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[发明专利]晶体振荡器使能电路-CN202010734476.3有效
发明人：方修成;王占奎;刘兰坤;刘晓红;陈中平;牛占鲁;孟昭建;李增路;田树蕾;李云霞;闫敏芳;张宁 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体振荡器使能电路，包括：电位控制模块和电阻控制模块；电位控制模块适于与使能端连接和使能输出控制端连接，用于当使能端接低电位时，使得使能输出控制端为高电位，或，当使能端悬空时，使得使能输出控制端为低电位；电阻控制模块，适于与使能端和使能输出控制端连接，用于当使能端为低电位时，电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值，或当使能端悬空时，电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值，第一预设阻值大于第二预设阻值。本发明能够使晶体振荡器为待机工作状态时上拉阻值为大阻值，保障晶体振荡器的节能特性，还能使得晶体振荡器为工作状态时上拉阻值为小阻值，保障晶体振荡器的抗干扰特性。
晶体振荡器电路

[发明专利]基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统-CN201911301656.6有效
发明人：徐淑壹;王占奎;刘兰坤;陈中平;牛占鲁;孟昭建;戴文涛;朱晴;李运慈;王立亚;唐彦鹏;杨海利 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压，再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压，该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率，从而减小晶体振荡器的频率变化，优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
基于加速度补偿技术晶体振荡器频率系统

[实用新型]SMD石英晶体谐振器抗冲击结构-CN202023138591.9有效
发明人：逄杰;孟昭建;王占奎;刘兰坤;徐淑一;牛占鲁;宋学峰;杨晓雷;戴文涛;田树蕾;高畅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本实用新型通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。
smd 石英晶体谐振器冲击结构

[发明专利]SMD石英晶体谐振器抗冲击结构-CN202011540745.9在审
发明人：逄杰;孟昭建;王占奎;刘兰坤;徐淑一;牛占鲁;宋学峰;杨晓雷;戴文涛;田树蕾;高畅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。
smd 石英晶体谐振器冲击结构