专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光电探测器的非对称电极及制备方法、光电探测器和应用-CN202310756269.1在审
  • 王海燕;赵晶晶;秦彬皓;张宇鹏 - 广东省科学院中乌焊接研究所
  • 2023-06-25 - 2023-09-22 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种光电探测器的非对称电极及制备方法、光电探测器和应用,涉及半导体技术领域。包括金属电极和半导体层,金属电极包括第一金属电极和第二金属电极,第一金属电极和第二金属电极间隔设置于半导体层的表面。第一金属电极包括功函数大于5.0eV的金属材料。第二金属电极包括功函数处于4.2~4.4eV之间的金属材料。由于第一电极和第二电极的材料功函数不同,每个电极与半导体层之间都能产生一个肖特基势垒高度,当第一电极和第二电极材料不同以后,半导体层上的第一电极和第二电极之间就会产生肖特基势垒高度差,利用这个肖特基势垒高度差能够使光生电子‑空穴对在内建电场的作用下有效分离,从而提高器件的光响应度。
  • 光电探测器对称电极制备方法应用

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