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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN201910686901.3有效
发明人：高桥好明;鹤户孝博;樱井清史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具有形成于存储单元阵列与半导体基板之间的布线层并沿第1方向延伸的第1高电位布线、第2高电位布线、第1低电位布线、第2低电位布线、第1分支布线以及第2分支布线。第1分支布线与第1低电位布线电连接，在第1低电位布线的与第1方向正交的第2方向上的一侧与第1低电位布线相邻。第2分支布线与第2低电位布线电连接，在第2低电位布线的第2方向上的另一侧与第2低电位布线相邻。第1过孔设置成与第1分支布线相接，第2过孔设置成与第2分支布线相接。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110678099.0在审
发明人：竹中博幸;千叶明彦;东辻哲平;樱井清史;中佐広章;马込阳一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：实施方式提供一种容易高度集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1半导体衬底；第2半导体衬底；第1存储单元及第2存储单元，设置在第1半导体衬底与第2半导体衬底之间；第1字线，连接于第1存储单元；第2字线，连接于第2存储单元；第1晶体管，设置在第1半导体衬底且电连接于第1字线；及第2晶体管，设置在第2半导体衬底且电连接于第2字线。
半导体存储装置

[实用新型]非易失性半导体存储装置-CN201320087331.4有效
发明人： 樱井清史;二山拓也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本实用新型提供非易失性半导体存储装置，具备：存储单元阵列，其构成为排列有多个块，上述块构成为排列有NAND单位单元，上述NAND单位单元构成为串联有可电气改写的多个存储单元和选择晶体管；和行解码器，其构成为选择上述存储单元阵列的块，向该块供给各种工作所需要的电压。上述行解码器具备：多个第1传输晶体管，其在矩形的第1区域配置，与上述存储单元连接；和多个第2传输晶体管，其在上述第1区域的剩余区域即第2区域配置，与上述选择晶体管连接。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]动态存储器-CN95116551.8无效
发明人：高濑觉;樱井清史;荻原正毅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1995-09-21 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：在DRAM中采用共有读出放大器结构和读出放大器高速缓冲方式，借以实现小面积化，从而提高高速缓冲存储器的找到命中率，缩短芯片内的数据总线、使数据传送高速化。其特征是备有存储器芯片；数据线13，用来传输保持在子阵列相应的读出放大器中的数据；以及I/O缓冲器16，通过对应的数据线与对应的子阵列之间进行数据的输入与输出。
动态存储器

[发明专利]动态存储器-CN95118657.4无效
发明人：荻原正毅;高濑觉;樱井清史 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1995-09-22 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：本发明通过缩短DRAM芯片内的数据总线实现数据传送高速化，该DRAM中备有分割成多个配置，对分割成多组的工作进行控制的多个子阵列(11)，对应各子阵列平行于芯片的第一边(X)形成的，对来自对应的子阵列的读出放大器24的数据进行传送的多条数据线DQi，共同连接对应多个组中的各1个子阵列的数据线对其数据有选择的放大，平行于芯片第二边(Y)配置的多条数据线缓冲器多路转换器(12)，和与其相对应连接并平行于芯片第二边配置的多个数据输入/输出缓冲器(13)。
动态存储器

[发明专利]动态存储器-CN95117368.5无效
发明人： 樱井清史;高濑觉;获原正毅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1995-09-29 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种动态存储器，备有存储单元MC的阵列60；用于对从存储单元读到位线BL上的电位进行读出放大、并对位线设定写入数据的电位的读出放大器69；与RAS信号同步进行字线WL的选择及读出放大器的激活控制的控制电路；以及在从RAS信号达到激活电平到返回非激活电平的期间，将从与选择字线连接的存储单元读到与其连接的位线上的电位由读出放大器进行读出放大后，控制选择字线使其返回非激活电平的字线控制电路11。
动态存储器

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