专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高填充系数雪崩二极管传感器-CN202210399778.9在审
  • 岳越 - 浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种高填充系数雪崩二极管传感器,包括,制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列,所述SPAD像元二维阵列包括:若干像元组,每个像元组包括至少两个SPAD像元;若干AFE集中摆放区域,一个或多个所述像元组的控制检测电路集中配置于同一个AFE集中摆放区域内;以及,围绕每个AFE集中摆放区域设置的隔离区域。本发明通过对SPAD像元和控制检测电路分别进行集中布局的方法,显著减少了像元和控制电路之间的隔离区域所占用的面积,进而缩小了芯片面积,并有效提高了SPAD传感器的填充系数,从而为基于FSI或者非像元级互联的BSI工艺低成本地制备具有高填充系数的雪崩二极管传感器奠定了技术基础。
  • 一种填充系数雪崩二极管传感器
  • [发明专利]雪崩二极管控制电路-CN202210398843.6在审
  • 岳越 - 浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
  • 2022-04-15 - 2023-05-16 - H03K17/22
  • 本发明公开了一种雪崩二极管控制电路,包括:像元组,其包括至少两个带有倍增功能的像元,所述像元为APD或SPAD;信号检出电路,其耦接所述像元组,被配置为检测所述像元组产生的电信号;至少一个复位/淬灭电路,其耦接所述像元组或像元组中的像元,被配置为对像元进行复位和/或淬灭;第一使能电路,其对应所述像元组中的单个或多个像元设置,用于基于使能信号控制像元与信号检出电路之间的电气连接状态。本发明的雪崩二极管控制电路,通过在雪崩二极管和复位电路及信号检出电路之间引入使能电路以实现分时复用,进而节约了芯片面积,提高了集成度。
  • 雪崩二极管控制电路

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