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[实用新型]低噪声放大器-CN202223555687.4有效
发明人：郑金汪;钱永学;黄鑫;孟浩;亓巧云;段连成;朱彪彪;李泰安;李侃 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低噪声放大器，包括：放大器电路，其被配置为接收射频输入信号并且输出射频输出信号，并且包括第一晶体管和第二晶体管、第一电阻器和第二电阻器以及第一开关和第二开关，所述第一晶体管和第二晶体管被配置为用于形成共源共栅结构，所述第一电阻器和第一开关被配置为并联连接，并且用于向第一晶体管提供第一偏置电压，所述第二电阻器和第二开关被配置为并联连接，并且用于向第二晶体管提供第二偏置电压，以及切换逻辑控制电路，其被配置为向放大器电路提供控制信号，以根据低噪声放大器的启动信号或者增益切换信号来导通第一开关和第二开关。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN202211717973.8在审
发明人：郑金汪;钱永学;黄鑫;孟浩;亓巧云;段连成;朱彪彪;李泰安;李侃 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种低噪声放大器，包括：放大器电路，其被配置为接收射频输入信号并且输出射频输出信号，并且包括第一晶体管和第二晶体管、第一电阻器和第二电阻器以及第一开关和第二开关，所述第一晶体管和第二晶体管被配置为用于形成共源共栅结构，所述第一电阻器和第一开关被配置为并联连接，并且用于向第一晶体管提供第一偏置电压，所述第二电阻器和第二开关被配置为并联连接，并且用于向第二晶体管提供第二偏置电压，以及切换逻辑控制电路，其被配置为向放大器电路提供控制信号，以根据低噪声放大器的启动信号或者增益切换信号来导通第一开关和第二开关。
低噪声放大器

[发明专利]高线性度差分双反馈低噪声放大器-CN201910943796.7有效
发明人：李振荣;刘博宇;李臻;王思敏;朱彪彪;庄奕琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高线性度差分双反馈低噪声放大器，主要解决现有技术在线性度差的不足。其包括：包括两个源简并电感L1、L2，两个负载电感L5、L6、两个输出串联峰值电感L3、L4、两个偏置电压V1、V2和两类反馈环路S1、S2，第一类反馈环路S1与第二类反馈环路S2彼此交叠，相互作用；通过第一类反馈环路可使环路内的NMOS晶体管的跨导增加近一倍，也可抵消二次谐波分量在线性度上带来的恶化，通过第二类反馈环路的增益与第一类反馈环路增益的叠加，进一步提高了电路整体线性度。本发明结构简单，由于双反馈环路提供了较高的三阶互调失真截止点，无需使用双极型晶体管，改善了电路整体的线性度，可用于射频前端芯片。
线性度差分双反馈低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN202210015972.2在审
发明人：郑金汪;李侃;段连成;李泰安;朱彪彪;党艳杰;滕云龙;孙鹏林;叶嘉蒙;亓巧云;张玉彬;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：放大器电路，被输入射频RF信号并且输出经放大的RF信号；以及电感调整电路，其被连接到所述放大器电路和接地节点之间，并且被配置为通过调整其中的电感来调整放大器电路的输出电感，从而使放大器电路的增益变化具有相同步长。
低噪声放大器

[发明专利]用于25GHz以下频段通信系统的功率合成分配器-CN201811366668.2有效
发明人：李振荣;周永升;李臻;朱彪彪;马凯;庄奕琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H03H11/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于25GHz以下频段通信系统的功率合成分配器，主要解决了现有技术带宽过窄，插入损耗过大的问题。其包括，两个输入端口、输出端口、功率合成与分配模块。功率功率合成与分配模块包扩四个双向放大单元、六个电感、三个吸收电阻。电感抵消了双向放大单元中的寄生电容引起的增益下降，扩展了带宽；吸收电阻通过电感和双向放大单元内部寄生电容的阻抗变换作用，使输入输出端口匹配良好，同时双向放大单元具有增益，使本发明具有较低的插入损耗。本发明可用于25GHz以下频段的多输入多输出通信系统的接收和发射前端的功率合成和分配。
用于 25 ghz 以下频段通信系统功率合成分配器

[发明专利]一种低功耗AB类CMOS的功率放大器-CN202010657071.4在审
发明人：李振荣;朱彪彪;李臻;乔佳;庄奕琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗AB类CMOS功率放大器，包括驱动级共源共栅放大电路、功率级共源共栅放大电路、输入阻抗匹配网络、输出阻抗匹配网络、LC谐振网络、电阻负反馈电路以及偏置电路。本发明在驱动级与输出级均使用了RC谐振网络对输入信号进行选频，提高功率增益以及改善匹配。利用负反馈电阻R2与级间耦合电容C4组成负反馈网络抑制输入谐波，在兼顾效率的同时提高了线性度。本发明在2.4GHz频率下保证线性度的同时在低功耗下具有较高效率。
一种功耗 ab cmos 功率放大器

[发明专利]利用二极管补偿电容的功率放大器-CN201910945050.X在审
发明人：李振荣;姜国超;程夏禹;朱彪彪;李臻;庄奕琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用二极管补偿电容的功率放大器电路，包括驱动级放大电路、输出级放大电路、输出级输入调谐电路、线性度电路、输入阻抗匹配电路和输出阻抗匹配电路。本发明能够利用二极管连接的的晶体管栅源电容补偿输出级放大电路中的功率管的栅源电容来降低电路中的非线性效应。另外通过在输出级功率管栅极并联了一个LC串联网络，在共源共栅晶体管源极加电感等结构来提高功率放大器的效率。因此，本发明能够同时具有良好的线性度和较高的功率附加效率。
输出级放大电路线性度电路输出阻抗匹配电路输入阻抗匹配电路功率放大器电路共源共栅晶体管电感功率附加效率输出级功率管输入调谐电路二极管补偿二极管连接非线性效应功率放大器串联网络放大电路晶体管栅栅源电容功率管驱动级输出级源电容电容并联源极