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[发明专利]使用主动调节反应性气体的注入速度的喷头的化学气相沉积设备及其方法-CN201310090757.X无效
发明人：卞哲秀;韩万哲 -专利权人：韩国生产技术研究院;派松尼克斯株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及使用喷头的化学气相沉积(CVD)用设备和方法，通过所述喷头，将至少一种反应性气体和吹扫气体注入到衬底上，在所述衬底上生长膜。将多个反应性气体喷头组件布置在吹扫气体喷头组件上。每种反应性气体在独立地流经所述喷头后，从所述喷头的底部注入，从而防止所述反应性气体导致均一气相反应和在所述喷头的内部产生不需要的颗粒。并且吹扫气体从所述喷头的底表面注入，通过形成保护屏障，从而抑制注入的反应性气体向后扩散。每种反应性气体在所述喷头内部的混合区内与注入载气混合，所述注入载气是一种惰性气体，其中通过混合的注入载气的量，主动地调节每种反应性气体的注入速度。本发明进一步包括其中通过冷却夹套冷却所述喷头的设备和方法，所述冷却夹套将所述喷头的温度保持在适当水平，以防止所使用的反应性气体的冷凝和热分解。
使用主动调节反应性气注入速度喷头化学沉积设备及其方法

[发明专利]使用主动调节反应性气体的注入速度的喷头的化学气相沉积设备及其方法-CN200780034369.2有效
发明人：卞哲秀;韩万哲 -专利权人： 派松尼克斯株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及使用喷头的化学气相沉积(CVD)用设备和方法，通过所述喷头，将至少一种反应性气体和吹扫气体注入到衬底上，在所述衬底上生长膜。将多个反应性气体喷头组件布置在吹扫气体喷头组件上。每种反应性气体在独立地流经所述喷头后，从所述喷头的底部注入，从而防止所述反应性气体导致均一气相反应和在所述喷头的内部产生不需要的颗粒。并且吹扫气体从所述喷头的底表面注入，通过形成保护屏障，从而抑制注入的反应性气体向后扩散。每种反应性气体在所述喷头内部的混合区内与注入载气混合，所述注入载气是一种惰性气体，其中通过混合的注入载气的量，主动地调节每种反应性气体的注入速度。本发明进一步包括其中通过冷却夹套冷却所述喷头的设备和方法，所述冷却夹套将所述喷头的温度保持在适当水平，以防止所使用的反应性气体的冷凝和热分解。
使用主动调节反应性气注入速度喷头化学沉积设备及其方法