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[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201810562651.8在审
发明人： 李思晢;华文宇;肖莉红;赵祥辉;张帜;张富山 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底之上，包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的栅极和层间绝缘层，并具有位于端部的若干层台阶；所述栅极具有沿自所述衬底指向所述堆叠结构的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述台阶的顶面；绝缘的原子层沉积层，与所述台阶的侧壁接触以用于电性隔离相邻两层台阶中的所述栅极。本发明避免了三维存储器易出现失效的问题，提高了三维存储器的存储性能。
三维存储器衬底堆叠结构半导体制造技术原子层沉积层层间绝缘层侧壁接触存储性能电性隔离交替堆叠增厚部位增厚部顶面两层绝缘制造指向垂直

[发明专利]一种化学机械研磨方法-CN201710132418.1在审
发明人：骆中伟;洪培真;华文宇;夏志良;李思晢 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本方案提供的化学机械研磨方法，在三维存储器的外围电路区域以及存储区域沉积氧化层后，对外围电路区域进行第一道刻蚀，使得外围电路区域的氧化层的最低高度与存储器区域中台阶的最高高度相同；并在三维存储器的氧化层上形成阻挡层；然后对存储区域进行第二道刻蚀，并对三维存储器的阻挡层以及氧化层同时进行化学机械研磨，直至存储区域中台阶区域所对应的氧化层的最低高度等于所述台阶的最高高度；然后再去除三维存储器中剩余的阻挡层。可见，本方案在氧化层的表面形成阻挡层，且，阻挡层的去除速度要比氧化层的去除速度慢，因此增加的阻挡层可以保护存储区域的结构，避免现有技术中由于Dishing defect的影响，提高三维存储器整体工艺均匀性，提高良率。
一种化学机械研磨方法

[发明专利]基于超声驻波的微流控筛选芯片及其制备方法-CN201010519669.3有效
发明人：国世上;赵兴中;李思晢;邓宇亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超声驻波的微流控筛选芯片及其制备方法。其产品由载玻片、带有驻波反应腔的硅片、压电陶瓷和夹具所构成。硅片上的驻波反应腔由深度反应离子刻蚀法在硅片上形成的驻波反应沟道及其进、出样孔口所构成。载玻片覆盖在硅片上，其与硅片上驻波反应腔进、出样孔口对应的位置处开有对应的进、出样孔口，并在其孔壁和孔口周围键合有一层有机高分子材料。压电陶瓷耦合在硅片底部，并在其正反面分别引出导线。夹具由螺栓连接的上、下夹板所构成，其可将载玻片和硅片紧紧连成一体。本发明制作过程简单，成本低廉，具有很高的可控性和可操作性，易于拆卸和清洗，容易实现对细胞等生物活体样品的分离、捕获和操纵。
基于超声驻波微流控筛选芯片及其制备方法

[发明专利]一种超声驻波式微流控芯片及其制备方法-CN201010192151.3有效
发明人：国世上;赵兴中;郭峰;李思晢;曾谦 -专利权人：武汉大学
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声驻波式微流控芯片及其制备方法。其产品由载玻片、微流控芯片、印刷电路板(PCB板)、压电陶瓷和控制电路所构成。微流控芯片结构中包含有驻波反应腔，由聚二甲基硅氧烷(PDMS)液态预聚物通过阳模模板固化成型，并在其固化前将载玻片放置其上，待其固化连为一体后脱模；PCB板的正面镀有一层导电层，其通过该导电层和微流控芯片的非载玻片面与微流控芯片连成一体，且在PCB板的正面设置有与微流控芯片结构相对应的孔位，其对应驻波反应腔的孔位安装有压电陶瓷；控制电路布设在PCB板的背面。本发明制作过程简单，成本低廉，具有很高的可控性和可操作性，集成化程度高，很容易实现对细胞等生物活体样品的分离、捕获和操纵。
一种超声驻波式微芯片及其制备方法