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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路结构-CN201010501849.9有效
发明人：刘醇鸿;侯上勇;郑心圃;吴伟诚;魏修平;陈志华;郭正铮;陈承先;曾明鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。本发明对于改善芯片的可靠度具有显著的效果。
集成电路结构

[发明专利]半导体结构及形成半导体装置的方法-CN201010251089.0无效
发明人： 曾明鸿;陈承先;郭正铮;陈志华;萧景文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及形成半导体装置的方法，其中该半导体结构包括：一基材以及一柱体，基材包括一导电焊盘，该导电焊盘具有一第一宽度，柱体电性耦接于该导电焊盘，该柱体具有一第二宽度，其中该第一宽度比该第二宽度大了大约6微米或6微米以上。本发明提供一凸块底部金属化结构，用于一半导体装置中。一钝化层形成于接触垫上，而暴露接触垫的至少一部分。一保护层，例如一聚酰亚胺层，形成于该钝化层上。该凸块底部金属化结构，例如一导电柱体形成于该接触垫上，使下方的接触垫朝侧向延伸而超过该凸块底部金属化结构一足够大的距离，而避免或减少钝化层与保护层的破裂。
半导体结构形成装置方法

[发明专利]金属柱凸块结构及其形成方法-CN201010226312.6有效
发明人： 曾明鸿;连永昌;陈承先;郭正铮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属柱凸块结构及其形成方法，该方法包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部内；移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及回焊该焊锡材料以包覆该金属层。本发明可于制造过程中保护金属柱凸块的侧壁。
金属柱凸块结构及其形成方法

[发明专利]利用钝化后互连结构形成的硅通孔-CN201010119558.3有效
发明人： 曾明鸿;黃招胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了利用钝化后互连结构形成硅通孔的集成电路结构，包括：半导体衬底；硅通孔(TSV)，延伸到半导体衬底中；焊盘，形成在半导体衬底上方，并与TSV隔开；以及互连结构，形成在半导体衬底上方，并电连接TSV和焊盘。该互连结构包括形成在焊盘上的上部和与焊盘相邻的下部，并且上部延伸以电连接TSV。
利用钝化互连结构形成硅通孔

[发明专利]3DIC叠层中的冷却通道-CN200910222543.7有效
发明人：卿恺明;萧景文;王宗鼎;曾明鸿;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。
dic 中的冷却通道

[发明专利]三维集成电路的堆叠接合界面结构-CN200910119324.6有效
发明人： 曾明鸿;卿恺明;陈承先;萧景文;黃宏麟;王宗鼎;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提出了一种堆叠半导体衬底的系统、结构和制造方法。第一衬底包括第一侧与第二侧。穿透衬底通孔从第一衬底的第一侧突出，穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层，以及穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫。该系统还包括第二衬底以及接合界面结构，其中接合界面结构在穿透衬底通孔的第一突出部的导电保护涂层处将所述第二衬底结合到第一衬底上。
三维集成电路堆叠接合界面结构

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