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[发明专利]一种混凝土沉井结构及其施工方法-CN202310154395.X在审
发明人：王卫国;李志鸿;陈杰;陈丹;王亮 -专利权人：浙江新曙光建设有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： E02D23/00 文献下载
摘要：本申请涉及沉井施工领域，尤其涉及一种混凝土沉井结构，其包括设置在井坑内的井筒，所述井筒上安装有用于抵接在井坑内壁上的抵接板，所述井筒上安装有用于驱动抵接板远离或靠近井坑内壁的驱动组件；所述驱动组件包括转动在井筒上的转动杆和固定在转动杆上的凸轮，所述凸轮的侧面抵接在抵接板背离井坑内壁的一侧。本申请具有减少井筒在下落过程中出现偏移的效果。
一种混凝土沉井结构及其施工方法

[发明专利]基于光学参量振荡器的中红外高反射光学元件测试装置及测试方法-CN201810212238.9有效
发明人：韩凯;奚小明;李霄;娄兆凯;程曦;李志鸿;宋锐;习锋杰;闫宝珠;杨轶;许晓军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：基于光学参量振荡器的中红外高反射光学元件测试装置及测试方法，包括近红外光纤激光器、泵浦耦合光学系统、高反射腔镜、非线性变频晶体、分色镜、待测的中红外高反射光学元件、耦合输出镜、中红外分光镜、功率计、中红外相机和监测系统；高反射腔镜、分色镜、待测的中红外高反射光学元件和耦合输出镜构成闭腔式光学参量振荡器的谐振腔。基于闭腔式结构的光学参量振荡器可以在谐振腔内实现高功率密度、长时间、中红外连续激光的辐照条件，能够测试中红外高反射光学元件的抗激光损伤能力。本发明具有全固态结构、全电运行、体积小巧、操作方便、高可靠性、使用成本低的特点，可长时间低成本的稳定运行。
基于光学参量振荡器红外反射元件测试装置方法

[发明专利]形成封装件的方法-CN202210811598.7在审
发明人：宋述仁;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括将第一晶圆接合至第二晶圆，在第一晶圆上执行修整工艺，以及沉积与第一晶圆的侧壁接触的侧壁保护层。沉积侧壁保护层包括沉积与第一晶圆的侧壁接触的高密度材料。侧壁保护层具有高于氧化硅的密度。方法还包括去除与第一晶圆重叠的侧壁保护层的水平部分，以及在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。
形成封装方法

[实用新型]一种用于器皿清洗的竖向刷洗装置-CN202223107843.0有效
发明人：朱佩玉;朱先丽;尹雪香;侯利文;李志鸿 -专利权人：江苏康达检测技术股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B08B9/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于器皿清洗的竖向刷洗装置，包括：控制模组以及连接在控制模组上的竖向刷洗模组；控制模组包括：升降控制机构以及与升降控制机构一侧连接的防溅射机构；竖向刷洗模组包括：自清洁机构、刷洗辊机构和刷洗控制机构；刷洗控制机构设置在升降控制机构上且避让防溅射机构的位置；刷洗辊机构连接在刷洗控制机构上，且刷洗辊机构一端与刷洗控制机构联动；自清洁机构设置在防溅射机构上对应刷洗辊机构的位置；本实用新型能够对实验器皿进行有效的内外刷洗，实验员仅需将实验器皿放置在竖向刷洗模组的上方，等待片刻，即可完成实验器皿的全方位刷洗，本装置可面对大批量刷洗任务，降低了人力成本，避免了卫生安全风险。
一种用于器皿清洗竖向刷洗装置

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210719400.2在审
发明人：刘之诚;郭怡辰;陈彦儒;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了光刻胶及其形成和使用方法。在实施例中，一种方法包括在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，使用一种或多种有机金属前体沉积光刻胶层；加热光刻胶层以引起一种或多种有机金属前体之间的交联；将光刻胶层暴露于图案化的能量；加热光刻胶层以引起光刻胶层中的解交联，形成光刻胶层的解交联的部分；以及去除光刻胶层的解交联的部分。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
形成半导体器件方法

