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[发明专利]半导体衬底及其制造方法-CN202180091931.5在审
发明人：高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的半导体衬底(1)具有：SiC单晶衬底(10SB)；配置在SiC单晶衬底(10SB)的Si面上的石墨烯层(11GR)；隔着石墨烯层(11GR)配置在SiC单晶衬底(10SB)的上方的SiC外延生长层(12RE)；和配置在SiC外延生长层(12RE)的Si面上的多晶Si层(15PS)。也可以具有配置在多晶Si层(15PS)上的石墨衬底或者硅衬底。此外，也可以具有配置在SiC外延生长层(12RE)的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。
半导体衬底及其制造方法

[发明专利]SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法-CN202180092349.0在审
发明人：高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括：生长炉(100A)；设置在生长炉(100A)的外部，将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107)；构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210)；和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101)，在SiC外延片制造装置中，该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A)，使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。
sic 外延制造装置方法

[发明专利]半导体衬底及其制造方法和半导体器件-CN202180091938.7在审
发明人：高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式的半导体衬底(1)包括：六方晶系的SiC单晶层(13I)；配置在SiC单晶层(13I)的Si面上的SiC外延生长层(12E)；配置在SiC单晶层(13I)的与Si面相对的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。SiC单晶层(13I)具有使氢离子注入层(10HI)脆化了的单晶SiC薄化层(10HE)和磷离子注入层(10PI)。磷离子注入层(10PI)配置在单晶SiC薄化层(10HE)与SiC多晶生长层(18PC)之间。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。
半导体衬底及其制造方法半导体器件

[发明专利]半导体基板及其制造方法-CN202180082058.3在审
发明人： 真砂纪之;前川拓滋;森本满;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明的半导体基板(1)具备SiC单晶基板(10SB)、配置于SiC单晶基板(10SB)的Si面上的第一石墨烯层(11GR1)、隔着第一石墨烯层形成于SiC单晶基板的上方的SiC外延生长层(12RE)、以及配置于SiC外延生长层的Si面上的第二石墨烯层(11GR2)。还具备经由第二石墨烯层临时接合在SiC外延生长层上的SiC多晶基板(16P)。SiC单晶基板能够通过从SiC外延生长层剥离而再利用。还具备在SiC外延生长层的C面CVD生长而成的SiC多晶生长层(18PC)，SiC外延生长层被转印到SiC多晶生长层。本发明提供一种能够提高生产率、可靠性、以及量产度的半导体基板。
半导体及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200480037578.9无效
发明人： 真砂纪之;多田佳广 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置，该装置在筛选试验中，施加高电压用的元件的耐压限度以下的电压，并且可谋求筛选试验的精度的提高。该非易失性存储器装置(51)，其具有产生高电压的高电压产生电路(7)、输入该高电压并对电压波形进行变换的高电压波形变换电路(58)、和设置了通过施加该变换后的高电压而进行数据改写的存储单元的存储单元部(2)，高电压波形变换电路(58)具有测试信号输入部(TEST)，在向该测试信号输入部输入了测试信号时，将从高电压产生电路(7)输入的高电压以不变换电压波形的方式施加到存储单元部(2)。
半导体装置