专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种内存寻址切分方法及装置-CN202110002794.5在审
  • 汤云平 - 瑞芯微电子股份有限公司
  • 2021-01-04 - 2021-04-23 - G06F13/16
  • 一种内存寻址切分方法及装置,其中方法包括如下步骤,在总线对内存控制器的访问指令输出到内存控制器之前,寻址单元依照对应的映射关系对访问指令中第一地址信息进行无效位填充,得到第二地址信息,将第二地址信息传输给内存控制器。通过上述方案,内存控制器不需要获知自己连接的内存的具体大小,只需要根据寻址单元来的第二地址信息输入内存的内容进行查找即可。有助于实现内存的低成本制造。
  • 一种内存寻址切分方法装置
  • [发明专利]一种指令寻址方法及装置-CN202110003366.4在审
  • 汤云平 - 瑞芯微电子股份有限公司
  • 2021-01-04 - 2021-04-23 - G06F13/16
  • 一种指令寻址方法及装置,其中方法包括如下步骤,在内存控制器的接收到的第一指令输出到总线前,寻址单元依照对应的映射关系对第一指令进行删除无效位,得到第二指令,将第二指令上传到总线。通过上述方案,不需要在内存控制器的同一个DQS上兼容多个内存颗粒,通过寻址单元依照对应的映射关系对第一指令进行删除无效位来进行指令的有效化,能够更好地实现4DQ颗粒的兼容问题,同时降低成本。在进一步的实施例中,还可以对接收到的总线数据进行填充,更好地解决数据的写入问题。
  • 一种指令寻址方法装置
  • [发明专利]DRAM接口读校验的接口参数适配方法及存储介质-CN202010522534.6在审
  • 汤云平 - 瑞芯微电子股份有限公司
  • 2020-06-10 - 2020-10-30 - G06F11/22
  • 一种DRAM接口读校验的接口参数适配方法及存储介质,其中方法包括如下步骤,将内存颗粒调整至额定频率运行,写入校验数据,再将内存颗粒调整至高于额定频率,调整时序参数,读取校验数据并进行校验,得到可以获得正确校验数据的时序参数区间,根据所述时序参数区间得到最优时序参数。通过将DRAM超频到高于额定频率,能够使得ddr颗粒对于环境的要求上升,时序参数可选择的范围也变得更小。对特定频率都重复上述步骤,能够使得系统自动调整任意频率的参数,实现系统功耗的最优化。这样调试出来的DRAM时序参数,在实际工作中更加稳定。
  • dram接口校验参数配方存储介质

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