“潘伦桃”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]钽粉的造粒装置及造粒制造凝聚钽粉的方法-CN201210115540.5有效
发明人： 潘伦桃 -专利权人： 潘伦桃
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽粉的造粒装置，包括：一个筛子，在水平面旋转的固定着的所述筛子的旋转架，和放置在所述筛子下面的接料盘。本发明还公开了一种造粒制造凝聚钽粉的方法，将钽粉与一种液体混合，形成有40%以上孔隙度的湿钽粉，接着进行造粒，形成至少有30%孔隙度的可分的凝聚湿钽粉，将所述可分的凝聚湿钽粉烘干后得到预凝聚钽粉造粒体，再将预凝聚钽粉造粒体进行热处理得到凝聚钽粉。按照本发明方法生产的钽粉具有优异的物理性能和电气性能，钽粉生产成本低。
装置制造凝聚方法

[实用新型]一种钽粉造粒装置-CN201120407425.6有效
发明人： 潘伦桃 -专利权人： 潘伦桃
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钽粉造粒装置，其特征在于主要包括：一个筛子，一个固定着筛子的能在水平面旋转的旋转架，一个放置在上述筛子下面的接料盘和一个驱动旋转架旋转的马达与传动机构。本实用新型造粒的钽粉造粒体的最大粒径被严格受到控制，粒度分布范围小，产品不会因造粒而被污染，设备简单，而且生产率高，钽粉生产成本低。
一种钽粉造粒装置

[实用新型]一种具有斜向上喷气孔的氯化氢气体喷出用构件-CN201020558134.2无效
发明人：吴卫星;浦全富;李海军;刘军;徐立新;陈艳梅;陈国奇;潘伦桃 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三氯硅烷合成塔用的氯化氢气体喷出用构件（50），包括带螺纹的轴部(51)、和所述轴部（51）相接的具有和所述轴部（51）相同轴心线的头部（52）及和所述头部（52）相接的端帽部（53），其中所述头部（52）外径大于轴部（51）外径，端帽部（53）外径大于头部的最大外径；所述轴部（51）中心设有轴向供气孔（54）、所述供气（54）孔延伸到所述头部（52）内，所述头部（52）上设有多个和所述供气孔（54）交叉相通的从头部外表面开口的与向上的轴心线的夹角为80度～40度斜向上喷气孔（56）。本实用新型氯化氢气体喷出用构件，喷气效果好，不易被堵塞，使用寿命长；本实用新型装置方法合成三氯硅烷转换率高，生产效率高。
一种具有向上喷气氯化氢气体喷出构件

[实用新型]循环冷却钽金属表面钝化装置-CN201120115137.3有效
发明人： 潘伦桃 -专利权人： 潘伦桃
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： B22F9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种循环冷却钽金属表面钝化装置，其包括热处理反应室及一使反应器内气体循环冷却的系统，所述气体循环冷却系统主要包括：气体冷却管道、气体缓冲室和气体循环泵；其中，气体循环泵将温度较低的气体送入反应室下部，并将反应室里温度较高的气体从反应室上部抽出，经过气体冷却管道而被冷却后再送入反应室下部。利用本实用新型的钽金属表面钝化装置进行钽金属表面钝化，安全可靠，生产效率高，不会发生钽金属的激烈氧化；得到的钽金属氧含量低，并且由如此制得的钽金属阳极漏电流低，电性能好。
循环冷却金属表面钝化装置

[实用新型]具有制冷装置的钽金属表面钝化装置-CN201120115130.1有效
发明人： 潘伦桃 -专利权人： 潘伦桃
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有制冷装置的钽金属表面钝化装置，其包括热处理炉，及一使反应器内气体循环冷却系统，所述气体循环冷却系统主要包括：气体冷却管道、气体缓冲室、制冷室和气体循环泵；其中，气体循环泵将气体送入制冷室被制冷，并将制冷的气体送入反应室下部；将反应室里温度较高的气体从反应室上部抽出，经过气体冷却管道而被冷却后再送入制冷室被制冷，然后又被送入反应室下部，如此循环。利用本实用新型的钽金属表面钝化装置进行钽金属表面钝化，安全可靠，生产效率高，不会发生钽金属的激烈氧化；得到的钽金属氧含量低，并且由如此制得的钽金属阳极漏电流低，电性能好。
具有制冷装置金属表面钝化

