专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种芯片挑片装置-CN202220983264.3有效
  • 段良飞;文国昇;董国庆;朱帅;郭玉峰;刘剑荣;何军强 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2022-04-26 - 2022-08-05 - B65G49/07
  • 本实用新型提供了一种芯片挑片装置,涉及半导体加工设备技术领域,该芯片挑片装置包括:底座;限位机构,设于底座之上并用于承载芯片盒,限位机构包括承载板以及设于承载板两侧的限位板,承载板设于底座之上,芯片盒置于承载板之上,限位板抵靠芯片盒的侧壁;挑片机构,设于承载板之上并用于从芯片盒中挑取芯片,挑片机构包括驱动组件以及与驱动组件连接的传动块,传动块上设有若干间隔设置的卡槽,驱动组件驱动传动块运动,以使卡槽卡接于芯片上并将芯片移出芯片盒。本实用新型能够解决现有技术中普遍存在人工目检取放芯片效率低下,影响芯片的成品率的技术问题。
  • 一种芯片装置
  • [实用新型]一种光罩版存取设备-CN202220632288.4有效
  • 刘剑荣;段良飞;郭玉峰;何军强;曹丹丹;邹涛涛 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-07-19 - B65G37/00
  • 本实用新型公开了一种光罩版存取设备,涉及产品输送技术领域,该存取设备包括存储架、传输装置,及滑动连接在存储架上的取放装置,传输装置位于存储架的一侧,且部分传输装置伸入存储架内并形成交接区域,取放装置的输出端正对于交接区域,存取设备还包括扫描装置,其安装于传输装置上,且扫描装置的拍摄端朝向传输装置的输送部位,其中,扫描装置与取放装置电性连接,传输装置用于传输待扫描光罩版,通过扫描装置对待扫描光罩版的表面进行图像扫描,并通过取放装置将光罩版存储于存储架上,通过这样的设置,具有节约光罩版管理时间,减少人力成本的效果,同时该设置还可有效地规避人工管理带来的异常风险。
  • 一种光罩版存取设备
  • [发明专利]一种OLED墨水及其制备方法-CN202111493415.3在审
  • 段良飞;刘静;王海 - 云南海瀚有机光电子科技有限责任公司
  • 2021-12-08 - 2022-02-25 - C09D11/30
  • 本发明属于OLED墨水及制备领域,具体为一种OLED墨水及其制备方法。本专利采用OLED各功能材料为原料,通过物理气相沉积,利用分子自组装获得OLED高纯度纳米材料,以醇类、二醇衍生物类、芳香烃类、醚类、卤化烃类、酯类、胺类、酚类、酮类及乙腈、吡啶、苯酚、高纯水、N,N‑二甲基酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、汽油、煤油等单种或多种不同比例混合液为有机溶剂,OLED高纯度纳米材料通过粉碎并均匀溶解分散在有机溶剂中,置瓶封装后得到OLED墨水,实现OLED材料的溶液化,将OLED器件制备带入全打印、高性能、全柔性、全彩色等特性,有效简化了制备工艺,降低器件成本,有助于促进柔性全彩色OLED器件打印制备及产业化发展。
  • 一种oled墨水及其制备方法
  • [发明专利]一种室温多相共存液态金属热界面材料及制备方法-CN202110798209.7在审
  • 段良飞;刘静;王海 - 云南海瀚有机光电子科技有限责任公司
  • 2021-07-15 - 2021-10-29 - C22C30/04
  • 本发明属于室温液多相态金属领域,具体为一种室温多相共存液态金属热界面材料及制备方法。本专利采用金属质量比,镓(Ga)16.75~57.43%,铋(Bi)4.73~24.83%,铟(In)24.90~43.60%,锡(Sn)12.94~14.82%,将不同质量比的金属混合物置于石英玻璃杯中混合均匀,置于真空干燥箱内真空保持≤5.0×10‑2 Pa,温度保持在60℃,不断搅拌10~30min形成CaBiInSn四元合金,冷却至室温。本发明实现室温下为多相(液相、固相、膏相)混合液态金属的制备,保持液态金属的流动性、柔韧性和自我修复性,并且其反射率、导电率、功函数、热导率、粘附性得到很大程度提高,通过直写的方式可以在柔性塑料PI、PET、PVC、纸张等基质上制备柔性金属薄膜,制备方法简单,成本相对较低,减少合金元数量实现性能易控。在温度传感、柔性电子、印刷电子等领域具有重要的应用。
  • 一种室温多相共存液态金属界面材料制备方法
  • [发明专利]新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法-CN202110441302.2在审
  • 郭婷婷;李成晗;王海;宋玉敏;聂陟枫;段良飞;陈秋园;常佳伟 - 昆明学院
  • 2021-04-23 - 2021-07-20 - C07D487/22
