[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202211367374.8 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115424977A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 杨紫琪;朱海斌 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供基底；于所述基底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层进行离子注入，以形成隔离阻挡层；于所述浅沟槽内形成填充介质层，以形成浅沟槽隔离结构。通过在基底内形成浅沟槽，在浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层，然后对侧壁氧化层进行离子注入，以形成隔离阻挡层，可以对浅沟槽进行隔离保护，在浅沟槽内形成填充介质层以形成浅沟槽隔离结构后，隔离阻挡层可以阻挡后续工艺中产生的硼离子扩散进入填充介质层内，使浅沟槽隔离结构免受破坏，避免器件产生双峰效应。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 半导体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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