[实用新型]一种有隔热屏节能型多晶硅还原炉-CN201120133011.9无效
发明人：张春林;浦全福;陈艳梅;刘军;孙银祥;陈国奇;潘伦桃;张汝有;张玉库 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有隔热屏节能型多晶硅还原炉，该还原炉包括钟罩型炉壁，设置在炉壁下方的底盘，设置在底盘上的电极和安装在电极上的硅芯棒，底盘上还设置有原料气体进入口和尾气排气口，其特征是：上述底盘上设置有一个与炉壁同心且将硅芯棒罩住的钟罩式隔热屏，该隔热屏是由圆筒部和与所述圆筒部相接的有通孔的顶部组成；在底盘中心设置有尾气排气口，在隔热屏的圆筒部与炉壁之间的底盘上和圆筒部内的底盘上均设置有原料气体进入口。本实用新型的多晶硅还原炉，采用隔热屏罩住多晶硅，从而大幅度减少热量损失，并使原料气体得到预热，并能够提高硅的一次转化率。
一种隔热节能型多晶还原

[发明专利]一种节能多晶硅还原炉及多晶硅的制造方法-CN201110110295.4无效
发明人：张春林;浦全福;刘军;陈艳梅;孙银祥;陈国奇;杨君;潘伦桃 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种节能多晶硅还原炉及多晶硅的制造方法，该多晶硅还原炉，包括钟罩型炉壁，设置在炉壁下方的底盘，设置在底盘上的电极和安装在电极上的硅芯棒，底盘上还设置有原料气体进入口和尾气排气口，其特征是：上述底盘上设置有一个与炉壁同心且将硅芯棒罩住的钟罩式隔热屏，该隔热屏是由圆筒部和与所述圆筒部相接的有通孔的顶部组成；所述的原料气体进入口至少部分地设置在隔热屏的圆筒部与炉壁之间的底盘上，尾气排气口设在底盘中心。本发明利用隔热屏罩住多晶硅，从而大幅度减少热量损失，并使原料气体得到预热，并能够提高三氯氢硅的转化率。
一种节能多晶还原制造方法

[实用新型]一种节能型多晶硅还原炉-CN201120133015.7无效
发明人：张春林;浦全福;孙银祥;刘军;陈艳梅;陈国奇;杨君;潘伦桃 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅还原炉，该还原炉包括钟罩型炉壁，设置在炉壁下方的底盘，设置在底盘上的电极和安装在电极上的硅芯棒，底盘上还设置有原料气体进入口和尾气排气口，其特征是：上述底盘上设置有一个与炉壁同心且将硅芯棒罩住的钟罩式隔热屏，该隔热屏是由圆筒部和与所述圆筒部相接的有通孔的顶部组成；上述原料气体进入口设置在隔热屏的圆筒部与炉壁之间的底盘上，尾气排气口设在底盘中心。本实用新型的多晶硅还原炉，采用隔热屏罩住多晶硅，从而大幅度减少热量损失，并使原料气体得到预热，并能够提高硅的一次转化率。
一种节能型多晶还原

[发明专利]钠还原氟钽酸钾产物的水洗方法及装置-CN201110097826.0有效
发明人： 潘伦桃 -专利权人： 潘伦桃
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C22B34/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种钠还原氟钽酸钾产物的水洗方法及装置，该水洗方法是将钠还原氟钽酸钾得到的凝结快经过破碎，先进行滤洗水洗，然后搅拌水洗，酸洗，烘干得到钽粉原粉。这样得到的钽粉具有高纯度及好的孔隙度，生产出特别适合于制造电解电容器的凝聚钽粉。
还原氟钽酸钾产物水洗方法装置