[实用新型]一种三氯氢硅制备装置-CN202222880086.4有效
发明人：宋高杰;郑宝刚;高镇熙;王佳祺;赵永亮;张天翔;李志鸿;刘杨 -专利权人：内蒙古新特硅材料有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三氯氢硅制备装置，包括：流化床反应器，流化床反应器的底部具有底进口，流化床反应器的顶部具有顶出口；换热装置包括N级串联的换热器，N大于或等于2，换热装置中一级换热器的进气口与顶出口连通；汽化器，汽化器的出料口与换热装置中N级换热器的进料口连通；第一加热器的进料口与换热装置中一级换热器的出料口连通，第一加热器的出料口与底进口连通；N级换热器的出气口与分离塔的第一进料口连通。在使用过程中，通过N级串联的换热器使得合成气中热量有效回收利用，不易造成换热器热疲劳，使用寿命延长，金属氯化物杂质不易凝结在换热器的内壁上，保证换热效果，防止造成换热管束堵塞。
一种三氯氢硅制备装置

[实用新型]一种稳定检测胶水粘度的调粘釜-CN202222759618.9有效
发明人：李彬;梁健锋;梁宏;李志鸿;温带军;孟基中;刘斯丹;江瑞棠;沈芳芳 -专利权人：广东超华科技股份有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01N11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种稳定检测胶水粘度的调粘釜；属于半固化片生产技术领域；其技术要点包括反应釜和设置在反应釜开口端的密封盖，所述密封盖上设有数字式的旋转粘度计，在反应釜内壁上设有第一弧形挡板；所述第一弧形挡板与反应釜内壁配合形成使内部胶水沿径向静止的检测间隙，所述旋转粘度计位于检测间隙中；第一弧形挡板上端与反应釜开口端之间的距离为20‑30cm，在第一弧形挡板上设有与旋转粘度计配合的通孔；在与旋转粘度计相对一侧的密封盖上设有浮球阀，在密封盖上设有导通至反应釜内的溶剂添加组件；本实用新型旨在提供一种结构简单、粘度调节准确的稳定检测胶水粘度的调粘釜；用于对半固化片生产用的胶水进行粘度调节。
一种稳定检测胶水粘度调粘釜

[发明专利]一种水质中多种多溴联苯的快速检测方法-CN202211224372.3在审
发明人：顾俊鹏;李志鸿;朱佩玉;许震 -专利权人：江苏康达检测技术股份有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水质中多种多溴联苯的快速检测方法，所述方法包括以下步骤：采集第一水样，对第一水样进行除氯处理，得到待提取样品；对待提取样品进行过滤处理；将经过过滤处理后的待提取样品进行pH调节处理，得到待富集样品；将待富集样品进行富集处理，得到待测液；配置标准溶液，设置第一色谱条件，根据标准溶液和第一色谱条件确认校准曲线；根据待测液、第一色谱条件和校准曲线进行样品中多溴联苯含量的检测；本发明能够建立测定水质中20种多溴联苯的全自动固相萃取‑气相色谱法，重点对气相色谱条件和固相萃取条件进行了优化探索，且本发明的样品前处理自动化程度高，有机溶剂用量少，操作简便，分析灵敏度好，回收率和精密度高。
一种水质多种联苯快速检测方法

[实用新型]防炫光灯具-CN202220864576.2有效
发明人：刘舜青;李志鸿;谢昌波;赖清波;胡宏 -专利权人：东莞市瑞梓科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明技术领域，公开了一种防炫光灯具，包括：底板组件，底板组件包括底座和灯光组件，灯光组件设置于底座上；全透光灯罩，灯罩盖合于底座上形成安装腔，灯光组件位于安装腔内，灯罩具有正对灯光组件设置的出光板和位于出光板两侧的两个侧壁；不透光遮光板，遮光板一侧端固定于底座，另一侧端位于侧壁与出光板的交界处，以遮挡光线；第一光学膜片和第二光学膜片设置于安装腔内，第二光学膜片位于第一光学膜片和出光板之间，第一光学膜片发散光，第二光学膜片控制出光角度，灯光依次经过第一光学膜片和第二光学膜片，从出光板射出。本申请遮光板、灯罩以及多个光学膜片的协同作用，利用多次控光实现炫光控制，结构简单制作成本低。
防炫光灯具

