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[发明专利]半导体装置的结构及其制造方法-CN200510108727.2有效
发明人：中村稔之;町田哲志;矢部幸子;田口隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在使用了具有薄膜化超前的光反射膜的SOS晶片的半导体装置中，提供0.5μm以下的光反射膜，同时，在光反射膜中使用氧化硅的情况下，提供具有难于通过氢氟酸溶解的光反射膜的半导体装置的制造方法。本发明提供的半导体装置包括：具有透射光的绝缘性衬底，并具有上表面及与该上表面对置的下表面的第1衬底；设置在第1衬底的下表面上，对光进行反射的第1光反射膜；设置在第1光反射膜上，对光进行反射的第2光反射膜；设置在第2光反射膜上，对光进行反射的第3光反射膜。此外，本发明提供的半导体装置的制造方法的特征在于：准备第1衬底，在第1衬底的下表面上形成第1光反射膜，加热设置在第1光反射膜上的第2光反射膜，在加热的第2光反射膜上形成第3光反射膜。
半导体装置结构及其制造方法

[发明专利]半导体衬底上的对准标记及其制造方法-CN98116374.2无效
发明人： 町田哲志;南章行 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 1998-07-24 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及在如半导体集成电路等的半导体元件的制造期间用于对准使用的半导体衬底的对准标记及其制造方法。根据本发明的对准标记(2)，在制造半导体元件的光刻工艺期间用于对准半导体衬底(3)，包括宽度近似等于形成在半导体衬底(3)表面形成的电路元件(1)宽度的槽形图形(11)。由于槽形图形(11)的宽度近似等于电路元件(1)的宽度，即使在形成电路元件(1)的同时形成对准标记(2)，在如深腐蚀的工艺期间不必过量除去槽形图形(11)，就可以在半导体衬底(3)的表面上形成可靠的槽形图形(11)。因此，可以在形成半导体电路元件的同时制备清楚的对准标记，且不存在任何塌陷或分离的危险。
半导体衬底对准标记及其制造方法