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- [实用新型]一种卡扣式支架-CN202220694577.7有效
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曾文德;李琳
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江西德宝云慧科技有限公司
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2022-03-28
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2022-07-19
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F16M13/02
- 本实用新型提出一种卡扣式支架，卡扣式支架结构包括支架本体，支架本体为管状体，支架本体上设有连接腔、端帽，在连接腔底部的凹槽的槽口处设有若干弹性卡接臂，在支架本体的外壁上设有定位凸起，支架本体在靠近端帽的侧壁上设有弹性连接臂，弹性连接臂的外侧面上设有锥形凸起部，通过在支架本体上套设有密封圈使得端帽与载体之间，保证红外探头正常工作，当红外探头插入连接腔时，位于支架本体凹槽槽口处的弹性卡接臂与红外探头进行卡合，使红外探头能快速应用在载体上。
- 一种卡扣式支架
- [发明专利]FET器件和用于形成FET器件的方法-CN202111525961.0在审
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朱利安·瑞克特;直人堀口;曾文德
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IMEC非营利协会
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2021-12-14
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2022-06-24
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H01L29/78
- 根据一方面，提供了一种FET器件。FET器件包括公共源极本体部分和从其沿第一横向方向突出的一组源极层叉齿。第一介电层部分布置在这些源极层叉齿之间的空间中。器件还包括公共漏极本体部分和沿第一横向方向突出的一组漏极层叉齿。第二介电层部分布置在漏极层叉齿之间的空间中。器件还包括栅极本体，栅极本体包括公共栅极本体部分以及从其沿与第一横向方向相对的第二横向方向突出的一组栅极叉齿。每个栅极叉齿形成在相应的一对第一与第二介电层部分之间。器件还包括沟道区，沟道区包括一组沟道层部分。每个沟道层部分在相应的一对源极层叉齿与漏极层叉齿之间延伸。这些沟道层部分被布置在栅极叉齿之间的空间中。还提供了一种用于形成FET器件的方法。
- fet器件用于形成方法
- [发明专利]掩模材料的区域选择性沉积-CN201910409763.4有效
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曾文德;E·阿尔塔米拉诺 桑切兹
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IMEC 非营利协会
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2019-05-16
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2022-04-12
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H01L21/28
- 在第一方面中，本发明涉及在半导体结构中形成腔(800)的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：i.半导体基材(100)，ii.在半导体基材(100)上的一组线结构(300)，各线结构(300)具有顶表面和侧壁，所述线结构(300)通过其间的沟槽(400)隔开，以及iii.含氧介电材料(410)，其至少部分填充了线结构(300)之间的沟槽(400)，其中，至少一个线结构(300)的顶表面至少部分暴露，并且其中，顶表面的暴露部分包含无氧介电材料(320,330)；b.使TaSix层(700)相对于含氧介电材料(410)选择性形成于无氧介电材料(320,330)上；c.通过相对于TaSix(700)选择性去除至少部分含氧介电材料(410)来形成腔(800)。
- 材料区域选择性沉积
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