位槽绕转盘的中心呈圆周状均匀分布；所述保温壳的内腔由竖直的隔板分隔成为预热腔、加热腔以及预冷腔，所述加热腔内设置有加热组件；所述转盘部分位于保温壳内，部分位于保温壳外，且预热腔、加热腔以及预冷腔中均有一晶圆定位槽。本烤胶机不需要人工开启加热腔，使用更加方便，电机带动转盘连续转动，可实现连续烤胶，提高生产效率，有利于批量化、规模化生产。
烤胶机

[实用新型]带有集成电容的玻璃基板-CN201922074928.5有效
发明人：奉建华;王文君;林彬;穆俊宏 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：带有集成电容的玻璃基板，涉及电子器件技术。本实用新型在玻璃基板的局部区域设置有电容，所述电容的电容介质材料与玻璃基板的材料相同，电容的极板全部或局部嵌入玻璃基板，电容的电场方向平行于玻璃基板的表面。本实用新型在极少空间占用的前提下实现电容的堆叠，提高了有效功率密度，有利于实现储能模块集成化，并且工艺简单，机械强度高。
带有集成电容玻璃

[发明专利]金属化填充玻璃转接板通孔的方法-CN202010654068.7在审
发明人：陈雨哲;张继华;陈宏伟;高莉彬;方针;曲胜;邹思月;王文君;蔡星周;穆俊宏 -专利权人：电子科技大学;成都迈科科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属化填充玻璃转接板通孔的方法，包括以下步骤：将转接板放入浓度在的除油液中，温度控制在80℃以上，并施加超声波场，持续5‑10min后，将转接板放入去离子水中，并施加超声波场，持续5‑10min；将转接板取出并放入浓度为3.5‑4.5ml/L硅烷偶联剂溶液中，静置30min以上；利用转盘实现转接板均匀覆盖；将转接板加热至110℃维持30‑55min；将转接板放入钯胶体溶液，静置5min；将转接板放入硝酸银溶液，静置5min；在高转速环境下化学镀；特定电流和化学镀液下电镀。通过对玻璃转接板进行表面处理、活化处理后，在玻璃转接板表面吸附自催化核，为化学镀提供基本条件，从而顺利完成化学镀。与现有技术相比，本发明的成本大幅度降低，且保证了通孔内壁的金属种子层的质量。
金属化填充玻璃转接板通孔方法

[实用新型]玻璃集成电感-CN201922072627.9有效
发明人：奉建华;王文君;林彬;穆俊宏 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01F17/02 文献下载
摘要：玻璃集成电感，涉及电子器件技术。本实用新型的玻璃集成电感包括玻璃基板和电感，所述电感由嵌入玻璃基板的螺旋式金属曲面板构成，螺旋式金属曲面板的轴线方向垂直于玻璃基板的表面。本实用新型的孔深径比可达20:1以上，不仅精度高而且效率高。
玻璃集成电感

[实用新型]一种晶圆通孔铜电镀夹具-CN201922278177.9有效
发明人： 穆俊宏;王文君;奉建华;林彬;蔡星周;张继华 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C25D17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆通孔铜电镀夹具，包括绝缘且结构相同的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板相互平行，且第一基板和第二基板相邻的两个面上设置有凹槽，所述凹槽内设置有导电环板，所述导电环板面向凹槽槽口的侧面上设置有绝缘弹性垫和多个导电弹性片，所述绝缘弹性垫覆盖所有的导电弹性片，且绝缘弹性垫上设置有多个通孔，每个导电弹性片位于一通孔内；所述第一基板和第二基板可拆卸连接，且第一基板的绝缘弹性垫与第二基板的绝缘弹性垫能够夹紧晶圆的边缘，所述绝缘弹性垫上以及凹槽的槽底设置有电镀液孔。本实用新型可防止电镀时金属铜沉积在两者的连接处，从而避免晶圆与导电环板粘接在一起。
一种圆通电镀夹具

[实用新型]微带传输装置-CN201922075074.2有效
发明人：奉建华;王文君;林彬;穆俊宏 -专利权人：成都迈科科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：微带传输装置，涉及电子器件。本实用新型的微带传输装置，包括基板和设置于基板表面的微带线，其特征在于，所述基板为玻璃基板，沿微带传输线的走向，在微带传输线的两侧各设置有一列穿透基板的金属化通孔，所述金属化通孔作为屏蔽孔。本实用新型采用可光刻玻璃制作高频信号屏蔽孔，相比硅通孔技术TSV，无需制作绝缘层，没有电迁移现象。
微带传输装置

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