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[发明专利]对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法-CN201880034028.3有效
发明人：岛田宪司;普林安加·柏达那·普特拉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：根据本发明可以提供一种半导体基板的表面处理方法，其中，所述表面处理方法为使液体组合物与半导体基板接触、对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物的特征在于，包含：选自下述式(1)～(6)所示的表面活性剂或其盐中的2种以上各0.01～15质量％和水。(式(1)～(6)中，RF选自由碳数2～10的烷基等的氢被氟所取代的化合物组成的组。R1选自由共价键、碳数1～6的亚烷基等组成的组。RHP选自由羟基、磺酸基和羧基组成的组。R2、R3和R4选自由氢或碳数1～6的烷基等组成的组。R5、R6和R7选自由氢或碳数1～6的烷基等组成的组。X‑选自由氢氧化物离子等组成的组。a表示3以上且20以下的整数。)RFR1RHP·······(1)RFR1(OCH2CH2)aOR2···(6)。
对半导体赋予拒醇性表面处理方法

[发明专利]氧化铝的保护液、保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法-CN201980012078.6在审
发明人：尾家俊行;普林安加·柏达那·普特拉;堀田明伸 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝保护液、氧化铝的保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的氧化铝保护液的特征在于，其含有0.0001～20质量％的碱土金属化合物，前述碱土金属为选自由铍、镁、锶和钡组成的组中的1种以上。通过本发明，在半导体电路的制造工序中，能够抑制氧化铝的腐蚀。
氧化铝保护方法使用具有半导体制造

[发明专利]抑制钴、氧化铝、层间绝缘膜、氮化硅的损伤的组成液及使用其的清洗方法-CN201880048233.5在审
发明人：尾家俊行;普林安加·柏达那·普特拉;堀田明伸 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及适于具有低介电常数层间绝缘膜的半导体元件的清洗的组成液及半导体元件的清洗方法。本发明的组成液的特征在于，其含有四氟硼酸(A)0.01～30质量％、或(硼酸/氟化氢)＝(0.0001～5.0质量％/0.005～5.0质量％)的硼酸(B1)及氟化氢(B2)，所述组成液的pH处于0.0～4.0的范围。本发明的组成液适合用于抑制在半导体集成电路的制造工序中的低介电常数层间绝缘膜、钴或钴合金、氧化铝、氧化锆系硬掩膜、氮化硅的损伤、并去除在半导体集成电路的表面存在的干蚀刻残渣。
抑制氧化铝绝缘氮化损伤组成使用清洗方法

[发明专利]使用化学镀液的贯通电极的形成方法-CN201510083537.3有效
发明人：田中圭一;普林安加·柏达那·普特拉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C23C18/34 文献下载
摘要：本发明提供使用化学镀液的贯通电极的形成方法，上述贯通电极的形成方法具有如下工序：对于形成于基板的孔的侧壁，(1)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂以及pH调节剂的化学镀钴液或化学镀镍液，在前述孔的入口至前述孔的中央部形成作为防止铜扩散的层的金属合金膜的工序；(2)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂、pH调节剂以及具有氨基的聚合物的化学镀钴液或化学镀镍液，在前述孔的中央部至前述孔的底形成作为防扩散层的金属合金膜的工序；以及(3)使用化学镀铜液，在(1)工序以及(2)工序形成的防扩散层上层叠铜晶种层的工序。
使用化学贯通电极形成方法