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[发明专利]有机化合物及使用了它的半导体薄膜电极、光电转换元件、光电化学太阳能电池-CN200780010025.8有效
发明人：甲村长利;原浩二郎 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： C09B23/00 文献下载
摘要：为了提高开路电压，显示高光电转换效率的有机化合物，以该有机化合物作为色素的半导体薄膜电极，提供使用了该半导体薄膜电极的光电转换元件及使用了该光电转换元件的色素敏化型太阳能电池，使用的是上述普通式(1)所示的有机化合物。(式中、A是咔唑(Carbazole)环，L₁是噻吩(Thiophene)环、呋喃环(FURan)、吡咯(Pyrrol)环或者从对这些进行稠环所得的多元环中选择至少包含1种多元的环的电子传递性连接基，R是从烷基(Alkyl)、烷氧基(Alkoxy)及芳基(Aryl)中选择至少一种结合到电子传递性连接基中的置换基，X是从氰基(cyano)、香芹酮(Carvone)氧基、酯基(Ester)、酰胺基(Amide)、三氟甲基(trifluoromethyl)、全氟乙基(pentafluoroethyl)、砜(Sulfone)氧基及三氟甲磺酸氧基(Trifluoromethanesulfonic acid)中选择至少一种的电子吸收性基，M表示氢原子或氯形成阳离子。n表示1～12的整数。)
有机化合物使用半导体薄膜电极光电转换元件化学太阳能电池

[发明专利]纤维和纤维结构物的漂白、改性装置-CN200780009763.0无效
发明人：大内秋比古;丹羽由树;傍岛光郎;佐桥晃周 -专利权人：日清纺织株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： D06L3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纤维和纤维结构物的漂白、改性装置，以及使用该装置的光源单元，纤维和纤维结构物的漂白、改性装置利用灯对浸渍有氧化剂或还原剂等的药液的纤维及纤维结构物照射紫外光和/或可见光，来对纤维和纤维结构物进行漂白、改性，所述漂白、改性装置能防止灯的污染、并且能够提高装置的运转效率。该纤维和纤维结构物的漂白、改性装置设有光源单元(15)，该光源单元(15)包括：灯(153)，其照射紫外光和/或可见光；框体(150)，其收纳该灯(153)；和透明板(155)，其安装在该框体上，并使灯(153)的照射光透射，所述漂白、改性装置还设置有将所述光源单元(15)支承成可自由装卸的支承部件。
纤维纤维结构漂白改性装置

[发明专利]应力历史记录系统-CN200780008442.9无效
发明人：徐超男;寺崎正;今井祐介;山田浩志 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-03-06 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：提供一种用于记录应力历史的应力历史记录系统，其包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光装置；以及记录因来自该发光装置的发光而发生的光反应的历史的记录装置。这样，实现了采用应力发光材料的记录应力历史的技术。
应力历史记录系统

[发明专利]液体喷射设备及其方法、用于形成电路板的布线图案的方法-CN200810210282.2有效
发明人：岩下广信;山本和典;西尾茂;村田和广 -专利权人：柯尼卡美能达控股株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： B41J2/06 文献下载
摘要：一种液体喷射设备，包括：具有用于从尖端部分喷射带电溶液的小滴的喷嘴(51)的液体喷射头(56)；被提供在所述液体喷射头上的喷射电极(58)，对其施加电压以产生电场从而喷射所述小滴；电压施加单元(35)，用于对所述喷射电极施加电压；包括绝缘材料的载体K，用于接收喷射的小滴；以及喷射气氛调节单元(70)，用于保持经受液体喷射头的喷射的气氛为9℃或9℃以上并且小于水的饱和温度的露点。
液体喷射设备及其方法用于形成电路板布线图案

