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[发明专利]双引线架磁耦合封装结构及其制造方法-CN201810011014.1有效
发明人： 王又法;赖巍文;林普翰 -专利权人：光宝新加坡有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种用于磁耦合隔离器的双引线架磁耦合封装结构及其制造方法。制造方法包括引线架提供步骤、芯片连接步骤及线圈对位步骤。引线架提供步骤包括提供第一及第二组引线架，第一及第二组引线架都包括芯片承载部、线圈部、引脚部及浮动引脚。芯片连接步骤包括将第一及第二芯片设置在芯片承载部上且分别电性连接于引脚部。线圈对位步骤包括将第一组引线架设置在第二组引线架的上方或下方，并分别施加第一及第二磁场至第一与第二组引线架，以使两组线圈部相互对位。借此，得以控制两组线圈部相互匹配后所产生的磁耦合效果。
引线耦合封装结构及其制造方法

[发明专利]低压降稳压电路-CN202210005160.X在审
发明人： 王又法;石卫;伊达曼 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种低压降稳压电路。低压降稳压电路包括：一差分放大电路、一自稳定的第二级放大电路、一输出电路以及一频率补偿电路。差分放大电路电性连接自稳定的第二级放大电路。自稳定的第二级放大电路电性连接输出电路。频率补偿电路则是设置在自稳定的第二级放大电路的输出端、输出电路的输出开关组件的第二端，以及输出电路的输出开关组件的第三端之间。
低压稳压电路

[发明专利]用于电容耦合隔离器的电容耦合封装结构-CN201810084327.X有效
发明人： 王又法;赖巍文;林普瀚;吴沅龙 -专利权人：光宝新加坡有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开用于电容耦合隔离器的电容耦合封装结构，包括第一、第二引线架、传送器、接收器及封装体。第一引线架包括第一、第二信号输入引脚及第一电容组件的电极板，第二引线架包括第一、第二信号输出引脚及第二电容组件的电极板，第一与第二电容组件的电极板彼此上下对应并对准以形成多个电容器。传送器设置于第一引线架上且接收器设置于第二引线架上，封装体包覆第一及第二引线架并填充于之间，以使得第一与第二引线架彼此电性隔离。本发明所公开的电容耦合封装结构包括封装内电容器，体积小、制造方法简便及可提供所欲的隔离电压。
用于电容耦合隔离器封装结构

[发明专利]光耦合器电路模型建构方法-CN202110002601.6在审
发明人： 王又法;周佳 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开一种光耦合器电路模型建构方法。光耦合器电路模型建构方法包括：提供光耦合器电路在多个温度值时的多个电性参数。根据在每个温度值的光耦合器的电性参数，建立每个温度值时的光耦合器SPICE模型电路，从而产生多组光耦合器非温度影响的SPICE模型电路；利用电压控制开关和电阻温度特性，产生多个温度电压转换开关电路组件；以及将对应多个温度值的多个温度电压转换开关电路组件分别连接多组非温度影响电路，以产生对应光耦合器的一光耦合器温度仿真电路模型。
耦合器电路模型建构方法

[发明专利]采用Σ-Δ调制技术的模拟光耦隔离放大器的编码和译码方法-CN202010960810.7在审
发明人： 王又法;王雨微;陈明东 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种采用Σ‑Δ调制技术的模拟光耦隔离放大器的编码和译码方法，模拟光耦隔离放大器(Analog Optical Isolated Amplifier)包括一编码器、一光源驱动器，一光源、一光传感器与一译码器，其方法包括：当输入数字信号产生输入脉冲上升沿或输入脉冲下降沿时，通过编码器产生具有预定脉冲宽度的第一脉冲；输出具多个第一脉冲的一编码信号至光源驱动器；根据编码信号的多个第一脉冲，通过光源驱动器，驱动光源，输出编码光信号；通过光传感器感测编码光信号以产生感测信号，且感测信号具有对应第一脉冲的第二脉冲；根据具有多个第二脉冲的感测信号，通过译码器复制编码器的输入数字信号。
采用调制技术模拟隔离放大器编码译码方法

