专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法-CN202180060143.X在审
  • 稻成浩史;吉本洋;井手正仁;真锅贵雄 - 株式会社钟化
  • 2021-07-15 - 2023-05-30 - H01L21/312
  • 薄膜晶体管元件具备栅极层(31)、氧化物半导体薄膜(4)、配置在栅极层与氧化物半导体薄膜之间的栅极绝缘膜(2)、与氧化物半导体薄膜接触的一对源极/漏极(51、52)、以及覆盖氧化物半导体薄膜的树脂膜(6)。氧化物半导体薄膜包含选自由In、Ga、Zn和Sn组成的组中的2种以上的金属元素。在氧化物半导体薄膜上涂布包含含有SiH基的化合物的组合物后,进行加热,由此形成树脂膜。形成树脂膜时的加热温度优选为190~450℃。组合物中的含有SiH基的化合物优选包含0.1mmol/g以上的SiH基。树脂膜可以具有SiH基。
  • 薄膜晶体管元件及其制造方法
  • [发明专利]聚硅氧烷类组合物、固化物及光学器件-CN201510102503.4有效
  • 西山义隆;田中裕之;杉山智史;真锅贵雄 - 株式会社钟化
  • 2011-05-23 - 2017-12-19 - C08L83/07
  • 本发明的目的在于提供具有高耐热性、耐光性且气体阻隔性优异的聚硅氧烷类组合物,本发明的聚硅氧烷类组合物含有利用具有氢化甲硅烷基的化合物(b)对含链烯基的多面体结构聚硅氧烷类化合物(a)进行改性而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体(A),以及在一分子内具有两个以上链烯基的有机聚硅氧烷(B),其中,所述组合物固化后的透湿率为30g/m2/24小时以下,且所述成分(B)的有机聚硅氧烷为含芳基的有机聚硅氧烷(B1),和/或所述组合物进一步含有在一分子内具有一个链烯基或氢化甲硅烷基的有机硅化合物(C1)或者在一分子内具有一个碳‑碳双键的环状烯烃化合物(C2)作为成分(C)。
  • 聚硅氧烷类组合固化光学器件
  • [发明专利]光固化性组合物以及固化物-CN201410738374.3有效
  • 井手正仁;真锅贵雄 - 株式会社钟化
  • 2009-09-30 - 2017-06-23 - C08G59/30
  • 本发明的目的在于提供一种固化性组合物及固化物,该固化性组合物能够形成具有光固化性、且绝缘性优异的固化物。本发明的目的可通过光固化性组合物来实现,作为所述光固化性组合物的必需成分,含有(A)具有光聚合性官能团以及SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、(B)具有碳‑碳双键的化合物、以及(C)光聚合引发剂。用本发明的固化性组合物制作的薄膜具有优异的绝缘性。本发明的固化性组合物可通过溶液涂布成膜,因此可用作可溶液成膜的薄膜绝缘材料。
  • 光固化组合以及固化
  • [发明专利]聚硅氧烷类组合物、固化物及光学器件-CN201180026405.7有效
  • 西山义隆;田中裕之;杉山智史;真锅贵雄 - 株式会社钟化
  • 2011-05-23 - 2013-02-06 - C08L83/14
  • 本发明的目的在于提供具有高耐热性、耐光性且气体阻隔性优异的聚硅氧烷类组合物,本发明的聚硅氧烷类组合物含有利用具有氢化甲硅烷基的化合物(b)对含链烯基的多面体结构聚硅氧烷类化合物(a)进行改性而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体(A),以及在一分子内具有两个以上链烯基的有机聚硅氧烷(B),其中,所述组合物固化后的透湿率为30g/m2/24小时以下,且所述成分(B)的有机聚硅氧烷为含芳基的有机聚硅氧烷(B1),和/或所述组合物进一步含有在一分子内具有一个链烯基或氢化甲硅烷基的有机硅化合物(C1)或者在一分子内具有一个碳-碳双键的环状烯烃化合物(C2)作为成分(C)。
  • 聚硅氧烷类组合固化光学器件
  • [发明专利]光固化性组合物以及固化物-CN200980139066.6有效
  • 井手正仁;真锅贵雄 - 株式会社钟化
  • 2009-09-30 - 2011-08-31 - C08G59/02
  • 本发明的目的在于提供一种固化性组合物及固化物,该固化性组合物能够形成具有光固化性、且绝缘性优异的固化物。本发明的目的可通过光固化性组合物来实现,作为所述光固化性组合物的必需成分,含有:(A)具有光聚合性官能团以及SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、(B)具有碳-碳双键的化合物、以及(C)光聚合引发剂。用本发明的固化性组合物制作的薄膜具有优异的绝缘性。本发明的固化性组合物可通过溶液涂布成膜,因此可用作可溶液成膜的薄膜绝缘材料。
  • 光固化组合以及固化
  • [发明专利]半导电性树脂组合物及半导电性部件-CN200510108720.0无效
  • 真锅贵雄;浅冈圭三;桝田长宏;常深秀成 - 株式会社钟化
  • 2001-12-05 - 2006-06-07 - G03G15/14
  • 本发明的半导电性树脂组合物含有(A)分子中具有1个以上可以进行氢化甲硅烷基化反应的链烯基的氧化烯系聚合物;(B)分子中有2个以上氢化甲硅烷基的化合物;(C)氢化甲硅烷基化催化剂以及(E)非离子表面活性剂。另外,本发明提供由于环境、施加电压造成的电阻变动极小,并且因连续使用的电阻变化少,适于用作电子照相用的半导电性部件。本发明的半导电性部件是由金属支撑部件、在该金属支撑部件外周面上形成的半导电性弹性层、再于该外周面上形成的1层以上的表面层构成的半导电性部件,该部件具有特定的电阻、电阻比。
  • 导电性树脂组合部件
  • [发明专利]半导电性树脂组合物及半导电性部件-CN01820085.0无效
  • 真锅贵雄;浅冈圭三;桝田长宏;常深秀成 - 钟渊化学工业株式会社
  • 2001-12-05 - 2004-05-19 - C08L71/02
  • 本发明的半导电性树脂组合物含有(A)分子中具有1个以上可以进行氢化甲硅烷基化反应的链烯基的氧化烯系聚合物;(B)分子中有2个以上氢化甲硅烷基的化合物;(C)氢化甲硅烷基化催化剂以及(E)非离子表面活性剂。另外,本发明提供由于环境、施加电压造成的电阻变动极小,并且因连续使用的电阻变化少,适于用作电子照相用的半导电性部件。本发明的半导电性部件是由金属支撑部件、在该金属支撑部件外周面上形成的半导电性弹性层、再于该外周面上形成的1层以上的表面层构成的半导电性部件,该部件具有特定的电阻、电阻比。
  • 导电性树脂组合部件

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