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[发明专利]半导体结构以及静电放电保护电路-CN202010893194.8在审
发明人： 林群祐;陈俊成;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体结构以及静电放电保护电路，半导体结构至少对应串联耦接的一第一二极管以及一第二二极管。第一深井区位于基板之上。第一井区位于第一深井区之上。两第二井区位于第一井区的两侧。第一掺杂区以及第二掺杂区位于第一井区之上。第一掺杂区与第二掺杂区之间配置有第一隔离区。第二深井区位于基板之上。第三井区位于第二深井区之上。两第四井区位于第三井区的两侧。第三掺杂区以及第四掺杂区位于第三井区之上。第三掺杂区与第四掺杂区之间配置有第二隔离区。第二掺杂区连接第三掺杂区。借此，本揭示的半导体结构具有较小的寄生电容值且可适用于高速的应用中。
半导体结构以及静电放电保护电路

[发明专利]有界栅极的硅控整流器-CN201610785746.7有效
发明人： 林群祐;柯明道;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种有界栅极的硅控整流器，包含基板、N型井区、P型井区、第一和第二N型半导体区、第一和第二P型半导体区、以及第三半导体区。N型井区与P型井区配置于基板之中，第一N型半导体区与第二P型半导体区配置于N型井区之中，且连接至阳极端，第一P型半导体区与第二N型半导体区配置于P型井区之中，且连接至阴极端。第二N型半导体区与第二P型半导体区介于第一N型半导体区与第一P型半导体区之间，第三半导体区介于第二N型半导体区与第二P型半导体区之间。本发明透过将硅控整流器结合栅极结构与深沟渠隔离槽，控制闩锁现象的产生，通过降低阳极端与阴极端之间的等效距离，兼顾硅控整流器于电路设计中闩锁现象的控制与静电防护功能的维持。
栅极整流器

[发明专利]电源箝制电路-CN201710171360.1有效
发明人：陈界廷;林群祐;柯明道;黄如琳;林自强;曾子建 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电源箝制电路，耦接于一系统供应电源与一接地间，用来降低一静电放电效应，该电源箝制电路包括一第一导通电路、一第二导通电路、一与门模块以及一开关模块，该与门模块接收一来自该第一导通电路产生的一第一导通信号以及来自该第二导通电路产生的一第二导通信号，以产生一使能信号，该开关模块根据该使能信号导通该电源箝制电路，以处理一静电放电操作。该第一导通电路用来防止该系统供应电源的一高电压值，且该第二导通电路用来防止该系统供应电源的一短启动周期。
导通电路电源箝制电路系统供应电源导通信号开关模块使能信号与门模块静电放电效应静电放电启动周期接地高电压导通耦接

[发明专利]静电放电防护装置及其操作方法-CN201610099180.2有效
发明人：曾子建;陈界廷;林群祐;柯明道 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电防护装置及其操作方法。静电放电防护装置包括静电放电电流轨线、静电放电防护组件串以及偏压电路。静电放电防护组件串的第一端与第二端分别电性连接至静电放电电流轨线与信号焊垫。其中，静电放电防护组件串包含相互串联的第一静电放电防护组件与第二静电放电防护组件。偏压电路电性连接至静电放电防护组件串，以提供偏压电压至第一静电放电防护组件与第二静电放电防护组件之间的共同连接节点。本发明可以降低静电放电防护组件串的寄生电容的电容值。
静电放电防护装置及其操作方法

[发明专利]硅控整流器-CN201510232109.2有效
发明人： 林群祐;柯明道;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种硅控整流器，包含基板、井区、深掺杂区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。井区设置于基板上，并设置于元件区域下方。深掺杂区设置于井区内。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型，并位于深掺杂区上。第四掺杂区具有第二导电型，位于第二掺杂区与第三掺杂区之间，并位于深掺杂区上。第四掺杂区经由深掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区而与井区电性绝缘。本发明所提出的硅控整流器可制作于同一井区，以降低布局面积，并同时维持一定的电路效能。
整流器

[发明专利]二极管与二极管串电路-CN201510232114.3有效
发明人： 林群祐;柯明道;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种二极管与二极管串电路。二极管包含基板、第一绝缘层、第二绝缘层、井区、深掺杂区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一绝缘层设置于基板上。第二绝缘层设置于基板上，并与第一绝缘层定义元件区域。井区设置于基板上以及元件区域下方。深掺杂区设置于井区内，并位于元件区域下方。第一掺杂区设置于元件区域内，并位于深掺杂区上。第二掺杂区位于深掺杂区上并相邻设置于该第一掺杂区旁。第二掺杂区经由深掺杂区以及第一掺杂区而与井区电性绝缘。本发明所提出的二极管可降低寄生晶体管所引起的漏电流，并可降低布局面积。
二极管电路

[发明专利]柔性关节的平面扭簧-CN201410070292.6有效
发明人： 林群祐;朱秋国;熊蓉;李祖圣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： F16F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性关节的平面扭簧，包括内环、外环以及若干固定在内环和外环之间的弹性体单元，每个弹性体单元由两个对称的弹性体组成，每个弹性体具有两个弧形段，同一弹性体中，两个弧形段的开口相背，外环和内环之间设有用于限定极限转角的限位索。同一弹性体中，两个弧形段的开口相背，这使得弹性体能够有更好的性能参数，最大扭矩值和该扭矩下内环和外环的相对旋转角度值均有较大提升；通过限位索来限制外环和内环的相对旋转角度，从而保护了平面扭簧，提高平面扭簧的可靠性。
柔性关节平面

[发明专利]静电放电保护电路、结构及射频接收器-CN201010207484.9有效
发明人：柯明道;林群祐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护电路、结构及射频接收器，该保护电路包括一硅控整流器以及一电感。硅控整流器包括一第一P型半导体材料、一第一N型半导体材料、一第二P型半导体材料及一第二N型半导体材料。第一P型半导体材料、第一N型半导体材料、第二P型半导体材料及第二N型半导体材料交错排列，并且电性耦接至一阳极与一阴极。阳极电性耦接第一P型半导体材料。阴极电性耦接第二N型半导体材料。电感电性耦接于阳极与第二P型半导体材料之间，或是电性耦接于阴极与第一N型半导体材料之间。本发明提供静电放电保护电路可补偿在高频频段下硅控整流器的寄生电容所造成的影响，从而避免失真现象。
静电放电保护电路结构射频接收器

[发明专利]利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路-CN200910171691.0有效
发明人： 林群祐;柯明道;蔡富义 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，包括完全相同的多个模块电路，其中第一个模块电路的电源端耦接静电放电保护电路的电源端，其余每一个模块电路的电源端耦接上一个模块电路的接地端，最后一个模块电路的接地端耦接静电放电保护电路的接地端。每一上述模块电路包括一传导路径以及一侦测电路。侦测电路耦接所属模块电路的电源端、接地端与上述传导路径。若模块电路的电源端的电压上升速度超过一临界值，则侦测电路使传导路径导通。藉此本发明可解决传统电路在先进制程的漏电问题，适用于有多种工作电压的电子系统。
利用低压元件实现漏电高压电源静电放电保护电路

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