[实用新型]防炫光灯具-CN202220868217.4有效
发明人：刘舜青;李志鸿;谢昌波;赖清波;胡宏 -专利权人：东莞市瑞梓科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明技术领域，公开了一种防炫光灯具，防炫光灯具包括：底板组件，底板组件包括底座和灯光组件，灯光组件设置于底座上；灯罩，灯罩盖合于底座上形成安装腔，灯光组件位于安装腔内，灯罩具有透光的出光板和不透光的两个侧壁，出光板正对灯光组件设置，两个侧壁位于出光板的两侧；第一光学膜片和第二光学膜片，第一光学膜片和第二光学膜片设置于安装腔内，第二光学膜片位于第一光学膜片和出光板之间，第一光学膜片用于发散光，第二光学膜片用于控制出光角度，灯光依次经过第一光学膜片和第二光学膜片，从出光板射出。本申请通过灯罩侧面不透光的设计以及多个光学膜片的协同作用，利用多次控光实现了炫光控制，结构简单制作成本低。
防炫光灯具

[实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210680409.7在审
发明人：何梓旸;何彩蓉;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，可包括形成第一氮化硅层于半导体装置的开口之中与半导体装置的上表面之上，其中半导体装置包括外延源极/漏极与金属栅极。方法可形成第二氮化硅层于半导体装置的开口中的第一氮化硅层之上以及半导体装置的上表面之上以作为牺牲层；以及自开口中的第一氮化硅层的侧壁移除第二氮化硅层。方法可包括移除开口的底部的第二氮化硅层与第一氮化硅层；以及沉积金属层于开口之中以形成金属漏极于半导体装置的开口中。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种用于环境介质中二元醇类化合物的检测方法-CN202210747441.2在审
发明人：侯利文;李志鸿;姜金萍 -专利权人：江苏康达检测技术股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于环境介质中二元醇类化合物的检测方法，包括以下步骤：配制标准溶液，采用标准溶液配制标准曲线溶液；配制辅助试剂，获取待测样品；识别待测样品的样品类别，基于样品类别和辅助试剂对待测样品执行分类前处理操作，得到待测试液；设置测试条件、测试策略和含量计算公式；基于测试条件和测试策略对标准曲线溶液和待测试液进行测定，得到测定信息；基于样品类别、测定信息和含量计算公式计算待测样品中二元醇类化合物的含量值；本发明能够广泛应用于各类环境类样品中三种二元醇类化合物残留量的快速、同步以及定量测定，填补了环境样品二元醇类物质检测领域的空白，且适用环境范围广，测定准确性高，检测方法完善。
一种用于环境介质二元化合物检测方法

[实用新型]一种基于油温加热的自动化加酸消解设备-CN202221013792.2有效
发明人：李东;李志鸿;朱先丽;张燕 -专利权人：江苏康达检测技术股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于油温加热的自动化加酸消解设备，包括：消解模组和加酸模组；消解模组包括：消解壳体、挡板机构和消解机构；消解壳体内部中空设置；消解机构设在消解壳体内且靠近消解壳体的底部位置；消解壳体上对应消解机构上方的位置开设有与消解壳体内部连通的进料口，挡板机构对应进料口设置；加酸模组包括：三轴加酸机构和升降封闭机构；三轴加酸机构靠近消解壳体设置，消解壳体上对应三轴加酸机构的位置设有与消解壳体内部连通的加酸口，升降封闭机构对应加酸口设置；挡板机构用于打开或关闭进料口；升降封闭机构用于打开或关闭加酸口；本实用新型能够能够基于蛇形油槽和油液实现高均匀度的加热功效，提高消解处理精准度。
一种基于加热自动化加酸消解设备

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210500025.2在审
发明人：詹予欣;吴采伶;陈昶文;黄柏翔;陈育裕;黄冠维;李志鸿;邱显杰;张庭魁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一示例面向，本公开是关于一种半导体装置的形成方法。此方法包括接收在半导体基板上方具有导电部件的工作件，在导电部件上方形成牺牲材料层，去除牺牲材料层的第一部分以形成导线沟槽，并且露出在导线沟槽之一中的导电部件的顶表面；在导线沟槽中形成导线部件，去除牺牲材料层的第二部分以形成导线部件之间的间隙，以及在间隙中形成介电部件，介电部件包围气隙。
半导体装置形成方法