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[实用新型]低压CMOS器件及CMOS反相器-CN201520102781.5有效
发明人：王春来;操小莉 -专利权人：深圳市麦积电子科技有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体制造领域，提供一种低压CMOS器件以及CMOS反相器，半导体衬底上具有低压PMOS元件、低压NMOS元件、所述低压PMOS元件和低压NMOS元件中任意一个与半导体衬底之间设有第一高压阱，另一个与半导体衬底之间则设有低压阱，半导体衬底上还设有与所述低压阱对应的第二高压阱；低压阱和第一高压阱皆位于第二高压阱内；所述低压PMOS元件的栅极和低压NMOS元件的栅极连通后形成输入端；所述低压PMOS元件的漏极和所述低压NMOS元件的漏极连通后形成输出端；所述低压PMOS元件的源极形成所述反相器的高电位端；所述低压NMOS元件的源极形成所述反相器的低电位端。通过降低掺杂浓度的方式使得低压CMOS器件可以接高电压，实现了高压的逻辑转换，节约了版图的面积。
低压 cmos 器件反相器

[实用新型]齐纳二极管-CN201520102638.6有效
发明人：王春来;操小莉 -专利权人：深圳市麦积电子科技有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种齐纳二极管，包括半导体衬底，位于所述半导体衬底两端的外延层，位于所述半导体衬底上的低压阱，以及位于所述低压阱上的有源区，所述有源区到所述低压阱的侧壁的距离为0.4-1.2um。本实用新型实施例的齐纳二极管通过扩大有源区到低压阱的侧壁之间的距离以及在所述低压阱与半导体衬底之间设置高压阱的方式提高齐纳二极管的耐压值，实现了高压信号的钳位。
齐纳二极管