[发明专利]缓冲电路-CN201710223228.0有效
发明人：陈明东;林惠祯;王又法 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供缓冲电路。缓冲电路操作于一工作电压，且由其输入端接收此工作电压，其中此工作电压被控制于一电压区间。缓冲电路至少包括高压恒流缓冲电路。于高压恒流缓冲电路中，第一NMOS晶体管的源极接地，且第一PMOS晶体管与第一NMOS晶体管的两漏极相接。第二PMOS晶体管的源极接于缓冲电路的输入端，且第二PMOS晶体管的漏极接于第一PMOS晶体管的源极。串接式电流镜的输入端接于缓冲电路的输入端，且串接式电流镜的输出端接于第一PMOS晶体管的栅极与第二PMOS晶体管的栅极。第一PMOS晶体管为高电压PMOS晶体管，第一NMOS晶体管为低电压NMOS晶体管，且第二PMOS晶体管为低电压PMOS晶体管。本发明提供的缓冲电路可提高电路可靠性。
缓冲电路

[发明专利]具迟滞功能的比较器电路-CN201910696393.7在审
发明人：陈明东;王又法 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明提供一种具迟滞功能的比较器电路，其包括第一比较器、第二比较器与反相器。第一比较器包括两个N通道金属氧化物(NMOS)晶体管、两个第一P通道金属氧化物(PMOS)晶体管与两个第二PMOS晶体管。NMOS晶体管的栅极接收第一与第二电压，第一PMOS晶体管的源极分别连接第一与第二电阻。第一比较器根据第一与第二电压之间的电压差，从NMOS晶体管的漏极输出差分输出信号。第二比较器的输出端连接第一比较器的第一PMOS晶体管的栅极。反相器的输入端连接第二比较器的输出端，其输出端连接PMOS晶体管的栅极。通过第一与第二电阻。降低第一PMOS晶体管对于温度的敏感度。
迟滞功能比较电路

[发明专利]可携式电子装置及其近距离光学感测模块-CN201611028261.X有效
发明人： 王又法 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F3/03 文献下载
摘要：本发明公开一种可携式电子装置及其近距离光学感测模块。近距离光学感测模块包括电路基板、发光元件、近距离光学感测元件、透光封装结构以及遮光结构。透光封装结构包括一覆盖发光元件的第一封装体以及一覆盖近距离光学感测元件的第二封装体。第二封装体具有一位于近距离光学感测元件的光感测区域的上方的倾斜面。借此，本发明不需要额外提供任何外部的绝缘体，而是直接通过倾斜面的设计，以减少发光元件与近距离光学感测元件两者之间所产生串扰，并有效提升近距离光学感测元件所接收到光源信号的信噪比。
可携式电子装置及其近距离光学模块

[发明专利]翻转式磁耦合封装结构及其引线架组件与制造方法-CN201711031101.5有效
发明人： 王又法 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01F38/14 文献下载
摘要：本发明公开的翻转式磁耦合封装结构的制造方法包括提供具有架体及连接于架体的第一及第二组引线架的引线架结构，第一组引线架包括第一芯片承载部、第一线圈部、多个第一引脚部及第一浮动引脚，第二组引线架包括第二芯片承载部、第二线圈部、多个第二引脚部及第二浮动引脚；将第一及第二芯片分别设置在第一与第二芯片承载部上且分别电性连接于第一与第二引脚部；及相对于架体翻转第一组引线架并将第一组引线架移至第二组引线架的上或下方，以在第一与第二组引线架间产生电性隔离，第一与第二线圈部相互对准而产生磁耦合。
翻转耦合封装结构及其引线组件制造方法

[发明专利]低压降分流稳压器-CN201810516123.9有效
发明人：陈明东;林惠祯;王又法 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种低压降分流稳压器，其包括一第一电流镜模块、一第二电流镜模块以及一输出模块。第一电流镜模块的第一端电性连接输入电压，第一电流镜模块具有一高输出阻抗；第二电流镜模块的第一端电性连接第一电流镜模块的第二端，第二电流镜模块的第二端电性连接一参考电压；输出模块的输出端电性连接第一电流镜模块的第三端，所述输出模块的输出端以及第一端分别电性连接第二电流镜模块，输出模块的所述第二端电性连接参考电压。本发明中的低压降分流稳压器是利用结合低压制程以及高压制程开关组件，构成具有高输出阻抗的电流镜电路，以降低大幅度的输入电压范围所造成的电流变化，更可以减少低压降分流稳压器内部消耗能量。
低压分流稳压器

