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[发明专利]半导体集成电路器件-CN201810154403.X有效
发明人：池端菜月;田中一雄;户羽健夫;荒川政司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体集成电路器件。本发明公开了一种改善差分放大电路输出信号特性的方法。在输入数据信号为“Low”电平时，流经晶体管16的电流I1的电流将会减少，且电阻14和电阻14a的连接部(节点D)的电位将变高。将所述电位输入(负反馈)到晶体管18的栅极而使该栅极电位变高，由此便可调大尾电流量I_TAIL。在输入数据信号为“High”电平时，由于电流I1的电流过多而使节点D的电位下降。因此，晶体管18的栅极电位(负反馈)将下降，而可调小尾电流量I_TAIL。所以，可通过输入波形的上升沿和下降沿来缩短与输出波形之间的延迟时间的差。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体集成电路器件-CN201510973927.8有效
发明人：菅野雄介;田中一雄;丰岛俊辅;户羽健夫 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件，在I/O电路中，当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc_18(例如1.8V)时，引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况，通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc)，来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体集成电路器件-CN201210309382.7有效
发明人：池端菜月;田中一雄;户羽健夫;荒川政司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善差分放大电路输出信号特性的方法。在输入数据信号为“Low”电平时，流经晶体管16的电流I1的电流将会减少，且电阻14和电阻14a的连接部（节点D）的电位将变高。将所述电位输入（负反馈）到晶体管18的栅极而使该栅极电位变高，由此便可调大尾电流量I_TAIL。在输入数据信号为“High”电平时，由于电流I1的电流过多而使节点D的电位下降。因此，晶体管18的栅极电位（负反馈）将下降，而可调小尾电流量I_TAIL。所以，可通过输入波形的上升沿和下降沿来缩短与输出波形之间的延迟时间的差。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体集成电路-CN200610105982.6无效
发明人： 户羽健夫;田中一雄;丰岛俊辅 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有两种输入/输出电路的半导体集成电路，其以合理的配置实现了更高的速度和更高的封装密度。半导体集成电路具有工作在第一电源电压上的第一输入/输出电路、工作在低于第一电源电压的第二电源电压上的内部电路、以及工作在低于第一电源电压的第三电源电压上的第二输入/输出电路。在第一输入/输出电路的输出电路中，通过电平偏移器将对应于第二电源电压的信号幅度转换成对应于第一电源电压的信号幅度，并且驱动构成该输出电路的P沟道MOSFET和N沟道MOSFET。在第二输入/输出电路的输出电路中，通过电平偏移器以类似于上述的方式产生驱动信号来驱动第二和第三N沟道MOSFET，该第二和第三N沟道MOSFET用于产生具有对应于第三电源电压的信号幅度的输出信号。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200610066681.7有效
发明人：菅野雄介;田中一雄;丰岛俊辅;户羽健夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件，在I/O电路中，当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc_18(例如1.8V)时，引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况，通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc)，来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。
半导体集成电路器件