[发明专利]钽金属表面钝化方法及装置-CN201110097815.2有效
发明人： 潘伦桃 -专利权人： 潘伦桃
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C8/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种热处理后的钽金属表面钝化的方法，将温度较低的含氧气体送入反应室下部，使热处理后的钽金属表面钝化，同时从反应室上部将温度较高的含氧气体抽走，形成一种流动的含氧气体使钽金属表面钝化的过程。本发明还提供一种实施所述方法的钽金属表面钝化装置。按照本发明方法制备钽金属，可以大幅度缩短钽金属钝化时间，钝化过程安全可靠，生产率高，得到的钽粉和钽阳极的氧含量低，电气性能好。
金属表面钝化方法装置

[实用新型]具有水平喷气孔和斜向上喷气孔氯化氢气体喷出构件-CN201020558133.8无效
发明人：吴卫星;浦全富;李海军;张春林;徐立新;刘军;陈艳梅;陈国奇;潘伦桃 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有水平喷气孔和斜向上喷气孔的氯化氢气体喷出用构件，包括带螺纹的轴部(51)、和所述轴部（51）相接的具有和所述轴部（51）相同轴心线的头部（52）及和所述头部（52）相接的端帽部（53），其中所述头部（52）外径大于所述轴部（51）外径，所述端帽部（53）外径大于所述头部（52）的最大外径；所述轴部（51）中心设有轴向供气孔（54）、所述供气孔（54）延伸到所述头部（52）内，所述头部（52）上设有多个和所述供气孔（54）交叉相通的从头部外表面开口的喷气孔（55）和（56）；所述喷气孔（55）和（56）与向上的轴心线的夹角分别为90度和40～80度。本实用新型氯化氢气体喷出用构件，喷气效果好，不易被堵塞，使用寿命长；本实用新型装置合成三氯硅烷转换率高，生产效率高。
具有水平喷气向上氯化氢气体喷出构件

[实用新型]一种有筛网式硅粉阻挡器的三氯硅烷合成装置-CN201020604446.2无效
发明人：李海军;吴卫星;刘军;潘伦桃;谢郁生;张建成;杨洲;杨树文;尚其伟;曹明;刘跃进 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2010-11-13 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括氯化氢气体供气管道（18）、氯化氢气体缓冲室（17）、氯化氢气体分配板（50）、氯化氢与硅粉反应的反应室（11）、硅粉加料口（14）、硅粉和气体进行分离的气-固分离室（12）及反应气体取出口（13）的三氯硅烷合成装置（10a），还包括一筛网式硅粉阻挡器（60a）和旋转式吹气管(32)，所述的筛网式硅粉阻挡器（60a）包括：筛网线(62a)、由筛网线(62a)编织组成的方形孔(61a)、加固环(63a)制成筛网（64a）和将多层所述的筛网（64a）的加固环(63a)连接的支柱(65a)。所述的筛网式硅粉阻挡器（60a）被安装在三氯硅烷合成装置反应室(11)上部的扩径部的上部气固分离室(12)中，在所述气固分离室顶部的吹气管(32)下方；所述的吹气管(32)可以旋转将高压气体吹送到硅粉阻挡器（60a）的各部位。按照本实用新型，上升到气固分离室（12）里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器（60a）上，并被载气吹送返回到反应室（11）里与氯化氢气体反应，因此，三氯硅烷转化率高，节约能源，生产效率高。
一种筛网式硅粉阻挡硅烷合成装置