[发明专利]转阻放大器-CN201610302649.8有效
发明人：陈明东;林惠祯;王又法 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本公开提供一种转阻放大器，包括第一级转导放大器、第二级转导放大器、第三级放大器与反馈电路。第一级转导放大器电性连接于输入电流源，以接收第一输入信号，再输出第一输出信号。第二级转导放大器电性连接于第一级转导放大器，以接收第一输出信号，再输出第二输出信号。第三级放大器电性连接于第二级转导放大器，以接收第二输出信号，再由输出第三输出信号。反馈电路的一端电性连接于第一级转导放大器，反馈电路的另一端电性连接于第三级放大器，以稳定第三输出信号。其中，第三级放大器由第一输出级与第二输出级所组成。本公开可以缩短转阻放大器的传输延迟的时间。
放大器

[发明专利]差分转阻放大器-CN201711308269.6在审
发明人： 王又法;陈明东 -专利权人：光宝新加坡有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种差分转阻放大器包括第一差分放大电路、第二带反馈差分放大电路、第一源极随耦器与第二源极随耦器、第一反馈电阻与第二反馈电组、感光二极管与补偿二极管。第一源极随耦器的输入端耦接于第一差分放大电路的第一输出端，且第一源极随耦器的输出端耦接于第二带反馈差分放大电路的第二输入端与第一反馈电阻。第二源极随耦器的输入端耦接于第一差分放大电路的第二输出端，且第二源极随耦器的输出端耦接于第二带反馈差分放大电路的第一输入端与第二反馈电阻。感光二极管与补偿二极管分别连接第一差分放大电路的两输入端。
差分放大电路源极随耦器输入端输出端耦接反馈电阻反馈补偿二极管感光二极管转阻放大器

[发明专利]表面封装式菲涅尔LED微型闪光灯结构-CN201510096985.7有效
发明人： 王又法 -专利权人：光宝新加坡有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：一种表面封装式菲涅尔LED微型闪光灯结构，适用于手机照相机，其包括一壳体、一阵列式光源及一微柱状菲涅尔镜片。壳体具有一底壁、及由该底壁向上延伸的多个侧壁而形成一矩形容置空间，该壳体定义一纵长方向及一宽度方向；阵列式光源沿着上述纵长方向置于该底壁上；微柱状菲涅尔镜片覆盖于该壳体的顶端，其包括一柱状平凸透镜、以及二齿状透镜区分别位于该柱状平凸透镜二侧，每一该齿状透镜区具有多个条形齿状透镜；该柱状平凸透镜及该多个条形齿状透镜沿着上述宽度方向彼此平行；该柱状平凸透镜的中心轴对应于该阵列式光源的中心位置。借此本发明提供大致呈矩形且均匀照明度的闪光照明光型。
表面封装式菲涅尔 led 微型闪光灯结构

[发明专利]整合式感测封装结构-CN201110257279.8无效
发明人： 王又法;林生兴;吴德财;陈顺利 -专利权人：光宝新加坡有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：一种整合式感测封装结构，包括一可阻隔红外线的基板，该基板的顶面凹设有一杯状的第一容置部及第二容置部，其中该第一容置部内壁面形成一反射层；一发光二极管设置于该第一容置部的底部；一第一组接脚电性连接于该发光二极管并延伸至该基板的外表面；一红外线感测芯片设置于该第二容置部内；一第二组接脚电性连接于该红外线感测芯片并延伸至该基板的外表面；及一可阻隔红外线的盖体覆盖于该基板的该顶面，形成至少一开孔对应于该红外线感测芯片。本发明可解决整合式感测封装结构的红外线干扰杂讯问题，并且结构较为稳固。
整合式感测封装结构

[发明专利]发光单元、其制造方法及触控面板-CN201110227784.8有效
发明人： 王又法 -专利权人：光宝新加坡有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光单元、其制造方法及触控面板，该发光单元的制造方法包括以下步骤：提供一基板，该基板上包含有多个电路区域，并将一发光元件分别设置于每一个该电路区域上；对应于每一个该电路区域成型一封装结构，该封装结构包覆该发光元件；以及沿着两个轴向的切割道进行切割以形成多个单一的发光单元，其中该封装结构在该两个轴向上分别经过两次切割，使该封装结构具有一个顶面及两组相对应的侧面，以形成双锥形的封装结构；其中，每一个发光单元在两个发光方向上具有不对称的发光形态。该制造方法成形的封装结构可控制发光元件的光线在不同发光方向上具有不对称的形态，以满足在触控面板、触控屏幕等的特定的需求。
发光单元制造方法面板

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