[发明专利]粘土膜及其制造方法-CN200780003874.0有效
发明人：暇名武雄;水上富士夫;田中秀康;中川义清 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所;旭化成株式会社
申请日： 2007-01-29 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C01B33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种透明的粘土膜及其制造方法，该透明的粘土膜是粘土或添加剂均一地分散，难以产生裂纹、裂缝等的缺陷，而且即使放置在大气中，薄雾也难以随时间的变化而产生增大。混合作为粘土的合成皂石和作为溶剂的水，得到粘土分散液。又，混合作为添加剂的聚丙烯酸钠和作为溶剂的水，得到含添加剂液。接着，混合该粘土分散液和含添加剂液，得到均一的含粘土液。并且，在真空下，对含粘土液进行脱气。将已脱气的含粘土液涂布在聚丙烯制浅盘的表面中的平坦部分。并且，干燥后，将形成的粘土膜从浅盘剥离。
粘土及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN200780003089.5有效
发明人：细井康成;粟屋信义;井上公 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]定向碳纳米管整体集合体及其制造方法与用途-CN200780001920.3有效
发明人：畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄;饭岛澄男 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本申请的发明的定向碳纳米管整体集合体，其特征在于，多根碳纳米管在规定的方向定向，密度为0.2～1.5g/cm³。该定向碳纳米管整体集合体，是通过在金属催化剂存在下，使碳纳米管进行化学气相沉积(CVD)的方法中，在反应氛围气中使多根碳纳米管定向成长，通过把得到的多根碳纳米管接触液体后进行干燥，得到密度为0.2～1.5g/cm³的定向碳纳米管整体集合体，由此提供：实现原来没有的高密度并且高硬度的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法。
定向纳米整体集合体及其制造方法用途

[发明专利]具有不同密度部分的定向碳纳米管整体结构体及其制造方法与用途-CN200780001942.X无效
发明人：畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄;饭岛澄男 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同密度部分的定向碳纳米管整体结构体，其特征在于，多根碳纳米管在规定的方向定向，具有密度为0.2～1.5g/cm³的高密度部分与0.001～0.2g/cm³的低密度部分。该结构体，是通过在金属催化剂存在下使碳纳米管化学气相沉积(CVD)的方法中，使多根碳纳米管定向成长，把得到的多根碳纳米管的一部分与液体接触后通过干燥而制成。根据情况，提供：控制密度和硬度等诸性质的定向碳纳米管整体结构体及其制造方法与用途。
具有不同密度部分定向纳米整体结构及其制造方法用途

[发明专利]液体喷射设备及其方法、用于形成电路板的布线图案的方法-CN200810210287.5有效
发明人：岩下广信;山本和典;西尾茂;村田和广 -专利权人：柯尼卡美能达控股株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：一种液体喷射设备，包括：具有用于从尖端部分喷射带电溶液的小滴的喷嘴(51)的液体喷射头(56)；被提供在所述液体喷射头上的喷射电极(58)，对其施加电压以产生电场从而喷射所述小滴；电压施加单元(35)，用于对所述喷射电极施加电压；包括绝缘材料的载体K，用于接收喷射的小滴；以及喷射气氛调节单元(70)，用于保持经受液体喷射头的喷射的气氛为9℃或9℃以上并且小于水的饱和温度的露点。
液体喷射设备及其方法用于形成电路板布线图案

[发明专利]液体喷射设备及其方法、用于形成电路板的布线图案的方法-CN200810210286.0有效
发明人：岩下广信;山本和典;西尾茂;村田和广 -专利权人：柯尼卡美能达控股株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： B41J2/06 文献下载
摘要：一种液体喷射设备，包括：具有用于从尖端部分喷射带电溶液的小滴的喷嘴(51)的液体喷射头(56)；被提供在所述液体喷射头上的喷射电极(58)，对其施加电压以产生电场从而喷射所述小滴；电压施加单元(35)，用于对所述喷射电极施加电压；包括绝缘材料的载体K，用于接收喷射的小滴；以及喷射气氛调节单元(70)，用于保持经受液体喷射头的喷射的气氛为9℃或9℃以上并且小于水的饱和温度的露点。
液体喷射设备及其方法用于形成电路板布线图案