  • 本发明属于纳米酞菁铟制备技术领域,具体公开一种新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法,所述酞菁铟纳米线的X‑射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217;所述X‑射线衍射谱的测试条件为:CuKα10.02°/step/1s;其制备方法包括放入酞菁铟源料至水平管式炉中的加热区域,在载气氛围下,以阶梯升温的方式加热,升温速率为1‑8℃/min,加热酞菁铟源料至470‑800℃,通过该载气,引导该升华的酞菁铟离开该加热区域,至生长区域得到酞菁铟纳米线,本发明得到具有特定结构的InPC均匀性好,平均直径为100nm以下,纳米线束的长度通常为10mm以上,提升和改善了酞菁铟的物理和化学性质,能更好地应用于光电导材料、液晶彩色显示等领域中。
  • 晶体结构酞菁铟纳米及其制备方法
  • [实用新型]一种智能化节能垂直升降电梯-CN201922237815.2有效
  • 范荣康;李晓明;王云鹏;郝瑞亭;段良飞 - 云南师范大学
  • 2019-12-13 - 2020-09-04 - B66B1/06
  • 本实用新型公开一种智能化节能垂直升降电梯,具体涉及垂直升降电梯技术领域。本实用新型提供的智能化节能垂直升降电梯,与现有的垂直升降电梯相比,能够识别在楼层按钮被按下,楼层却没人的情况,进而控制垂直升降电梯不在该楼层停靠,保持继续行进,在楼层外的上下按钮增加了取消方式,连续按动能够取消楼层按钮信号,即让按错的人能够取消垂直升降电梯停靠,且能够根据楼层内的实际人流情况作出分析,根据分析,能够提前控制垂直升降电梯在特定时间使用频繁的垂直升降电梯楼层提前停靠,且能够在没人乘坐垂直升降电梯情况下,控制垂直升降电梯停靠在频繁使用垂直升降电梯楼层的附近,减少了再次将垂直升降电梯从初始层运行到相应楼层的能耗。
  • 一种智能化节能垂直升降电梯
  • [发明专利]一种智能化节能垂直升降电梯-CN201911283333.9在审
  • 范荣康;李晓明;王云鹏;郝瑞亭;段良飞 - 云南师范大学
  • 2019-12-13 - 2020-03-31 - B66B1/06
  • 本发明公开一种智能化节能垂直升降电梯,具体涉及垂直升降电梯技术领域。本发明提供的智能化节能垂直升降电梯,与现有的垂直升降电梯相比,能够识别在楼层按钮被按下,楼层却没人的情况,垂直升降电梯不在该楼层停靠,保持继续行进。在楼层外的上下按钮增加了取消方式,即让按错的人能够取消垂直升降电梯停靠,让垂直升降电梯继续行进,且能够根据楼层内的实际人流情况作出分析,根据分析,能够提前控制垂直升降电梯在特定时间使用频繁的垂直升降电梯楼层提前停靠,在没人乘坐垂直升降电梯情况下,控制垂直升降电梯停靠在频繁使用垂直升降电梯楼层的附近,减少了再次将垂直升降电梯从初始层运行到相应楼层的能耗。
  • 一种智能化节能垂直升降电梯
  • [发明专利]一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法-CN201410649289.X有效
  • 杨培志;段良飞;杨雯 - 云南师范大学
  • 2014-11-17 - 2017-09-15 - C23C14/35
  • 本发明涉及一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法,采用磁控溅射镀膜系统,以玻璃片为衬底,在衬底上利用共溅射法溅射制备Al/a‑Si复合膜,将Al均匀填埋在a‑Si薄膜中,通过调节Al/Si共溅射的功率比可控制薄膜中的Al/Si含量。采用Si溅射功率为100~350W、Al溅射功率20~30W共溅射制备出Al/a‑Si复合膜,再将其放入RTP快速光热退火炉中于N2气氛下150℃~300℃退火10~15min,可得到晶化率为45%~90%、晶粒尺寸为20~100nm的多晶硅薄膜,提高了晶化效率,实现了低温快速制备出晶化率高、均匀性好的多晶硅薄膜。
  • 一种溅射低温快速制备多晶薄膜方法
  • [发明专利]一种低成本FeS2薄膜太阳电池的制备方法-CN201510450904.9有效
  • 杨雯;段良飞;杨培志;李学铭;赵恒利 - 云南师范大学
  • 2015-07-29 - 2017-07-04 - H01L31/18
  • 本发明专利提供一种低成本FeS2薄膜太阳电池的制备方法。主要是通过在衬底上制备钼背电极,在背电极上制备FeS2薄膜并进行硫化形成P层,进而制备CdS薄膜作为缓冲层,在缓冲层上制备i‑ZnO及ZnOAl薄膜,最后制备MgF2减反膜,经过激光刻蚀和清洗后制备Ag‑Mg合金作为前电极,从而制备出结构为衬底/Mo/FeS2/CdS/i‑ZnO/ZnOAl/MgF2/Ag‑Mg的FeS2薄膜太阳电池。这种结构的太阳电池中其核心材料FeS2和ZnO组成元素储量大、无毒,能有效降低太阳电池的成本,FeS2属于黄色立方结构的二元化合物,具有吸收系数大、带隙可调及稳定性好等优点,是理想的光伏材料之一,有望获得稳定、高效的太阳电池。
  • 一种低成本fessub薄膜太阳电池制备方法

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