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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的结构及其制造方法-CN200510108727.2有效
发明人：中村稔之;町田哲志;矢部幸子;田口隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在使用了具有薄膜化超前的光反射膜的SOS晶片的半导体装置中，提供0.5μm以下的光反射膜，同时，在光反射膜中使用氧化硅的情况下，提供具有难于通过氢氟酸溶解的光反射膜的半导体装置的制造方法。本发明提供的半导体装置包括：具有透射光的绝缘性衬底，并具有上表面及与该上表面对置的下表面的第1衬底；设置在第1衬底的下表面上，对光进行反射的第1光反射膜；设置在第1光反射膜上，对光进行反射的第2光反射膜；设置在第2光反射膜上，对光进行反射的第3光反射膜。此外，本发明提供的半导体装置的制造方法的特征在于：准备第1衬底，在第1衬底的下表面上形成第1光反射膜，加热设置在第1光反射膜上的第2光反射膜，在加热的第2光反射膜上形成第3光反射膜。
半导体装置结构及其制造方法

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