[实用新型]一种有板式硅粉阻挡器的三氯硅烷合成装置-CN201020604444.3无效
发明人：吴卫星;李海军;潘伦桃;陈艳梅;杨树文;杜翔;孙银祥;谢郁生;曹明;张展宏;刘跃进;尤吉生 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2010-11-13 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括氯化氢气体供气管道（18）、氯化氢气体缓冲室（17）、氯化氢气体分配板（50）、氯化氢与硅粉反应的反应室（11）、硅粉加料口（14）、硅粉和气体进行分离的气-固分离室（12）及反应气体取出口（13）的三氯硅烷合成装置（10），还包括一金属板式硅粉阻挡器（60c）和吹气管(32)，所述的板式硅粉阻挡器（60c）包括：有通孔(61c)的金属板(62c)、加固环(63c)，和将多层所述的加固环(63c)连接组成金属板式硅粉阻挡器（60c）的支柱(64c)。所述的金属板式硅粉阻挡器（60c）被安装在三氯硅烷合成装置反应室（11）上部的扩径部的上部气固分离室（12）中，在所述气固分离室（12）顶部的吹气管（32）下方；所述的吹气管（32）可以将高压气体吹送到硅粉阻挡器的各部位。按照本实用新型，上升到气固分离室（12）里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器（60c）上，并被载气吹送到反应室里（11）与氯化氢气体反应，因此，三氯硅烷转化率高，节约能源，生产效率高。
一种板式阻挡硅烷合成装置

[实用新型]一种有栅板式硅粉阻挡器的三氯硅烷合成装置-CN201020604447.7无效
发明人：吴卫星;李海军;刘军;潘伦桃;杨君;吕建波;陈其顺;张治;张文华;张建成;张汝有 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2010-11-13 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括氯化氢气体供气管道（18）、氯化氢气体缓冲室（17）、氯化氢气体分配板（50）、氯化氢与硅粉反应的反应室（11）、硅粉加料口（14）、硅粉和气体进行分离的气-固分离室（12）及反应气体取出口（13）的三氯硅烷合成装置（10b），还包括一栅板式硅粉阻挡器（60b）和旋转式吹气管(32)，所述的栅板式硅粉阻挡器（60b）包括：栅板条(62b)、由栅板条组成的有方形孔(61b)的栅板（64b）和加固环(63b)，和将多层所述的栅板加固环(63b)连接组成栅板式硅粉阻挡器的支柱（65b）。所述的栅板式硅粉阻挡器（60b）被安装在三氯硅烷合成装置反应室（11）上部的扩径部的上部气固分离室(12)中，在所述气固分离室顶部的吹气管(32)下方；所述的旋转式吹气管可以将高压气体吹送到硅粉阻挡器的各部位。按照本实用新型，上升到气固分离室里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器上，并被载气吹送到反应室里与氯化氢气体反应，因此，三氯硅烷转化率高，节约能源，生产效率高。
一种板式阻挡硅烷合成装置

[实用新型]一种具有水平喷气孔的氯化氢气体喷出用构件-CN201020558135.7无效
发明人：吴卫星;浦全富;李海军;张春林;徐立新;刘军;陈艳梅;陈国奇;潘伦桃 -专利权人：宁夏阳光硅业有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三氯硅烷合成塔用的氯化氢气体喷出用构件（50），包括带螺纹的轴部(51)、和所述轴部（51）相接的具有和所述轴部（51）相同轴心线的头部（52）及和所述头部（52）相接的端帽部（53），其中所述头部（52）外径大于轴部（51）外径，端帽部（53）外径大于头部（52）的最大外径；所述轴部(51)中心设有轴向供气孔（54）、所述供气孔（54）延伸到所述头部（52）内，所述头部（52）上设有多个和所述供气孔（54）交叉相通的从头部外表面开口的与向上的轴心线的夹角为90度水平喷气孔（55）。本实用新型氯化氢气体喷出用构件，不易被堵塞，使用寿命长；本实用新型装置合成三氯硅烷转换率高，生产效率高。
一种具有水平喷气氯化氢气体喷出构件

1
2
下一页»
尾页
共 28 条