[发明专利]光控场效应晶体管和使用它的集成光电检测器-CN200780001295.2有效
发明人：小仓睦郎 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的光控FET具有：衬底侧耗尽层生成层兼背栅层(13；13a，13b)，设置于衬底(10)和沟道层之间，形成对沟道层(10)的同质结或异质结，使衬底侧耗尽层(22)从衬底(10)一侧向沟道层(15)延伸，并通过利用对沟道层(15)照射光而光产生的载流子对背栅施加偏置。在沟道层(15)的表面侧设置有势垒层(16)，其带隙比沟道层(15)的宽，使得光产生的载流子中的一种在沟道层(15)中运动，而光产生的载流子中的另一种停滞或者被阻挡。在沟道层(15)表面侧设有表面侧耗尽层生成层(17)，使表面侧耗尽层(21)从该表面侧延伸进沟道层(15)，当无光照时使表面侧耗尽层(21)与衬底侧耗尽层(22)相接触以关闭沟道层(15)中的电流通路，从而使元件为截止状态。
光控场效应晶体管使用集成光电检测器

[发明专利]超导氧化物材料的制造方法-CN200780001316.0有效
发明人：相马贡;土屋哲男;熊谷俊弥;塚田谦一;小柳邦彦;海老泽孝;大津英彦 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社日本制钢所
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C01G1/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供在进行金属有机化合物的热分解及超导物质的热处理形成时，效率高地制造性能得以改善的大面积的超导材料的方法。本发明涉及一种超导材料的制造方法，其特征在于：在经过下述的工序(1)、(2)和(3)来制造外延生长的超导涂敷材料时，当在工序(1)和工序(2)之间照射激光时，从涂布有形成超导物质的金属的有机化合物溶液的一面的相反侧的面照射激光，其中工序(1)是将氧化物形成超导物质的金属的有机化合物溶液涂布在支持体上并使其干燥的工序，工序(2)是使金属的有机化合物中的有机成分热分解的准烧成工序，工序(3)是进行向超导物质转化的正式烧成工序。
超导氧化物材料制造方法

[发明专利]开关元件-CN200810125332.7有效
发明人：古田成生;增田雄一郎;高桥刚;小野雅敏;内藤泰久;堀川昌代;清水哲夫 -专利权人：株式会社船井电机新应用技术研究所;独立行政法人产业技术综合研究所;船井电机株式会社
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种开关元件，包括：绝缘衬底；第一电极和第二电极，都设置在所述绝缘衬底的一个表面上，以及电极间间隙，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米量级的间隙，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加预定电压，所述间隙中发生电阻的开关现象，其中所述绝缘衬底的所述一个表面含氮。本发明能够降低开关元件的工作电压。
开关元件

[发明专利]压电体薄膜、压电体及其制造方法、以及压电体谐振子-CN200810099857.8有效
发明人：秋山守人;蒲原敏浩;上野直广;加纳一彦;勅使河原明彦;竹内幸裕;川原伸章 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社电装
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。
压电薄膜及其制造方法以及谐振子

[发明专利]压电元件及其制造方法-CN200480002472.5无效
发明人：秋山守人;上野直广;立山博;桑野范之 -专利权人： 独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2004-01-21 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明在石英玻璃基板或不锈钢基板上形成下部电极。在下部电极上用溅射法通过制作薄膜状氮化铝和/或氧化锌，形成压电体薄膜，使其偶极子取向度在55％以上。然后，在压电体薄膜上形成上部电极。压电元件的压电层由氮化铝和/或氧化锌构成。具有晶体结构的氮化铝或氧化锌由于其晶体结构不存在对称性，故原来就具备压电性，并且像铁电体那样不存在居里温度，即使在高温下也不产生磁位错，故直至晶体熔解或升华，都不会失去压电性。
压电元件及其制造方法